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전도성 유형: 단극 통합 회로;
통합: GSI;
메모리 유형: 논리 ICS;
모양: 평평한;
기술: 반도체 IC;
D/c: 새로운;
시리즈: 전자 부품 회로;
응용 프로그램: PCB;
피처: 새로운 오리지널 포장;
입력합니다: 마이크로컨트롤러;
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기술: 반도체 IC;
코어 프로세서: 팔® cortex®-m3;
코어 크기: 32비트;
속도: 100MHz;
연결성: Canbus, I²c, IrDA, Microwire, etc;
주변 장치: 갈색 감지/재설정, DMA, 모터 제어 PWM, Po;
I/O의 수: 70;
프로그램 메모리 크기: 512KB(512K x 8);
프로그램 메모리 유형: 플래시;
RAM 크기: 64K x 8;
전압-공급(VCC/vdd): 2.4v~3.6V;
작동 온도: -40°c ~ 85°c (타);
패키지/케이스: 100-lqfp;
데이터 변환기: a/d 8x12b; d/a 1x10b;
오실레이터 유형: 내부;
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코어 프로세서: 팔® cortex®-m3;
코어 크기: 32비트;
속도: 120mhz;
연결성: Canbus, Ebi/EMI, Ethernet, I²c, Microwire;
주변 장치: Brown-out Detect/Reset, DMA, I²s, etc;
I/O의 수: 109;
프로그램 메모리 크기: 512KB(512K x 8);
프로그램 메모리 유형: 플래시;
EEPROM 크기: 4K 8배;
RAM 크기: 96k x 8;
전압-공급(VCC/vdd): 2.4v~3.6V;
데이터 변환기: a/d 8x12b; d/a 1x10b;
오실레이터 유형: 내부;
작동 온도: -40°c ~ 85°c (타);
패키지/케이스: 144lqfp;
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모양: DIP;
코어 프로세서: rl78;
코어 크기: 16비트;
속도: 20MHz;
연결성: 씨에스아이, 아이²씨, 린버스, 유아르티, 유사르트;
주변 장치: DMA, LVD, por, PWM, WDT;
I/O의 수: 10;
프로그램 메모리 크기: 1KB(1k x 8);
프로그램 메모리 유형: 플래시;
EEPROM 크기: -;
RAM 크기: 128 X 8;
전압-공급(VCC/vdd): 2V~5.5V;
데이터 변환기: a/d 7x8/10b;
오실레이터 유형: 내부;
작동 온도: -40°c ~ 85°c (타);
패키지/케이스: 16-ss (0.173", 4.40mm 너비);
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코어 프로세서: 팔® cortex®-m3;
코어 크기: 32비트;
속도: 120mhz;
연결성: Canbus, Ebi/EMI, Ethernet, I²c, Microwire;
주변 장치: Brown-out Detect/Reset, DMA, I²s, etc;
I/O의 수: 165;
프로그램 메모리 크기: 512KB(512K x 8);
프로그램 메모리 유형: 플래시;
EEPROM 크기: 4K 8배;
RAM 크기: 96k x 8;
전압-공급(VCC/vdd): 2.4v~3.6V;
데이터 변환기: a/d 8x12b; d/a 1x10b;
오실레이터 유형: 내부;
작동 온도: -40°c ~ 85°c (타);
패키지/케이스: 208-lqfp;
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