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도매 MOSFET

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오리지널 트랜지스터 Irf7306trpbf SOIC - 8 MOSFET RoHS BOM 서비스

오리지널 트랜지스터 Irf7306trpbf SOIC - 8 MOSFET RoHS BOM 서비스

오리지널 트랜지스터 Irf7306trpbf SOIC - 8 MOSFET RoHS BOM 서비스

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오리지널 트랜지스터 Irf7306trpbf SOIC - 8 MOSFET RoHS BOM 서비스

US$0.1 / 상품

10 조각 (MOQ)

Shenzhen Hongjilong Technology Co., Ltd.

360° 가상 투어

지금 연락

인증: RoHS 준수,CE,ISO

모양: 성

차폐 유형: 원격 튜브를 차폐 오프 컷

캡슐화 구조: 칩 트랜지스터

자료: 게르마늄

꾸러미: Package

Trans MOSFET N-CH 30V IRF7313TRPBF

Trans MOSFET N-CH 30V IRF7313TRPBF

Trans MOSFET N-CH 30V IRF7313TRPBF

Trans MOSFET N-CH 30V IRF7313TRPBF

Trans MOSFET N-CH 30V IRF7313TRPBF

Trans MOSFET N-CH 30V IRF7313TRPBF

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Trans MOSFET N-CH 30V IRF7313TRPBF

US$0.072-15.00 / 상품

100 조각 (MOQ)

Shenzhen Semilotec Co., Ltd.

지금 연락

도전 형: 유니 폴라 집적 회로

공예: 박막 IC

꾸러미: Box

원산지: China

세관코드: 8542390000

수율: 1000000PCS

200A 30V N-채널 개선 모드 전력 MOSFET Dh020n03e - 263

200A 30V N-채널 개선 모드 전력 MOSFET Dh020n03e - 263

200A 30V N-채널 개선 모드 전력 MOSFET Dh020n03e - 263

200A 30V N-채널 개선 모드 전력 MOSFET Dh020n03e - 263

200A 30V N-채널 개선 모드 전력 MOSFET Dh020n03e - 263

200A 30V N-채널 개선 모드 전력 MOSFET Dh020n03e - 263

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200A 30V N-채널 개선 모드 전력 MOSFET Dh020n03e - 263

US$0.01-1.5 / 상품

5,000 조각 (MOQ)

Jiangsu Donghai Semiconductor Co.,Ltd

360° 가상 투어

지금 연락

제조 기술: 개별 장치

유형: P 형 반도체

꾸러미: Tape & Reel

등록상표: WXDH

원산지: Wuxi, China

세관코드: 8541290000

Fw6n60as-R Yfw7n60as-R ~-263 MOSFET

Fw6n60as-R Yfw7n60as-R ~-263 MOSFET

Fw6n60as-R Yfw7n60as-R ~-263 MOSFET

Fw6n60as-R Yfw7n60as-R ~-263 MOSFET

Fw6n60as-R Yfw7n60as-R ~-263 MOSFET

Fw6n60as-R Yfw7n60as-R ~-263 MOSFET

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Fw6n60as-R Yfw7n60as-R ~-263 MOSFET

US$0.005-0.04 / 상품

1,250 조각 (MOQ)

Guangdong Youfeng Microelectronics Co., Ltd.

360° 가상 투어

지금 연락

제조 기술: 광전자 반도체

자료: 화합물 반도체

꾸러미: 800/Reel/Tap, Inner Box, Master

신호 처리: 아날로그 디지털 컴포지트 및 기능

명세서: 590*250*170

WM03P115R-30V-11.5A P-채널 MOSFET Wayon

WM03P115R-30V-11.5A P-채널 MOSFET Wayon

WM03P115R-30V-11.5A P-채널 MOSFET Wayon

WM03P115R-30V-11.5A P-채널 MOSFET Wayon

WM03P115R-30V-11.5A P-채널 MOSFET Wayon

WM03P115R-30V-11.5A P-채널 MOSFET Wayon

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WM03P115R-30V-11.5A P-채널 MOSFET Wayon

