브리지 정류기 Msbl 다이오드 1A 1000V dB 패키지 브리지 다이오드 LED용
- 인증: CE
- 캡슐화 구조: 세라믹 패키지 트랜지스터
- 설치: 플러그인 Triode 중
- 작동 주파수: 오버 클러킹
- 전원 수준: 소형 전원
- 수율: 500000pieces/Year
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Anhui Morhon Technology Co., Ltd.
- 주: Anhui, China
브리지 정류기 Kbp 다이오드 1A 1000V dB 패키지 브리지 다이오드 LED용
- 인증: CE
- 캡슐화 구조: 세라믹 패키지 트랜지스터
- 설치: 플러그인 Triode 중
- 작동 주파수: 오버 클러킹
- 전원 수준: 소형 전원
- 수율: 500000pieces/Year
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Anhui Morhon Technology Co., Ltd.
- 주: Anhui, China
RS3060CJ와 동등한 FU3060C RF 힘 삼극관
- 기능: 전원 단자
- 세관코드: 8540890000
- 수율: 500 PCS Per Year
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Eec Technology (Beijing) Corp., Ltd.
- 주: Beijing, China
ISC 실리콘 NPN 파워 트랜지스터 BUT11A
- 세관코드: 85912900
- 수율: 100000
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Inchange Semiconductor Company Limited
- 주: Jiangsu, China
Mrf6V12500hr6 RF Ldmos 파워 트랜지스터
- 캡슐화 구조: 세라믹 패키지 트랜지스터
- 수율: 1000
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Quanzhou Yingtron Microwave Electronics Co., Ltd.
- 주: Fujian, China
MOSFET 단일 P-채널 60V, 14A, 52mhm Nvtfs5116pltag
- 인증: RoHS 준수
- 캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터
- 설치: SMD Triode 중
- 작동 주파수: 저주파
- 전원 수준: 소형 전원
- 자료: 규소
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Sunshine Electronics (Hk) Co., Limited
- 주: Guangdong, China
힘 Transistor (TIP41C TIP42C 2SB834 2SD880)
- 꾸러미: Tube
- 원산지: China
- 수율: 5000000PCS/Year
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East Semiconductor Co.,Ltd
- 주: Jiangsu, China
실리콘 N-Channel 힘 Mosfet (SFP50N06)
- 꾸러미: to-220
- 수율: 500, 000, 000
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Winsemi Microelectronics Company Limited
- 주: Guangdong, China