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Mr. Guoping Hu

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내화도 (℃):	1770 <Refractoriness <2000
특징:	긴 시간 자료
유형:	내화물 재료
모양:	파이프
자료:	Si3n4 Bonded Sic
Content:	Silicon Nitride (23%) and Silicon Carbide(75%)

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