US$0.018-0.02 / 상품

10 조각 (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

360° 가상 투어

지금 연락

꾸러미: Plastic Package

명세서: DFN2*2-6L

원산지: Guangdong, China

수율: 10000 Pieces/Day

기존 트랜지스터 Ipd082n10n3g 100V 80A 8.6mΩ @ 10V, 73A 125W N 채널 ~ -252-3 MOSFET RoHS BOM 서비스

기존 트랜지스터 Ipd082n10n3g 100V 80A 8.6mΩ @ 10V, 73A 125W N 채널 ~ -252-3 MOSFET RoHS BOM 서비스

기존 트랜지스터 Ipd082n10n3g 100V 80A 8.6mΩ @ 10V, 73A 125W N 채널 ~ -252-3 MOSFET RoHS BOM 서비스

기존 트랜지스터 Ipd082n10n3g 100V 80A 8.6mΩ @ 10V, 73A 125W N 채널 ~ -252-3 MOSFET RoHS BOM 서비스

기존 트랜지스터 Ipd082n10n3g 100V 80A 8.6mΩ @ 10V, 73A 125W N 채널 ~ -252-3 MOSFET RoHS BOM 서비스

기존 트랜지스터 Ipd082n10n3g 100V 80A 8.6mΩ @ 10V, 73A 125W N 채널 ~ -252-3 MOSFET RoHS BOM 서비스

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기존 트랜지스터 Ipd082n10n3g 100V 80A 8.6mΩ @ 10V, 73A 125W N 채널 ~ -252-3 MOSFET RoHS BOM 서비스

US$0.1 / 상품

10 조각 (MOQ)

Shenzhen Hongjilong Technology Co., Ltd.

360° 가상 투어

지금 연락

인증: RoHS 준수,CE,ISO

모양: 성

차폐 유형: 원격 튜브를 차폐 오프 컷

캡슐화 구조: 칩 트랜지스터

자료: 게르마늄

꾸러미: Package

650V 12A N-채널 개선 모드 전력 MOSFET F12n65 ~ -220f

650V 12A N-채널 개선 모드 전력 MOSFET F12n65 ~ -220f

650V 12A N-채널 개선 모드 전력 MOSFET F12n65 ~ -220f

650V 12A N-채널 개선 모드 전력 MOSFET F12n65 ~ -220f

650V 12A N-채널 개선 모드 전력 MOSFET F12n65 ~ -220f

650V 12A N-채널 개선 모드 전력 MOSFET F12n65 ~ -220f

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650V 12A N-채널 개선 모드 전력 MOSFET F12n65 ~ -220f

US$0.01-1.5 / 상품

5,000 조각 (MOQ)

Jiangsu Donghai Semiconductor Co.,Ltd

360° 가상 투어

지금 연락

제조 기술: 개별 장치

유형: N 형 반도체

꾸러미: Tube

등록상표: WXDH

원산지: Wuxi, China

세관코드: 8541290000

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솔리드 스테이트 HF 용접기 MOSFET 구동 보드

US$500.00-1,500.00 / Pc

1 Pc (MOQ)

Baoding Brilliance Industrial Co., Ltd.

지금 연락

길을 냉각: 물 냉각

제어: 반자동

주파수 범위: 고주파

꾸러미: Wooden Case

명세서: #5 Driving card

등록상표: Brilliance Machinery

20V/6A 27mΩ CEM9926A N-채널 고급 전력 MOSFET

20V/6A 27mΩ CEM9926A N-채널 고급 전력 MOSFET

20V/6A 27mΩ CEM9926A N-채널 고급 전력 MOSFET

20V/6A 27mΩ CEM9926A N-채널 고급 전력 MOSFET

20V/6A 27mΩ CEM9926A N-채널 고급 전력 MOSFET

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20V/6A 27mΩ CEM9926A N-채널 고급 전력 MOSFET

