Gx13n50 고품질 고전압 N 채널 MOSFET 트랜지스터 원본 부품 TO220 부품 500V 13A
- 인증: RoHS 준수,CE,ISO
- 캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터
- 작동 주파수: 고주파
- 전원 수준: 높은 전원
- 기능: 전원 단자,스위칭 단자
- 구조: NPN
-
Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
- 주: Jiangsu, China
Gx1n65 고품질 고전압 N 채널 MOSFET 트랜지스터 원본 부품 To251 부품 650V 0.9A
- 인증: RoHS 준수,CE,ISO
- 캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터
- 작동 주파수: 고주파
- 전원 수준: 높은 전원
- 기능: 스위칭 단자
- 구조: NPN
-
Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
- 주: Jiangsu, China
Gx12n65 고품질 고전압 N 채널 MOSFET 트랜지스터 원본 부품 TO220 부품 650V 12A
- 인증: RoHS 준수,CE,ISO
- 캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터
- 작동 주파수: 고주파
- 전원 수준: 높은 전원
- 기능: 스위칭 단자
- 구조: NPN
-
Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
- 주: Jiangsu, China
Wgp830 고품질 중간 전압 N 채널 MOSFET 트랜지스터 원본 부품 TO220 부품 500V 4.5A
- 인증: RoHS 준수,CE,ISO
- 캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터
- 작동 주파수: 고주파
- 전원 수준: 높은 전원
- 기능: 스위칭 단자
- 구조: NPN
-
Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
- 주: Jiangsu, China
60h12mnsa 고품질 저전압 N 채널 MOSFET 트랜지스터 원본 구성 요소 Sot23 부품 600V 0.03A
- 인증: RoHS 준수,CE,ISO
- 캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터
- 작동 주파수: 고주파
- 전원 수준: 높은 전원
- 기능: 스위칭 단자
- 구조: NPN
-
Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
- 주: Jiangsu, China
Gx2n80 고품질 고전압 N 채널 MOSFET 트랜지스터 원본 구성 요소 To251 부품 800V 1.8A
- 인증: RoHS 준수,CE,ISO
- 캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터
- 작동 주파수: 고주파
- 전원 수준: 높은 전원
- 기능: 스위칭 단자
- 구조: NPN
-
Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
- 주: Jiangsu, China
Wgd60r450 고품질 중간 전압 N 채널 MOSFET 트랜지스터 오리지널 부품 To251 부품 600V 10A
- 인증: RoHS 준수,CE,ISO
- 캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터
- 작동 주파수: 고주파
- 전원 수준: 높은 전원
- 기능: 스위칭 단자
- 구조: NPN
-
Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
- 주: Jiangsu, China
Wgu2n20 고품질 저전압 N 채널 MOSFET 트랜지스터 오리지널 부품 Sot23 파트 200V 2A
- 인증: RoHS 준수,CE,ISO
- 캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터
- 작동 주파수: 고주파
- 전원 수준: 높은 전원
- 기능: 스위칭 단자
- 구조: NPN
-
Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
- 주: Jiangsu, China
Gx2n90 고품질 고전압 N 채널 MOSFET 트랜지스터 원본 부품 TO220 부품 900V 2.2A
- 인증: RoHS 준수,CE,ISO
- 캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터
- 작동 주파수: 고주파
- 전원 수준: 높은 전원
- 기능: 스위칭 단자
- 구조: NPN
-
Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
- 주: Jiangsu, China
Gx9n90 고품질 고전압 N 채널 MOSFET 트랜지스터 원본 부품 To3p 부품 900V 8A
- 인증: RoHS 준수,CE,ISO
- 캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터
- 작동 주파수: 고주파
- 전원 수준: 높은 전원
- 기능: 스위칭 단자
- 구조: NPN
-
Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
- 주: Jiangsu, China
Gx9n90 고품질 고전압 N 채널 MOSFET 트랜지스터 원본 부품 To220f 부품 900V 9A
- 인증: RoHS 준수,CE,ISO
- 캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터
- 작동 주파수: 고주파
- 전원 수준: 높은 전원
- 기능: 스위칭 단자
- 구조: NPN
-
Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
- 주: Jiangsu, China
84psa 고품질 저전압 P 채널 MOSFET 트랜지스터 원본 구성 요소 소트23 부품 - 50V-0.13A
- 인증: RoHS 준수,CE,ISO
- 캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터
- 작동 주파수: 고주파
- 전원 수준: 높은 전원
- 기능: 스위칭 단자
- 구조: PNP
-
Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
- 주: Jiangsu, China
2306ansa 고품질 저전압 N 채널 MOSFET 트랜지스터 원본 구성 요소 소타 23 부품 30V 3.16A
