| 규격 |
전도성 유형: 양극성 통합 회로;
통합: MSI;
기술: 반도체 IC;
제조: TI;
D/c: 17+;
패키지: lqfp-64;
품질: 새로운 정품;
모양: SMD;
|
기술: 반도체 IC;
코어 프로세서: ARM ® Cortex ® -m3;
코어 크기: 32비트;
속도: 100MHz;
연결성: CANbus, I2C, IrDA, 마이크로와이어 등;
주변 장치: 갈색 감지/재설정, DMA, 모터 제어 PWM, Po;
I/O의 수: 70;
프로그램 메모리 크기: 512KB(512K x 8);
프로그램 메모리 유형: 플래시;
RAM 크기: 64K x 8;
전압-공급(VCC/vdd): 2.4v~3.6V;
작동 온도: -40°C~85°C(TA);
패키지/케이스: 100-lqfp;
데이터 변환기: a/d 8x12b; d/a 1x10b;
오실레이터 유형: 내부;
|
코어 프로세서: ARM ® Cortex ® -m3;
코어 크기: 32비트;
속도: 120mhz;
연결성: CANbus, EBI/EMI, 이더넷, I2C, 마이크로와이어;
주변 장치: 브라운 아웃 감지/재설정, DMA, i2C 등;
I/O의 수: 109;
프로그램 메모리 크기: 512KB(512K x 8);
프로그램 메모리 유형: 플래시;
EEPROM 크기: 4K 8배;
RAM 크기: 96k x 8;
전압-공급(VCC/vdd): 2.4v~3.6V;
데이터 변환기: a/d 8x12b; d/a 1x10b;
오실레이터 유형: 내부;
작동 온도: -40°C~85°C(TA);
패키지/케이스: 144lqfp;
|
모양: DIP;
코어 프로세서: rl78;
코어 크기: 16비트;
속도: 20MHz;
연결성: 씨에스아이, 아이²씨, 린버스, 유아르티, 유사르트;
주변 장치: DMA, LVD, por, PWM, WDT;
I/O의 수: 10;
프로그램 메모리 크기: 1KB(1k x 8);
프로그램 메모리 유형: 플래시;
EEPROM 크기: -;
RAM 크기: 128 X 8;
전압-공급(VCC/vdd): 2V~5.5V;
데이터 변환기: a/d 7x8/10b;
오실레이터 유형: 내부;
작동 온도: -40°c ~ 85°c (타);
패키지/케이스: 16-ss (0.173", 4.40mm 너비);
|
코어 프로세서: ARM ® Cortex ® -m3;
코어 크기: 32비트;
속도: 120mhz;
연결성: CANbus, EBI/EMI, 이더넷, I2C, 마이크로와이어;
주변 장치: 브라운 아웃 감지/재설정, DMA, i2C 등;
I/O의 수: 165;
프로그램 메모리 크기: 512KB(512K x 8);
프로그램 메모리 유형: 플래시;
EEPROM 크기: 4K 8배;
RAM 크기: 96k x 8;
전압-공급(VCC/vdd): 2.4v~3.6V;
데이터 변환기: a/d 8x12b; d/a 1x10b;
오실레이터 유형: 내부;
작동 온도: -40°C~85°C(TA);
패키지/케이스: 208-lqfp;
|