US$0.12-0.14 / 상품

3,000 조각 (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

360° 가상 투어

지금 연락

인증: RoHS 준수,CE,ISO,CCC

모양: GT

차폐 유형: 원격 튜브를 차폐 오프 컷

냉각 방식: 자연적으로 냉각 튜브

기능: 하이 백 압력 트랜지스터,마이크로 웨이브 트랜지스터,스위치 트랜지스터

작동 주파수: 고주파

오리지널 트랜지스터 Bsc440n10ns3g Tdson-8(6X5) MOSFET, RoHS BOM 서비스

오리지널 트랜지스터 Bsc440n10ns3g Tdson-8(6X5) MOSFET, RoHS BOM 서비스

오리지널 트랜지스터 Bsc440n10ns3g Tdson-8(6X5) MOSFET, RoHS BOM 서비스

오리지널 트랜지스터 Bsc440n10ns3g Tdson-8(6X5) MOSFET, RoHS BOM 서비스

오리지널 트랜지스터 Bsc440n10ns3g Tdson-8(6X5) MOSFET, RoHS BOM 서비스

오리지널 트랜지스터 Bsc440n10ns3g Tdson-8(6X5) MOSFET, RoHS BOM 서비스

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오리지널 트랜지스터 Bsc440n10ns3g Tdson-8(6X5) MOSFET, RoHS BOM 서비스

US$0.1 / 상품

10 조각 (MOQ)

Shenzhen Hongjilong Technology Co., Ltd.

360° 가상 투어

지금 연락

인증: RoHS 준수,CE,ISO

모양: 성

차폐 유형: 원격 튜브를 차폐 오프 컷

캡슐화 구조: 칩 트랜지스터

자료: 게르마늄

꾸러미: Package

60V N-채널 전력 MOSFET 동기 정류 저입력에 최적화 정전 용량 - 263/페쳐 애플리케이션 Silicongear-DG60N02G

60V N-채널 전력 MOSFET 동기 정류 저입력에 최적화 정전 용량 - 263/페쳐 애플리케이션 Silicongear-DG60N02G

60V N-채널 전력 MOSFET 동기 정류 저입력에 최적화 정전 용량 - 263/페쳐 애플리케이션 Silicongear-DG60N02G

60V N-채널 전력 MOSFET 동기 정류 저입력에 최적화 정전 용량 - 263/페쳐 애플리케이션 Silicongear-DG60N02G

60V N-채널 전력 MOSFET 동기 정류 저입력에 최적화 정전 용량 - 263/페쳐 애플리케이션 Silicongear-DG60N02G

60V N-채널 전력 MOSFET 동기 정류 저입력에 최적화 정전 용량 - 263/페쳐 애플리케이션 Silicongear-DG60N02G

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60V N-채널 전력 MOSFET 동기 정류 저입력에 최적화 정전 용량 - 263/페쳐 애플리케이션 Silicongear-DG60N02G

US$0.16-1.00 / 상품

1 상품 (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

360° 가상 투어

지금 연락

인증: RoHS 준수,CE,ISO,CCC

기능: 마이크로 웨이브 트랜지스터,스위치 트랜지스터

작동 주파수: 저주파

구조: 평면

자료: 규소

꾸러미: Plastic Package

150V 45A Ncep1545AG nce N-Channel Super Trener Power MOSFET

150V 45A Ncep1545AG nce N-Channel Super Trener Power MOSFET

150V 45A Ncep1545AG nce N-Channel Super Trener Power MOSFET

150V 45A Ncep1545AG nce N-Channel Super Trener Power MOSFET

150V 45A Ncep1545AG nce N-Channel Super Trener Power MOSFET

150V 45A Ncep1545AG nce N-Channel Super Trener Power MOSFET

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150V 45A Ncep1545AG nce N-Channel Super Trener Power MOSFET

US$0.305-0.5 / 상품

5,000 조각 (MOQ)

