| 규격 |
애플리케이션: 다이오드, 온도 측정;
배치 번호: 2014+;
제조 기술: 논리 IC;
자료: 반도체 요소;
모델: PC817;
패키지: 이중 인라인 패키지 (DIP);
신호 처리: 아날로그 디지털 복합 및 기능;
유형: 내재 반도체;
색상: 검은색;
개요: 다리;
모듈: Common Rectifier Module;
인증서: Ets ISO9001: 2000 CQC Ewc;
전력 반도체: 표준 복구 다이오드;
보증 기간: 18개월;
제품 상태: 재고 있음;
공급 전압: 표준;
패키지 유형: 표준;
서비스: 원스톱 서비스;
브랜드: 류징;
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애플리케이션: 준표준;
자료: 시;
모델: N-유형;
유형: N-형 반도체;
성장 방법: FZ;
프론트 사이드: 광택;
모서리선: 에칭됨;
지름: 200±0.3mm;
두께: 350±25μm;
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애플리케이션: 준표준;
자료: 화합 반도체;
성장 방법: CZ;
크리스탈 방향: 100;
도판트: 보론;
저항률: 1-100Ω;
프론트 사이드: 광택;
후면: 에칭됨;
지름: 200±0.2mm;
두께: 725±25mm;
산화막 두께: 50A;
TTV: ≤25μm;
뒤틀기: ≤40μm;
보우: ≤40μm;
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애플리케이션: 준표준;
자료: 화합 반도체;
성장 방법: CZ;
크리스탈 방향: 100;
도판트: 보론;
저항률: 1-100Ω;
프론트 사이드: 광택;
후면: 에칭됨;
지름: 150±0.3mm;
두께: 675±25mm;
산화막 두께: 50A;
TTV: ≤10μm;
뒤틀기: ≤30μm;
보우: ≤30μm;
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애플리케이션: 준표준;
자료: 화합 반도체;
성장 방법: CZ;
크리스탈 방향: 100;
도판트: 보론;
저항률: 1-100Ω;
프론트 사이드: 광택;
후면: 에칭됨;
지름: 200±0.2mm;
두께: 725±25mm;
산화막 두께: 100A;
TTV: ≤25μm;
뒤틀기: ≤40μm;
보우: ≤40μm;
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