규격 |
모양: SMD;
차폐 유형: 샤프 차단 차폐 튜브;
냉각 방식: 자연적으로 냉각 튜브;
기능: 스위치 트랜지스터;
작동 주파수: 저주파;
구조: SMD;
캡슐화 구조: 세라믹 패키지 트랜지스터;
전원 수준: 소형 전원;
자료: 규소;
종자종자점상전압 100V/s(v): 75;
편차 vs (v)%: 25;
임펄스 스파크 - 과전압 100V/US(v): ≤ 500;
충격 스파크 - 과전압 1kV/us(v): 600 이하;
임펄스 방전 전류 10/350us(ka) 1: 2;
임펄스 방전 전류 8/20us(ka) 10: 10;
절연 저항(Ω): ≥100000000;
정전 용량(1MHz) pf: ≤ 1;
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냉각 방식: 자연적으로 냉각 튜브;
기능: 정류기 다이오드;
구조: 평면;
캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터;
전원 수준: 소형 전원;
자료: 규소;
기능1: Vrrm=1500V;
기능2: Io=15A;
기능3: Ifsm=220A;
기능4: Package:to-220AC;
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모양: Dwc3;
냉각 방식: 자연적으로 냉각 튜브;
기능: EV 충전기;
작동 주파수: 고주파;
구조: 모듈;
캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터;
전원 수준: 높은 전원;
자료: 규소;
기능1: High Temperature, Humidity, and Bias Oper;
기능2: 초저손실;
기능3: 고주파수 작동;
기능4: Zero Turn-off Tail Current From Mosfet;
기능5: Normally-off, Fail-Safe Device Operation;
기능6: 병렬의 용이성;
기능7: Alsic Baseplate and Aluminum Nitride Insulator;
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모양: 110mm X 63mm X 14.4mm;
냉각 방식: 자연적으로 냉각 튜브;
기능: EV 충전기;
작동 주파수: 고주파;
구조: 모듈;
캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터;
전원 수준: 높은 전원;
자료: 규소;
기능1: High Temperature, Humidity, and Bias Oper;
기능2: Ultra Low Loss <5nh;
기능3: 고주파수 작동;
기능4: Zero Turn-off Tail Current From Mosfet;
기능5: Normally-off, Fail-Safe Device Operation;
기능6: 병렬의 용이성;
기능7: Cu Baseplate and Silicon Nitride Insulator;
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모양: Dwc3;
냉각 방식: 자연적으로 냉각 튜브;
기능: EV 충전기;
작동 주파수: 고주파;
구조: 모듈;
캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터;
전원 수준: 높은 전원;
자료: 규소;
기능1: High Temperature, Humidity, and Bias Oper;
기능2: 초저손실;
기능3: 고주파수 작동;
기능4: Zero Turn-off Tail Current From Mosfet;
기능5: Normally-off, Fail-Safe Device Operation;
기능6: 병렬의 용이성;
기능7: Alsic Baseplate and Aluminum Nitride Insulator;
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