Wgp65r190 고품질 중간 전압 N 채널 MOSFET 트랜지스터 원본 컴포넌트 TO220 부품 650V 20A
- 인증: RoHS 준수,CE,ISO
- 캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터
- 작동 주파수: 고주파
- 전원 수준: 높은 전원
- 기능: 스위칭 단자
- 구조: NPN
-
Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
- 주: Jiangsu, China
Gx6n90 고품질 고전압 N 채널 MOSFET 트랜지스터 원본 구성부품 TO220 부품 900V 6A
- 인증: RoHS 준수,CE,ISO
- 캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터
- 작동 주파수: 고주파
- 전원 수준: 높은 전원
- 기능: 스위칭 단자
- 구조: NPN
-
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- 주: Jiangsu, China
Wgp9n50 고품질 중간 전압 N 채널 MOSFET 트랜지스터 원본 부품 TO220 부품 500V 9A
- 인증: RoHS 준수,CE,ISO
- 캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터
- 작동 주파수: 고주파
- 전원 수준: 높은 전원
- 기능: 스위칭 단자
- 구조: NPN
-
Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
- 주: Jiangsu, China
고품질 고전압 N 채널 MOSFET 트랜지스터 원래 구성 요소 ~ -220개 부품 400V 11.4A
- 인증: RoHS 준수,CE,ISO
- 캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터
- 작동 주파수: 고주파
- 전원 수준: 높은 전원
- 기능: 스위칭 단자
- 구조: NPN
-
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- 주: Jiangsu, China
3420nsa 고품질 저전압 N 채널 MOSFET 트랜지스터 원본 구성 요소 Sot23 부품 20V 6A
- 인증: RoHS 준수,CE,ISO
- 캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터
- 작동 주파수: 고주파
- 전원 수준: 높은 전원
- 기능: 스위칭 단자
- 구조: NPN
-
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- 주: Jiangsu, China
Gx6n80 고품질 고전압 N 채널 MOSFET 트랜지스터 원본 부품 TO220 부품 800V 2.5A
- 인증: RoHS 준수,CE,ISO
- 캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터
- 작동 주파수: 고주파
- 전원 수준: 높은 전원
- 기능: 스위칭 단자
- 구조: NPN
-
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- 주: Jiangsu, China
Gx2n90 고품질 고전압 N 채널 MOSFET 트랜지스터 원본 부품 TO220 부품 900V 2.2A
- 인증: RoHS 준수,CE,ISO
- 캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터
- 작동 주파수: 고주파
- 전원 수준: 높은 전원
- 기능: 스위칭 단자
- 구조: NPN
-
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- 주: Jiangsu, China
60h12mnsa 고품질 저전압 N 채널 MOSFET 트랜지스터 원본 구성 요소 Sot23 부품 600V 0.03A
- 인증: RoHS 준수,CE,ISO
- 캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터
- 작동 주파수: 고주파
- 전원 수준: 높은 전원
- 기능: 스위칭 단자
- 구조: NPN
-
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- 주: Jiangsu, China
Wgd60r650 고품질 중간 전압 N 채널 MOSFET 트랜지스터 오리지널 컴포넌트 To251 Parts 600V 7A
- 인증: RoHS 준수,CE,ISO
- 캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터
- 작동 주파수: 고주파
- 전원 수준: 높은 전원
- 기능: 스위칭 단자
- 구조: NPN
-
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- 주: Jiangsu, China
Wgp13n50 고품질 중간 전압 N 채널 MOSFET 트랜지스터 원본 부품 TO220 부품 500V 13A
- 인증: RoHS 준수,CE,ISO
- 캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터
- 작동 주파수: 고주파
- 전원 수준: 높은 전원
- 기능: 스위칭 단자
- 구조: NPN
-
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- 주: Jiangsu, China
Gx4n60 고품질 고전압 N 채널 MOSFET 트랜지스터 원본 부품 TO220 부품
- 인증: RoHS 준수,CE,ISO
- 캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터
- 작동 주파수: 고주파
- 전원 수준: 높은 전원
- 기능: 스위칭 단자
- 구조: NPN
-
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- 주: Jiangsu, China
Wgp50r240 고품질 중간 전압 N 채널 MOSFET 트랜지스터 원본 부품 To251 부품 500V 18A
- 인증: RoHS 준수,CE,ISO
- 캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터
- 작동 주파수: 고주파
- 전원 수준: 높은 전원
- 기능: 스위칭 단자
- 구조: NPN
-
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- 주: Jiangsu, China
Gx10n80 고품질 고전압 N 채널 MOSFET 트랜지스터 원본 부품 To3p 부품 800V 10A
- 인증: RoHS 준수,CE,ISO
- 캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터
- 작동 주파수: 고주파
- 전원 수준: 높은 전원
- 기능: 스위칭 단자
- 구조: NPN
-
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- 주: Jiangsu, China
2305psa 고품질 저전압 P 채널 MOSFET 트랜지스터 원본 구성 요소 소트23 부품 - 12V - 4.1A
- 인증: RoHS 준수,CE,ISO
- 캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터
- 작동 주파수: 고주파
- 전원 수준: 높은 전원
- 기능: 스위칭 단자
- 구조: PNP
-
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- 주: Jiangsu, China
Wgp740 고품질 중형 전압 N 채널 MOSFET 트랜지스터 오리지널 부품 TO220 부품 400V 11.4A
- 인증: RoHS 준수,CE,ISO
- 캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터
- 작동 주파수: 고주파
- 전원 수준: 높은 전원
- 기능: 스위칭 단자
- 구조: NPN
-
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- 주: Jiangsu, China
