3401psa-L 고품질 저전압 P 채널 MOSFET 트랜지스터 원본 구성 요소 Sot23 부품 - 30V-4.1A
- 인증: RoHS 준수,CE,ISO
- 캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터
- 작동 주파수: 고주파
- 전원 수준: 높은 전원
- 기능: 스위칭 단자
- 구조: PNP
-
Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
- 주: Jiangsu, China
Gx13n80 고품질 고전압 N 채널 MOSFET 트랜지스터 원본 부품 To3p 부품 800V 13A
- 인증: RoHS 준수,CE,ISO
- 캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터
- 작동 주파수: 고주파
- 전원 수준: 높은 전원
- 기능: 스위칭 단자
- 구조: NPN
-
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- 주: Jiangsu, China
Gx1n60 고품질 고전압 N 채널 MOSFET 트랜지스터 원본 부품 To251 부품 600V 0.9A
- 인증: RoHS 준수,CE,ISO
- 캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터
- 작동 주파수: 고주파
- 전원 수준: 높은 전원
- 기능: 스위칭 단자
- 구조: NPN
-
Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
- 주: Jiangsu, China
Wgd65r950 고품질 중간 전압 N 채널 MOSFET 트랜지스터 오리지널 구성 요소 To251 부품 650V5a
- 인증: RoHS 준수,CE,ISO
- 캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터
- 작동 주파수: 고주파
- 전원 수준: 높은 전원
- 기능: 스위칭 단자
- 구조: NPN
-
Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
- 주: Jiangsu, China
3018에는 고품질 저전압 N 채널 MOSFET 트랜지스터의 원본이 있습니다 부품 Sot23 부품 30V 0.1A
- 인증: RoHS 준수,CE,ISO
- 캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터
- 작동 주파수: 고주파
- 전원 수준: 높은 전원
- 기능: 스위칭 단자
- 구조: NPN
-
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- 주: Jiangsu, China
Wgd50r750 고품질 중간 전압 N 채널 MOSFET 트랜지스터 원본 부품 To251 부품 500V 5A
- 인증: RoHS 준수,CE,ISO
- 캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터
- 작동 주파수: 고주파
- 전원 수준: 높은 전원
- 기능: 스위칭 단자
- 구조: NPN
-
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- 주: Jiangsu, China
Wgp60r650 고품질 중간 전압 N 채널 MOSFET 트랜지스터 오리지널 구성품 TO220 부품 600V 7A
- 인증: RoHS 준수,CE,ISO
- 캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터
- 작동 주파수: 고주파
- 전원 수준: 높은 전원
- 기능: 스위칭 단자
- 구조: NPN
-
Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
- 주: Jiangsu, China
Gx18n60 고품질 고전압 N 채널 MOSFET 트랜지스터 원본 부품 To220f 부품 600V 18A
- 인증: RoHS 준수,CE,ISO
- 캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터
- 작동 주파수: 고주파
- 전원 수준: 높은 전원
- 기능: 스위칭 단자
- 구조: NPN
-
Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
- 주: Jiangsu, China
Gx7n80 고품질 고전압 N 채널 MOSFET 트랜지스터 원본 부품 TO220 부품
- 인증: RoHS 준수,CE,ISO
- 캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터
- 작동 주파수: 고주파
- 전원 수준: 높은 전원
- 기능: 스위칭 단자
- 구조: NPN
-
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- 주: Jiangsu, China
Wgp50r380 고품질 중간 전압 N 채널 MOSFET 트랜지스터 오리지널 부품 TO220 부품 500V 11A
- 인증: RoHS 준수,CE,ISO
- 캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터
- 작동 주파수: 고주파
- 전원 수준: 높은 전원
- 기능: 스위칭 단자
- 구조: NPN
-
Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
- 주: Jiangsu, China
3003psa 고품질 저전압 P 채널 MOSFET 트랜지스터 원본 구성 요소 Sot23 부품 - 30V-3A
- 인증: RoHS 준수,CE,ISO
- 캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터
- 작동 주파수: 고주파
- 전원 수준: 높은 전원
- 기능: 스위칭 단자
- 구조: PNP
-
Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
- 주: Jiangsu, China
Gx840 고품질 고전압 N 채널 MOSFET 트랜지스터 원본 부품 TO220 부품 500V 9A
- 인증: RoHS 준수,CE,ISO
- 캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터
- 작동 주파수: 고주파
- 전원 수준: 높은 전원
- 기능: 전원 단자,스위칭 단자
- 구조: NPN
-
Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
- 주: Jiangsu, China
Gx1n80 고품질 고전압 N 채널 MOSFET 트랜지스터 원본 부품 To251 부품 800V 1A
- 인증: RoHS 준수,CE,ISO
- 캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터
- 작동 주파수: 고주파
- 전원 수준: 높은 전원
- 기능: 스위칭 단자
- 구조: NPN
-
Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
- 주: Jiangsu, China
3416nsa 고품질 저전압 N 채널 MOSFET 트랜지스터 원본 부품 Sot23 부품 20V 6.5A
- 인증: RoHS 준수,CE,ISO
- 캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터
- 작동 주파수: 고주파