- 인증: RoHS 준수,CE,ISO
- 캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터
- 작동 주파수: 고주파
- 전원 수준: 높은 전원
- 기능: 스위칭 단자
- 구조: NPN
-
Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
- 주: Jiangsu, China
2302nsa-B 고품질 저전압 N 채널 MOSFET 트랜지스터 원본 구성 요소 Sot23 부품 20V 3.3A
- 인증: RoHS 준수,CE,ISO
- 캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터
- 작동 주파수: 고주파
- 전원 수준: 높은 전원
- 기능: 스위칭 단자
- 구조: NPN
-
Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
- 주: Jiangsu, China
Wgd60r650 고품질 중간 전압 N 채널 MOSFET 트랜지스터 오리지널 컴포넌트 To251 Parts 600V 7A
- 인증: RoHS 준수,CE,ISO
- 캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터
- 작동 주파수: 고주파
- 전원 수준: 높은 전원
- 기능: 스위칭 단자
- 구조: NPN
-
Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
- 주: Jiangsu, China
Gx10n80 고품질 고전압 N 채널 MOSFET 트랜지스터 원본 부품 To220f 부품 800V 10A
- 인증: RoHS 준수,CE,ISO
- 캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터
- 작동 주파수: 고주파
- 전원 수준: 높은 전원
- 기능: 스위칭 단자
- 구조: NPN
-
Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
- 주: Jiangsu, China
Wgp16n50 고품질 중간 전압 N 채널 MOSFET 트랜지스터 원본 컴포넌트 TO220 부품 500V16A
- 인증: RoHS 준수,CE,ISO
- 캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터
- 작동 주파수: 고주파
- 전원 수준: 높은 전원
- 기능: 스위칭 단자
- 구조: NPN
-
Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
- 주: Jiangsu, China
Wga460 고품질 중간 전압 N 채널 MOSFET 트랜지스터 오리지널 컴포넌트 TO220 부품 500V 20A
- 인증: RoHS 준수,CE,ISO
- 캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터
- 작동 주파수: 고주파
- 전원 수준: 높은 전원
- 기능: 스위칭 단자
- 구조: NPN
-
Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
- 주: Jiangsu, China
Lmh6643max/Nopb(전자 부품 IC 칩 집적 회로 IC) Lmh6643max/Nopb
- 인증: RoHS 준수
- 설치: SMD Triode 중
- 작동 주파수: 저주파
- 전원 수준: 소형 전원
- 기능: 전원 단자
- 구조: PNP
-
Q-Yang Co., Limited
- 주: Guangdong, China
MOSFET MDF7N60
- 꾸러미: to-220f
- 등록상표: KWS
- 원산지: China
-
Shenzhen Kaiwosi Technology Co., Ltd.
- 주: Guangdong, China
트랜지스터 Bc817, 215 Bc817-16/25/40 Bc817K-16R/16hr//25r/25hr/40r/40hr
- 인증: RoHS 준수
- 캡슐화 구조: 칩 트랜지스터
- 설치: SMD Triode 중
- 작동 주파수: 저주파
- 전원 수준: 소형 전원
- 기능: 전원 단자
-
Shenzhen Ruilongge Technology Co., Ltd
- 주: Guangdong, China
Tb4/1250 유리관과 동등한 5868의 진공 전자 유리관
- 인증: CCC
- 캡슐화 구조: 유리 밀폐 트랜지스터
- 설치: 플러그인 Triode 중
- 작동 주파수: 고주파
- 전원 수준: 소형 전원
- 기능: 전원 단자
-
Eec Technology (Beijing) Corp., Ltd.
- 주: Beijing, China
삼극관 3-500z
- 인증: CE,ISO
- 꾸러미: Carton
- 등록상표: HUAGUANG
- 원산지: China
- 세관코드: 85408900
- 수율: 200PCS/Month
-
Jinzhou Huaguang Electron Tube Co., Ltd.
- 주: Liaoning, China
공장 브리지 정류기 Kbu 다이오드 1A 1000V dB 패키지 브리지 다이오드 LED용
- 인증: CE
- 캡슐화 구조: 세라믹 패키지 트랜지스터
- 설치: 플러그인 Triode 중
- 작동 주파수: 오버 클러킹
- 전원 수준: 소형 전원
- 수율: 500000pieces/Year
-
Anhui Morhon Technology Co., Ltd.
- 주: Anhui, China
5kW 고주파 진동 튜브 7t85rb 전력 삼중관 7t85rb
- 인증: RoHS 준수,CE
- 캡슐화 구조: 세라믹 패키지 트랜지스터
- 설치: 플러그인 Triode 중
- 작동 주파수: 고주파
- 전원 수준: 높은 전원
- 기능: 감광성의,달링턴 튜브,전원 단자
-
Huizhou Yiyuan Machinery Co., Ltd.
- 주: Guangdong, China
도매 Bc847 Bc857 Sot23
- 캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터
- 설치: SMD Triode 중
- 꾸러미: Standard Packing
- 원산지: Made in China
- 수율: 500000
-
Kehe Electronic Industrial Co., Ltd
- 주: Guangdong, China
SMD 트랜지스터의 기존 사양은 다음과 같습니다.
- 캡슐화 구조: 칩 트랜지스터
- 설치: SMD Triode 중
- 원산지: China
- 수율: 10, 000, 000 Pieces/Day
-
Pagooda Technolo
- 주: Guangdong, China
