Nanowin 2~4 인치 독립 구조로 서있는 GaN 기질 (갈륨 질화물) /U-GaN, N-GaN, Si GaN

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포트: Shanghai, China
생산 능력: 50000PCS/Month
지불: T/T

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제품 설명

회사 정보

주소: 112 Minziqian Road, Lixia District, Jinan, Shandong, China
사업 유형: 제조사/공장
사업 범위: 전기전자
경영시스템 인증: ISO 9001, ISO 9000, ISO 14000, OHSAS/ OHSMS 18001, IATF16949, QC 080000
회사소개: Advanced Semiconductor Materials Co., Ltd.(ASMC)는 쑤저우 나노우인 과학 및 기술 회사(Nanowin)의 지사입니다.

당사는 GaN, SiC, AlN, Diamond 단일 결정 기질 및 epi 웨이퍼 등 최고의 품질과 비용 효율적인 광대역 갭 재료를 개발하고 제조하기 위해 노력하고 있습니다.

주요 제품:

Gallium Nitride

2-6인치 자유 입체형 GaN 기질

2-8인치 표준 GaN 에피택시 웨이퍼

PIN/SBD/HEMT/MOS/LED 등을 위한 맞춤형 에피택시 웨이퍼

알루미늄 니트라이드

2인치 자유 입체형 AlN 기질,

2-4인치 inchAlN 에피택시 웨이퍼.

실리콘 카르바이드

4-6인치 고품질 세미 절연 SiC 기질

4-6인치 SiC epi 기질

Diamond

10 * 10 * 0.3mm, 10 * 10 * 0.5mm 단일 크리스탈 다이아몬드 또는 폴리스틸린 다이아몬드(광학급, 전자 등급)

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