규격 |
전도성 유형: 단극 통합 회로;
통합: LSI;
기술: Thin Film IC;
패키지: 상자;
모양: 평면;
|
전도성 유형: 해당 없음;
통합: 해당 없음;
기술: 반도체 IC;
모양: 평면;
|
전도성 유형: 해당 없음;
통합: 해당 없음;
기술: 반도체 IC;
모양: 평면;
|
모양: DIP;
코어 프로세서: 그림;
코어 크기: 8비트;
속도: 32mhz;
연결성: I2C, Linbus, SPI, UART/usart;
주변 장치: 갈색 차단 감지/재설정, por, PWM, WDT;
I/O의 수: 18;
프로그램 메모리 크기: 7kb(4K x 14);
프로그램 메모리 유형: 플래시;
EEPROM 크기: -;
RAM 크기: 512 X 8;
전압-공급(VCC/vdd): 2.3v~5.5V;
데이터 변환기: a/d 17x10b; d/a 1x5b;
오실레이터 유형: 내부;
작동 온도: -40°C~85°C(TA);
패키지/케이스: 20-ss op(0.209", 5.30mm 너비);
|
모양: DIP;
코어 프로세서: ARM ® Cortex ® -M0+;
코어 크기: 32비트;
속도: 48mhz;
연결성: I2C, Linbus, SPI, UART/usart;
주변 장치: 갈색 감지/재설정, DMA, por, WDT;
I/O의 수: 22;
프로그램 메모리 크기: 16KB(16k x 8);
프로그램 메모리 유형: 플래시;
EEPROM 크기: -;
RAM 크기: 4K 8배;
전압-공급(VCC/vdd): 1.62v~3.63v;
데이터 변환기: a/d 10x12b;
오실레이터 유형: 내부;
작동 온도: -40°C~85°C(TA);
패키지/케이스: 24-vfqfn 노출 패드;
|