고성능 GaN RF 전력 소자 무선 통신, 전자기 호환성, 라디오 위치 측정, 원거리 측정 응용에 적합한 GaN 트랜지스터 무엇입니까

Name: 고성능 GaN RF 전력 소자 무선 통신, 전자기 호환성, 라디오 위치 측정, 원거리 측정 응용에 적합한 GaN 트랜지스터
Uploaded: 2025-12-22T19:09:19+08:00

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가격

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사양

애플리케이션 파워 전자 부품, 라디오, 텔레비전, 신호 걸림
배치 번호 2025
인증 CE, 로하스
제조 기술 이산 장치
자료 Gan
모델 Gan
패키지 SMD
신호 처리 아날로그 디지털 복합 및 기능
유형 P-형 반도체
높은 출력 최대 600W
작동 온도 150degree까지
주파수 대역 좁은 대역 또는 넓은 대역
운송 패키지 릴/테이프
규격 기타
등록상표 에버스마트
원산지 중국

제품 설명

회사 프로필 Shenzhen Eversmart Technology Co., Ltd 2014년에 설립된 이 기업은 연구 개발, 생산 및 판매를 통합하는 첨단 기업입니다. 설립 이래로 이 회사는 보안 제품을 주요 비즈니스로 활용했으며 2018년부터 R&D 팀은 칩과 장치 애플리케이션 개발을 위한 레이아웃을 정하기 시작했습니다. 이 회사는 독자적인 디자인의 질화 RF 칩 기술 팀을 보유하고 있으며, 통신 인프라, 드론 간섭 및 기타 유형의 시장 응용 분야에 적용되는 풍부한 RF 제품 라인을 갖추고 있으며, 증폭기 튜브 장치에 ...

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Shenzhen Eversmart Technology Co., Ltd.

다이아몬드 회원 2025부터

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(2 리뷰)

주요 상품 안티 드론, 신호 차단기, RF 증폭기 모듈, GaN 전력 트랜지스터
주소 1203, Building 2, Cofc0 Business Park, Xingdong Community, Xin'an Street, Bao'andistrict, Shenzhen City, Guangdong Province, Shenzhen, Guangdong, China
주요 시장 북아메리카, 남아메리카, 동유럽, 동남아시아, 아프리카, 오세아니아, 중동, 동아시아, 서유럽
평균 리드 타임 성수기 리드 타임: 근무일 기준 15일 이내, 비수기 리드 타임, 근무일 기준 15일 이내

Gan RF 비교

	고성능 GaN RF 전력 소자 무선 통신, 전자기 호환성, 라디오 위치 측정, 원거리 측정 응용에 적합한 GaN 트랜지스터 지금 연락	빠른 보기 일본 품질 Film300mm 테스트 웨이퍼 P/N 유형 8 인치 실리콘 웨이퍼 지금 연락	빠른 보기 12inch 더미 테스트 웨이퍼 반도체 연마된 실리콘 웨이퍼 지금 연락	빠른 보기 일본 품질 6/8/12 인치 필름 더미 테스트 웨이퍼 실리콘 웨이퍼 지금 연락	빠른 보기 2-12inch 더미 필름 웨이퍼 실리콘 반도체 연마된 실리콘 웨이퍼 지금 연락

