Wgp16n50 고품질 중간 전압 N 채널 MOSFET 트랜지스터 원본 컴포넌트 TO220 부품 500V16A
- 인증: RoHS 준수,CE,ISO
- 캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터
- 작동 주파수: 고주파
- 전원 수준: 높은 전원
- 기능: 스위칭 단자
- 구조: NPN
-
Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
- 주: Jiangsu, China
좋은 품질 IC
- 캡슐화 구조: 칩 트랜지스터
- 꾸러미: Original
- 명세서: ce
- 등록상표: FMD
- 원산지: China
- 수율: 500k/Month
-
Shenzhen Pengjin Technology Co., Ltd.
- 주: Guangdong, China
2324nsa 고품질 저전압 N 채널 MOSFET 트랜지스터 원본 부품 Sot23 부품 100V 2A
- 인증: RoHS 준수,CE,ISO
- 캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터
- 작동 주파수: 고주파
- 전원 수준: 높은 전원
- 기능: 스위칭 단자
- 구조: NPN
-
Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
- 주: Jiangsu, China
연속되는 Clock Input 32k (8 비트 넓은)
- 캡슐화 구조: 칩 트랜지스터
- 꾸러미: Original
- 명세서: ce
- 등록상표: FMD
- 원산지: China
- 수율: 500k/Month
-
Shenzhen Pengjin Technology Co., Ltd.
- 주: Guangdong, China
Gx9n90 고품질 고전압 N 채널 MOSFET 트랜지스터 원본 부품 To220f 부품 900V 9A
- 인증: RoHS 준수,CE,ISO
- 캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터
- 작동 주파수: 고주파
- 전원 수준: 높은 전원
- 기능: 스위칭 단자
- 구조: NPN
-
Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
- 주: Jiangsu, China
연속되는 Clock Input 64k (8 비트 넓은)
- 캡슐화 구조: 칩 트랜지스터
- 꾸러미: Original
- 명세서: ce
- 등록상표: FMD
- 원산지: China
- 수율: 500k/Month
-
Shenzhen Pengjin Technology Co., Ltd.
- 주: Guangdong, China
Wga60r070 고품질 중간 전압 N 채널 MOSFET 트랜지스터 원본 구성 요소 To3p 부품 600V 47A
- 인증: RoHS 준수,CE,ISO
- 캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터
- 작동 주파수: 고주파
- 전원 수준: 높은 전원
- 기능: 스위칭 단자
- 구조: NPN
-
Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
- 주: Jiangsu, China
Gx5n90 고품질 고전압 N 채널 MOSFET 트랜지스터 원본 부품 TO220 부품 900V 5A
- 인증: RoHS 준수,CE,ISO
- 캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터
- 작동 주파수: 고주파
- 전원 수준: 높은 전원
- 기능: 스위칭 단자
- 구조: NPN
-
Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
- 주: Jiangsu, China
Gx3n80 고품질 고전압 N 채널 MOSFET 트랜지스터 원본 구성 요소 To251 부품 800V 3A
- 인증: RoHS 준수,CE,ISO
- 캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터
- 작동 주파수: 고주파
- 전원 수준: 높은 전원
- 기능: 스위칭 단자
- 구조: NPN
-
Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
- 주: Jiangsu, China
3415psa 고품질 저전압 P 채널 MOSFET 트랜지스터 원본 구성 요소 소트23 부품 - 20V-4A
- 인증: RoHS 준수,CE,ISO
- 캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터
- 작동 주파수: 고주파
- 전원 수준: 높은 전원
- 기능: 스위칭 단자
- 구조: PNP
-
Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
- 주: Jiangsu, China
고품질 고전압 N 채널 Gx730 5.5A 400V ~ -220 MOSFET 트랜지스터 원래 구성 요소
- 인증: RoHS 준수,CE,ISO
- 캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터
- 작동 주파수: 고주파
- 전원 수준: 높은 전원
- 기능: 스위칭 단자
- 구조: NPN
-
Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
- 주: Jiangsu, China
Wgd65r700 고품질 중간 전압 N 채널 MOSFET 트랜지스터 오리지널 컴포넌트 To251 파트 650V 7A
- 인증: RoHS 준수,CE,ISO
- 캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터
- 작동 주파수: 고주파
- 전원 수준: 높은 전원
- 기능: 스위칭 단자
- 구조: NPN
-
Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
- 주: Jiangsu, China
Wgd50r750 고품질 중간 전압 N 채널 MOSFET 트랜지스터 원본 부품 To251 부품 500V 5A
- 인증: RoHS 준수,CE,ISO
- 캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터
- 작동 주파수: 고주파
- 전원 수준: 높은 전원
- 기능: 스위칭 단자
- 구조: NPN
-
Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
- 주: Jiangsu, China
Wgp640 고품질 저전압 N 채널 MOSFET 트랜지스터 오리지널 부품 TO220 부품 200V 18A
- 인증: RoHS 준수,CE,ISO
- 캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터
- 작동 주파수: 고주파
- 전원 수준: 높은 전원
- 기능: 스위칭 단자
- 구조: NPN
-
Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
- 주: Jiangsu, China
3415psa-AP 고품질 저전압 P 채널 MOSFET 트랜지스터 원본 부품 Sot23 부품 - 20V-4.1A
- 인증: RoHS 준수,CE,ISO
- 캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터
- 작동 주파수: 고주파
- 전원 수준: 높은 전원
- 기능: 스위칭 단자
- 구조: PNP
-
Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
- 주: Jiangsu, China
Wgp50r290 고품질 중간 전압 N 채널 MOSFET 트랜지스터 오리지널 부품 TO220 부품 500V 13A
- 인증: RoHS 준수,CE,ISO
- 캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터