SHENZHEN HEYLOO ELECTRONIC TECHNOLOGY CO., LTD

지금 연락

제조 기술: 개별 장치

자료: 요소 반도체

유형: N 형 반도체

꾸러미: Carton

신호 처리: 아날로그 디지털 컴포지트 및 기능

오리지널 트랜지스터 Iplk60r360pfd7 600V 13A 303mΩ @ 10V, 2.9A 74W N 채널 Tdson-8-EP(6X5) MOSFET 서비스

오리지널 트랜지스터 Iplk60r360pfd7 600V 13A 303mΩ @ 10V, 2.9A 74W N 채널 Tdson-8-EP(6X5) MOSFET 서비스

오리지널 트랜지스터 Iplk60r360pfd7 600V 13A 303mΩ @ 10V, 2.9A 74W N 채널 Tdson-8-EP(6X5) MOSFET 서비스

오리지널 트랜지스터 Iplk60r360pfd7 600V 13A 303mΩ @ 10V, 2.9A 74W N 채널 Tdson-8-EP(6X5) MOSFET 서비스

오리지널 트랜지스터 Iplk60r360pfd7 600V 13A 303mΩ @ 10V, 2.9A 74W N 채널 Tdson-8-EP(6X5) MOSFET 서비스

오리지널 트랜지스터 Iplk60r360pfd7 600V 13A 303mΩ @ 10V, 2.9A 74W N 채널 Tdson-8-EP(6X5) MOSFET 서비스

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오리지널 트랜지스터 Iplk60r360pfd7 600V 13A 303mΩ @ 10V, 2.9A 74W N 채널 Tdson-8-EP(6X5) MOSFET 서비스

US$0.1 / 상품

10 조각 (MOQ)

Shenzhen Hongjilong Technology Co., Ltd.

360° 가상 투어

지금 연락

인증: RoHS 준수,CE,ISO

모양: 성

차폐 유형: 원격 튜브를 차폐 오프 컷

캡슐화 구조: 칩 트랜지스터

자료: 게르마늄

꾸러미: Package

60V N-채널 전력 MOSFET 낮은 입력 정전 용량 낮은 밀러 충전 저저항 페쳐 적용 실리코이어-SGN6090V

60V N-채널 전력 MOSFET 낮은 입력 정전 용량 낮은 밀러 충전 저저항 페쳐 적용 실리코이어-SGN6090V

60V N-채널 전력 MOSFET 낮은 입력 정전 용량 낮은 밀러 충전 저저항 페쳐 적용 실리코이어-SGN6090V

60V N-채널 전력 MOSFET 낮은 입력 정전 용량 낮은 밀러 충전 저저항 페쳐 적용 실리코이어-SGN6090V

60V N-채널 전력 MOSFET 낮은 입력 정전 용량 낮은 밀러 충전 저저항 페쳐 적용 실리코이어-SGN6090V

60V N-채널 전력 MOSFET 낮은 입력 정전 용량 낮은 밀러 충전 저저항 페쳐 적용 실리코이어-SGN6090V

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60V N-채널 전력 MOSFET 낮은 입력 정전 용량 낮은 밀러 충전 저저항 페쳐 적용 실리코이어-SGN6090V

US$0.15-1.00 / 상품

1 상품 (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

360° 가상 투어

지금 연락

인증: RoHS 준수,CE,ISO,CCC

기능: 스위치 트랜지스터

작동 주파수: 저주파

구조: 평면

자료: 규소

꾸러미: Plastic Package

7A 650V SVF7N65T/F/K/S 힘 분리된 장치 MOSFET

7A 650V SVF7N65T/F/K/S 힘 분리된 장치 MOSFET

7A 650V SVF7N65T/F/K/S 힘 분리된 장치 MOSFET

7A 650V SVF7N65T/F/K/S 힘 분리된 장치 MOSFET

7A 650V SVF7N65T/F/K/S 힘 분리된 장치 MOSFET

7A 650V SVF7N65T/F/K/S 힘 분리된 장치 MOSFET

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7A 650V SVF7N65T/F/K/S 힘 분리된 장치 MOSFET

US$0.03-0.15 / 상품

2,000 조각 (MOQ)

CTC Technology Co., Ltd.