- 전원 수준: 높은 전원
- 기능: 스위칭 단자
- 구조: NPN
-
Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
- 주: Jiangsu, China
Wgp65r420 고품질 중간 전압 N 채널 MOSFET 트랜지스터 원본 부품 TO220 부품 650V 11A
- 인증: RoHS 준수,CE,ISO
- 캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터
- 작동 주파수: 고주파
- 전원 수준: 높은 전원
- 기능: 스위칭 단자
- 구조: NPN
-
Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
- 주: Jiangsu, China
Wgp13n50 고품질 중간 전압 N 채널 MOSFET 트랜지스터 원본 부품 TO220 부품 500V 13A
- 인증: RoHS 준수,CE,ISO
- 캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터
- 작동 주파수: 고주파
- 전원 수준: 높은 전원
- 기능: 스위칭 단자
- 구조: NPN
-
Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
- 주: Jiangsu, China
Gx5n50 고품질 고전압 N 채널 MOSFET 트랜지스터 원본 부품 번호 - 251 파트 500V 4.5A
- 인증: RoHS 준수,CE,ISO
- 캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터
- 작동 주파수: 고주파
- 전원 수준: 높은 전원
- 기능: 스위칭 단자
- 구조: NPN
-
Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
- 주: Jiangsu, China
Gx830 고품질 고전압 N 채널 MOSFET 트랜지스터 원본 부품 번호 - 220 부품 500V 4.5A
- 인증: RoHS 준수,CE,ISO
- 캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터
- 작동 주파수: 고주파
- 전원 수준: 높은 전원
- 기능: 스위칭 단자
- 구조: NPN
-
Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
- 주: Jiangsu, China
Gx6n65 고품질 고전압 N 채널 MOSFET 트랜지스터 오리지널 부품 TO220 부품
- 인증: RoHS 준수,CE,ISO
- 캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터
- 작동 주파수: 고주파
- 전원 수준: 높은 전원
- 기능: 스위칭 단자
- 구조: NPN
-
Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
- 주: Jiangsu, China
10h02nsa 고품질 저전압 N 채널 MOSFET 트랜지스터 원본 부품 Sot23 부품 100V 2A
- 인증: RoHS 준수,CE,ISO
- 캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터
- 작동 주파수: 고주파
- 전원 수준: 높은 전원
- 기능: 스위칭 단자
- 구조: NPN
-
Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
- 주: Jiangsu, China
7002nsa 고품질 저전압 N 채널 MOSFET 트랜지스터 원본 부품 Sot23 부품 60V 0.115A
- 인증: RoHS 준수,CE,ISO
- 캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터
- 작동 주파수: 고주파
- 전원 수준: 높은 전원
- 기능: 스위칭 단자
- 구조: NPN
-
Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
- 주: Jiangsu, China
Gx5n60 고품질 고전압 N 채널 MOSFET 트랜지스터 원본 부품 TO220 부품 600V 4.5A
- 인증: RoHS 준수,CE,ISO
- 캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터
- 작동 주파수: 고주파
- 전원 수준: 높은 전원
- 기능: 스위칭 단자
- 구조: NPN
-
Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
- 주: Jiangsu, China
Gx10n60 고품질 고전압 N 채널 MOSFET 트랜지스터 원본 부품 To220f 부품 600V 9.5A
- 인증: RoHS 준수,CE,ISO
- 캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터
- 작동 주파수: 고주파
- 전원 수준: 높은 전원
- 기능: 스위칭 단자
- 구조: NPN
-
Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
- 주: Jiangsu, China
ISC 실리콘 PNP 전원 트랜지스터 2SA1757
- 꾸러미: to-220fa
- 명세서: OEM
- 등록상표: iscsemi/isc
- 원산지: Isc
- 세관코드: 85912900
- 수율: 100000
-
Inchange Semiconductor Company Limited
- 주: Jiangsu, China
트랜지스터
- 캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터
- 설치: 플러그인 Triode 중
- 작동 주파수: 고주파
- 자료: 규소
- 꾸러미: Tube
-
Yiwu Jingxin Trading Company
- 주: Guangdong, China
(신규 및 기존) Tpl7407 IC 칩 Tpl7407laqpwrq1
- 인증: RoHS 준수
- 설치: SMD Triode 중
- 작동 주파수: 저주파
- 전원 수준: 소형 전원
- 기능: 전원 단자
- 구조: PNP
-
Q-Yang Co., Limited
- 주: Guangdong, China
공장 브리지 정류기 Mbf 다이오드 1A 1000V dB 패키지 브리지 다이오드 LED용
- 인증: CE
- 캡슐화 구조: 세라믹 패키지 트랜지스터
- 설치: 플러그인 Triode 중
- 작동 주파수: 오버 클러킹
- 전원 수준: 소형 전원
- 수율: 500000pieces/Year
-
Anhui Morhon Technology Co., Ltd.
- 주: Anhui, China
전자관 Fu-101c 세라믹 금속 사극관 높은 Frenquency
- 인증: ISO
- 캡슐화 구조: 세라믹 패키지 트랜지스터
- 설치: 플러그인 Triode 중
- 작동 주파수: 고주파
- 전원 수준: 높은 전원
- 기능: 전원 단자
-
Beijing Gem Wisdom Technology Developing Co., Ltd
- 주: Beijing, China
삼극관 Bw1185j2/Yd1212/Itk90-1/Fu-3092ca
- 인증: CE
- 작동 주파수: 고주파
- 전원 수준: 높은 전원
- 기능: 전원 단자
- 꾸러미: Wooden Box
- 등록상표: HUAGUANG
-
Jinzhou Huaguang Electron Tube Co., Ltd.
- 주: Liaoning, China