- 작동 주파수: 고주파
- 전원 수준: 높은 전원
- 기능: 스위칭 단자
- 구조: NPN
-
Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
- 주: Jiangsu, China
Gx7n80 고품질 고전압 N 채널 MOSFET 트랜지스터 원본 부품 TO220 부품
- 인증: RoHS 준수,CE,ISO
- 캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터
- 작동 주파수: 고주파
- 전원 수준: 높은 전원
- 기능: 스위칭 단자
- 구조: NPN
-
Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
- 주: Jiangsu, China
02n60SA 고품질 저전압 N 채널 MOSFET 트랜지스터 원본 부품 Sot23 파트 60V 2A
- 인증: RoHS 준수,CE,ISO
- 캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터
- 작동 주파수: 고주파
- 전원 수준: 높은 전원
- 기능: 스위칭 단자
- 구조: NPN
-
Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
- 주: Jiangsu, China
Wgp65r500 고품질 중간 전압 N 채널 MOSFET 트랜지스터 원본 부품 To251 부품 650V10A
- 인증: RoHS 준수,CE,ISO
- 캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터
- 작동 주파수: 고주파
- 전원 수준: 높은 전원
- 기능: 스위칭 단자
- 구조: NPN
-
Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
- 주: Jiangsu, China
3401psa 고품질 저전압 P 채널 MOSFET 트랜지스터 원본 구성 요소 Sot23 부품 - 30V-4.1A
- 인증: RoHS 준수,CE,ISO
- 캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터
- 작동 주파수: 고주파
- 전원 수준: 높은 전원
- 기능: 스위칭 단자
- 구조: PNP
-
Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
- 주: Jiangsu, China
Wgp730 고품질 중간 전압 N 채널 MOSFET 트랜지스터 오리지널 부품 TO220 부품 400V 5.5A
- 인증: RoHS 준수,CE,ISO
- 캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터
- 작동 주파수: 고주파
- 전원 수준: 높은 전원
- 기능: 스위칭 단자
- 구조: NPN
-
Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
- 주: Jiangsu, China
Wgp60r190 고품질 중간 전압 N 채널 MOSFET 트랜지스터 원본 구성 요소 To251 부품 600V 20A
- 인증: RoHS 준수,CE,ISO
- 캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터
- 작동 주파수: 고주파
- 전원 수준: 높은 전원
- 기능: 스위칭 단자
- 구조: NPN
-
Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
- 주: Jiangsu, China
7002크사 고품질 저전압 N 채널 MOSFET 트랜지스터 원본 부품 Sot23 부품 60V 0.3A
- 인증: RoHS 준수,CE,ISO
- 캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터
- 작동 주파수: 고주파
- 전원 수준: 높은 전원
- 기능: 스위칭 단자
- 구조: NPN
-
Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
- 주: Jiangsu, China
Gx16n50 고품질 고전압 N 채널 MOSFET 트랜지스터 원본 컴포넌트 TO220 부품 500V 16A
- 인증: RoHS 준수,CE,ISO
- 캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터
- 작동 주파수: 고주파
- 전원 수준: 높은 전원
- 기능: 전원 단자,스위칭 단자
- 구조: NPN
-
Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
- 주: Jiangsu, China
Gx15n60 고품질 고전압 N 채널 MOSFET 트랜지스터 원본 부품 TO220 부품 600V 15A
- 인증: RoHS 준수,CE,ISO
- 캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터
- 작동 주파수: 고주파
- 전원 수준: 높은 전원
- 기능: 스위칭 단자
- 구조: NPN
-
Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
- 주: Jiangsu, China
Gx11n90 고품질 고전압 N 채널 MOSFET 트랜지스터 원본 부품 To220f 부품 900V 10A
- 인증: RoHS 준수,CE,ISO
- 캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터
- 작동 주파수: 고주파
- 전원 수준: 높은 전원
- 기능: 스위칭 단자
- 구조: NPN
-
Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
- 주: Jiangsu, China
10h02nsa 고품질 저전압 N 채널 MOSFET 트랜지스터 원본 부품 Sot23 부품 100V 2A
- 인증: RoHS 준수,CE,ISO
- 캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터
- 작동 주파수: 고주파
- 전원 수준: 높은 전원
- 기능: 스위칭 단자
- 구조: NPN
-
Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
- 주: Jiangsu, China
Gx1n60 고품질 고전압 N 채널 MOSFET 트랜지스터 원본 부품 To251 부품 600V 0.9A
- 인증: RoHS 준수,CE,ISO
- 캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터
- 작동 주파수: 고주파
- 전원 수준: 높은 전원
- 기능: 스위칭 단자
- 구조: NPN
-
Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
- 주: Jiangsu, China
2321psa 고품질 저전압 Pchannel MOSFET 트랜지스터 원래 구성 요소 Sot23 부품 - 20V - 2.9A
- 인증: RoHS 준수,CE,ISO
- 캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터
- 작동 주파수: 고주파
- 전원 수준: 높은 전원
- 기능: 스위칭 단자
- 구조: PNP
-
Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
- 주: Jiangsu, China
3413psa 고품질 저전압 P 채널 MOSFET 트랜지스터 원본 구성 요소 Sot23 부품 - 20V-3A
- 인증: RoHS 준수,CE,ISO
- 캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터
- 작동 주파수: 고주파
- 전원 수준: 높은 전원
- 기능: 스위칭 단자
- 구조: PNP
-
Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
- 주: Jiangsu, China