거래 정보
	고성능 GaN RF 전력 소자 무선 통신, 전자기 호환성, 라디오 위치 측정, 원거리 측정 응용에 적합한 GaN 트랜지스터 지금 연락	빠른 보기 일본 품질 Film300mm 테스트 웨이퍼 P/N 유형 8 인치 실리콘 웨이퍼 지금 연락	빠른 보기 12inch 더미 테스트 웨이퍼 반도체 연마된 실리콘 웨이퍼 지금 연락	빠른 보기 일본 품질 6/8/12 인치 필름 더미 테스트 웨이퍼 실리콘 웨이퍼 지금 연락	빠른 보기 2-12inch 더미 필름 웨이퍼 실리콘 반도체 연마된 실리콘 웨이퍼 지금 연락
가격	US$600.00 / 상품	US$25.00 / pc	US$25.00 / pc	US$25.00 / pc	US$25.00 / pc
최소 주문	100 조각	50 pc	50 pc	50 pc	50 pc
지불	-	T/T, PayPal	T/T, PayPal	T/T, PayPal	T/T, PayPal
품질 관리
제품 인증	CE, 로하스	-	-	-	-
경영시스템 인증	-	-	-	-	-
무역 능력
수출 시장	북아메리카, 남아메리카, 동유럽, 동남아시아, 아프리카, 오세아니아, 중동, 동아시아, 서유럽	동남아시아/중동, 동아시아(일본/한국)	동남아시아/중동, 동아시아(일본/한국)	동남아시아/중동, 동아시아(일본/한국)	동남아시아/중동, 동아시아(일본/한국)
연간 수출 수익	-	-	-	-	-
사업 모델	-	Own Brand, ODM, OEM	Own Brand, ODM, OEM	Own Brand, ODM, OEM	Own Brand, ODM, OEM
평균 리드 타임	성수기 리드 타임: 근무일 기준 15일 이내 비수기 리드 타임: 근무일 기준 15일 이내	성수기 리드 타임: 근무일 기준 15일 이내 비수기 리드 타임: 근무일 기준 15일 이내	성수기 리드 타임: 근무일 기준 15일 이내 비수기 리드 타임: 근무일 기준 15일 이내	성수기 리드 타임: 근무일 기준 15일 이내 비수기 리드 타임: 근무일 기준 15일 이내	성수기 리드 타임: 근무일 기준 15일 이내 비수기 리드 타임: 근무일 기준 15일 이내
제품 속성
규격	애플리케이션: 파워 전자 부품, 라디오, 텔레비전, 신호 걸림; 배치 번호: 2025; 제조 기술: 이산 장치; 자료: Gan; 모델: Gan; 패키지: SMD; 신호 처리: 아날로그 디지털 복합 및 기능; 유형: P-형 반도체; 높은 출력: 최대 600W; 작동 온도: 150degree까지; 주파수 대역: 좁은 대역 또는 넓은 대역;	애플리케이션: 장비; 배치 번호: NA; 제조 기술: 통합 회로 장치; 자료: 화합 반도체; 모델: 첨삭; 패키지: 준표준; 신호 처리: NA; 유형: P-형 반도체; 성장 방법: CZ; 크리스탈 방향: 100; 도판트: 보론; 저항률: 1-100Ω; 프론트 사이드: 광택; 모서리선: 광택; 지름: 300±0.2mm; 두께: 775±25μm; 브랜드: FSM;	자료: 화합 반도체; 유형: P-형 반도체; 성장 방법: CZ; 크리스탈 방향: 100; 도판트: 보론; 저항률: 1-100Ω; 프론트 사이드: 광택; 모서리선: 광택; 지름: 300±0.2mm; 두께: 775±25μm;	성장 방법: CZ; 크리스탈 방향: 100; 도판트: 보론; 저항률: 1-100Ω; 프론트 사이드: 광택; 모서리선: 광택; 지름: 300±0.2mm; 두께: 775±25μm;	자료: 화합 반도체; 유형: P-형 반도체; 성장 방법: CZ; 크리스탈 방향: 100; 도판트: 보론; 저항률: 1-100Ω; 프론트 사이드: 광택; 모서리선: 광택; 지름: 300±0.2mm; 두께: 775±25μm;
공급업체 이름	Shenzhen Eversmart Technology Co., Ltd.	Fine Silicon Manufacturing(Shanghai)Ltd.	Fine Silicon Manufacturing(Shanghai)Ltd.	Fine Silicon Manufacturing(Shanghai)Ltd.	Fine Silicon Manufacturing(Shanghai)Ltd.

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