2306ansa 고품질 저전압 N 채널 MOSFET 트랜지스터 원본 구성 요소 소타 23 부품 30V 3.16A
- 인증: RoHS 준수,CE,ISO
- 캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터
- 작동 주파수: 고주파
- 전원 수준: 높은 전원
- 기능: 스위칭 단자
- 구조: NPN
-
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- 주: Jiangsu, China
3416nsa 고품질 저전압 N 채널 MOSFET 트랜지스터 원본 부품 Sot23 부품 20V 6.5A
- 인증: RoHS 준수,CE,ISO
- 캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터
- 작동 주파수: 고주파
- 전원 수준: 높은 전원
- 기능: 스위칭 단자
- 구조: NPN
-
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- 주: Jiangsu, China
3404nsa 고품질 저전압 N 채널 MOSFET 트랜지스터 원본 구성 요소 소타 23 부품 30V 5.8A
- 인증: RoHS 준수,CE,ISO
- 캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터
- 작동 주파수: 고주파
- 전원 수준: 높은 전원
- 기능: 스위칭 단자
- 구조: NPN
-
Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
- 주: Jiangsu, China
3401psa-L 고품질 저전압 P 채널 MOSFET 트랜지스터 원본 구성 요소 Sot23 부품 - 30V-4.1A
- 인증: RoHS 준수,CE,ISO
- 캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터
- 작동 주파수: 고주파
- 전원 수준: 높은 전원
- 기능: 스위칭 단자
- 구조: PNP
-
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- 주: Jiangsu, China
Gx2n65 고품질 고전압 N 채널 MOSFET 트랜지스터 원본 부품 TO220 부품 650V 2A
- 인증: RoHS 준수,CE,ISO
- 캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터
- 작동 주파수: 고주파
- 전원 수준: 높은 전원
- 기능: 스위칭 단자
- 구조: NPN
-
Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
- 주: Jiangsu, China
Wgp60r280 고품질 중간 전압 N 채널 MOSFET 트랜지스터 오리지널 구성 요소 To251 부품 600V15A
- 인증: RoHS 준수,CE,ISO
- 캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터
- 작동 주파수: 고주파
- 전원 수준: 높은 전원
- 기능: 스위칭 단자
- 구조: NPN
-
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- 주: Jiangsu, China
2307psa 고품질 저전압 P 채널 MOSFET 트랜지스터 원본 구성 요소 Sot23 부품 - 30V-2.7A
- 인증: RoHS 준수,CE,ISO
- 캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터
- 작동 주파수: 고주파
- 전원 수준: 높은 전원
- 기능: 스위칭 단자
- 구조: PNP
-
Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
- 주: Jiangsu, China
2321psa 고품질 저전압 Pchannel MOSFET 트랜지스터 원래 구성 요소 Sot23 부품 - 20V - 2.9A
- 인증: RoHS 준수,CE,ISO
- 캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터
- 작동 주파수: 고주파
- 전원 수준: 높은 전원
- 기능: 스위칭 단자
- 구조: PNP
-
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Wga60r070d 고품질 중간 전압 N 채널 MOSFET 트랜지스터 원본 부품 To251 부품 600V47A
- 인증: RoHS 준수,CE,ISO
- 캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터
- 작동 주파수: 고주파
- 전원 수준: 높은 전원
- 기능: 스위칭 단자
- 구조: NPN
-
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- 주: Jiangsu, China
Wgp18n50 고품질 중간 전압 N 채널 MOSFET 트랜지스터 원본 부품 TO220 부품 500V 18A
- 인증: RoHS 준수,CE,ISO
- 캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터
- 작동 주파수: 고주파
- 전원 수준: 높은 전원
- 기능: 스위칭 단자
- 구조: NPN
-
Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
- 주: Jiangsu, China
Gx18n60 고품질 고전압 N 채널 MOSFET 트랜지스터 원본 부품 To220f 부품 600V 18A
- 인증: RoHS 준수,CE,ISO
- 캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터
- 작동 주파수: 고주파
- 전원 수준: 높은 전원
- 기능: 스위칭 단자
- 구조: NPN
-
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- 주: Jiangsu, China
Gx4n90 고품질 고전압 N 채널 MOSFET 트랜지스터 원본 구성요소 TO220 부품 900V 4A
- 인증: RoHS 준수,CE,ISO
- 캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터
- 작동 주파수: 고주파
- 전원 수준: 높은 전원
- 기능: 스위칭 단자
- 구조: NPN
-
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3018에는 고품질 저전압 N 채널 MOSFET 트랜지스터의 원본이 있습니다 부품 Sot23 부품 30V 0.1A
- 인증: RoHS 준수,CE,ISO
- 캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터
- 작동 주파수: 고주파
- 전원 수준: 높은 전원
- 기능: 스위칭 단자
- 구조: NPN
-
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Gx15n60 고품질 고전압 N 채널 MOSFET 트랜지스터 원본 부품 TO220 부품 600V 15A
- 인증: RoHS 준수,CE,ISO
- 캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터
- 작동 주파수: 고주파
- 전원 수준: 높은 전원
- 기능: 스위칭 단자
- 구조: NPN
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- 주: Jiangsu, China
Wgp65r500 고품질 중간 전압 N 채널 MOSFET 트랜지스터 원본 부품 To251 부품 650V10A
- 인증: RoHS 준수,CE,ISO
- 캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터
- 작동 주파수: 고주파
- 전원 수준: 높은 전원
- 기능: 스위칭 단자
- 구조: NPN
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