Xilinx Vu13p 기반
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자일링스 Vu13p-Based 감쇠 신호 처리 보드 고효율 데이터 처리량 무엇입니까

이 항목에 대한 정보
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가격

최소 주문하다 FOB 가격 참조

2 board 협상 가능

사양

  • 전도성 유형 단극 통합 회로
  • 통합 MSI
  • 마운팅 유형 SMT
  • 작동 온도 -20℃~40℃
  • 모양 보드
  • 기술 응용 특정 집적 회로
  • 운송 패키지 ESD 가방
  • 규격 200mm× 180mm
  • 등록상표 라구
  • 원산지 중국

제품 설명

고효율 데이터 처리로 Xilinx VU13P 기반 시준 신호 처리 보드 VU13P 다운샘플링 신호 처리 플랫폼은 마스터 제어 FPGA로 Xilinx XCVU13P를 활용하고, 다양한 고속 주변 인터페이스를 구현하며, 매우 효율적인 데이터 처리로 탁월한 데이터 처리/계산 기능을 제공합니다. 사양 제품 특징 고속 데이터 전송을 위한 1.16x100GbE 광 포트; 2.풍부한 FPGA 리소스: 고밀도 시스템 로직 셀 및 DSP 슬라이스 KR4 RS-FEC를 사용한 3.9x ...

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거래 정보
가격 협상 가능 US$0.01-0.50 / 상품 US$0.60 / 상품 US$0.01-0.50 / 상품 US$0.01-0.50 / 상품
최소 주문 2 board 1 상품 10 조각 1 상품 1 상품
지불 LC, T/T, D/P, PayPal, Western Union, 소액결제, Money Gram LC, T/T LC, T/T LC, T/T LC, T/T
품질 관리
경영시스템 인증 - - - - -
무역 능력
수출 시장 북아메리카, 남아메리카, 동유럽, 동남아시아, 아프리카, 오세아니아, 중동, 동아시아, 서유럽 북아메리카, 남아메리카, 유럽, 동남아시아/중동, 동아시아(일본/한국), 호주 북아메리카, 남아메리카, 유럽, 동남아시아/중동, 동아시아(일본/한국), 호주 북아메리카, 남아메리카, 유럽, 동남아시아/중동, 동아시아(일본/한국), 호주 북아메리카, 남아메리카, 유럽, 동남아시아/중동, 동아시아(일본/한국), 호주
연간 수출 수익 - - - - -
사업 모델 - Own Brand, ODM Own Brand, ODM Own Brand, ODM Own Brand, ODM
평균 리드 타임 성수기 리드 타임: 한달
비수기 리드 타임: 한달
성수기 리드 타임: 근무일 기준 15일 이내
비수기 리드 타임: 근무일 기준 15일 이내
성수기 리드 타임: 근무일 기준 15일 이내
비수기 리드 타임: 근무일 기준 15일 이내
성수기 리드 타임: 근무일 기준 15일 이내
비수기 리드 타임: 근무일 기준 15일 이내
성수기 리드 타임: 근무일 기준 15일 이내
비수기 리드 타임: 근무일 기준 15일 이내
제품 속성
규격
전도성 유형: 단극 통합 회로;
통합: MSI;
마운팅 유형: SMT;
작동 온도: -20℃~40℃;
모양: 보드;
기술: 응용 특정 집적 회로;
마운팅 유형: 표면 마운트;
작동 온도: -40°c ~ 150°c (tj);
구속 설정: 하프 브리지;
채널 유형: 독립적입니다;
드라이버 수: 4;
게이트 유형: N-채널 MOSFET;
전압 - 공급: 5.5V~55V;
논리 전압 - 빌, vih: 0.8V, 2v;
전류 피크 출력(소스, 싱크): 1A;
입력 유형: 비 반전;
상승/하강 시간(보통): -;
패키지/케이스: 20-SOIC;
기본 제품 번호: mcz33;
마운팅 유형: 표면 마운트;
작동 온도: -40°c ~ 150°c (tj);
기술: 반도체 IC;
구속 설정: 하프 브리지;
채널 유형: 독립적입니다;
드라이버 수: 2;
게이트 유형: IGBT, n-채널 MOSFET;
전압 - 공급: 10V~22V;
논리 전압 - 빌, vih: 1.2V, 2.5V;
전류 피크 출력(소스, 싱크): 4.5A;
입력 유형: 비 반전;
상승/하강 시간(보통): 25ns, 20ns;
패키지/케이스: 8-SOIC;
기본 제품 번호: Fan7390;
고전압 - 최대(부트스트랩): 600 V;
모양: SMD;
전도성 유형: 해당 없음;
통합: 해당 없음;
마운팅 유형: 표면 마운트;
작동 온도: -40°c ~ 150°c (tj);
모양: DIP;
기술: 해당 없음;
구속 설정: 하프 브리지;
채널 유형: 독립적입니다;
드라이버 수: 2;
게이트 유형: IGBT, n-채널 MOSFET;
전압 - 공급: 10V~20V;
논리 전압 - 빌, vih: 0.8V, 2.7v;
전류 피크 출력(소스, 싱크): 1.9a, 2.3a;
입력 유형: 비 반전;
상승/하강 시간(보통): 40ns, 20ns;
패키지/케이스: 8-SOIC;
기본 제품 번호: IRS 2181;
고전압 - 최대(부트스트랩): 600 V;
마운팅 유형: 표면 마운트;
작동 온도: -40°c ~ 150°c (tj);
구속 설정: 하이 사이드 또는 로우 사이드;
채널 유형: 동기;
드라이버 수: 1;
게이트 유형: N-채널 MOSFET;
전압 - 공급: 4.5V~5.5V;
입력 유형: 비 반전;
패키지/케이스: 36-tfqfn 노출 패드;
기본 제품 번호: ncp81382;
고전압 - 최대(부트스트랩): 35 V;
공급업체 이름

Hangzhou Ragine Electronic Technology Development Co., Ltd.

다이아몬드 회원 감사를 받은 공급업체

ShenZhen Nova Semiconductor Co., Ltd.

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