지금 연락

모양: 담그다

도전 형: 유니 폴라 집적 회로

공예: 박막 IC

꾸러미: Carton

명세서: AC 85-265V

등록상표: Silan

Yfw3p06li Sot23-6 MOSFET

Yfw3p06li Sot23-6 MOSFET

Yfw3p06li Sot23-6 MOSFET

Yfw3p06li Sot23-6 MOSFET

Yfw3p06li Sot23-6 MOSFET

Yfw3p06li Sot23-6 MOSFET

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Yfw3p06li Sot23-6 MOSFET

US$0.005-0.04 / 상품

1,250 조각 (MOQ)

Guangdong Youfeng Microelectronics Co., Ltd.

360° 가상 투어

지금 연락

제조 기술: 광전자 반도체

자료: 화합물 반도체

꾸러미: 5K/Reel/Tap, Inner Box, Master

신호 처리: 아날로그 디지털 컴포지트 및 기능

명세서: 355*355*235mm

오리지널 트랜지스터 Irf7853trpbf 100V 8.3A 18mΩ @ 10V, 8.3A 2.5W N 채널 SOIC - 8 MOSFET RoHS BOM 서비스

오리지널 트랜지스터 Irf7853trpbf 100V 8.3A 18mΩ @ 10V, 8.3A 2.5W N 채널 SOIC - 8 MOSFET RoHS BOM 서비스

오리지널 트랜지스터 Irf7853trpbf 100V 8.3A 18mΩ @ 10V, 8.3A 2.5W N 채널 SOIC - 8 MOSFET RoHS BOM 서비스

오리지널 트랜지스터 Irf7853trpbf 100V 8.3A 18mΩ @ 10V, 8.3A 2.5W N 채널 SOIC - 8 MOSFET RoHS BOM 서비스

오리지널 트랜지스터 Irf7853trpbf 100V 8.3A 18mΩ @ 10V, 8.3A 2.5W N 채널 SOIC - 8 MOSFET RoHS BOM 서비스

오리지널 트랜지스터 Irf7853trpbf 100V 8.3A 18mΩ @ 10V, 8.3A 2.5W N 채널 SOIC - 8 MOSFET RoHS BOM 서비스

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오리지널 트랜지스터 Irf7853trpbf 100V 8.3A 18mΩ @ 10V, 8.3A 2.5W N 채널 SOIC - 8 MOSFET RoHS BOM 서비스

US$0.1 / 상품

10 조각 (MOQ)

Shenzhen Hongjilong Technology Co., Ltd.

360° 가상 투어

지금 연락

인증: RoHS 준수,CE,ISO

모양: 성

차폐 유형: 원격 튜브를 차폐 오프 컷

캡슐화 구조: 칩 트랜지스터

자료: 게르마늄

꾸러미: Package

공기 Conditionor IGBT 문 드라이브 힘 MOS Fet 문 드라이브를 위한 Tlp250 (f) 트랜지스터 변환장치

공기 Conditionor IGBT 문 드라이브 힘 MOS Fet 문 드라이브를 위한 Tlp250 (f) 트랜지스터 변환장치

공기 Conditionor IGBT 문 드라이브 힘 MOS Fet 문 드라이브를 위한 Tlp250 (f) 트랜지스터 변환장치

공기 Conditionor IGBT 문 드라이브 힘 MOS Fet 문 드라이브를 위한 Tlp250 (f) 트랜지스터 변환장치

공기 Conditionor IGBT 문 드라이브 힘 MOS Fet 문 드라이브를 위한 Tlp250 (f) 트랜지스터 변환장치

공기 Conditionor IGBT 문 드라이브 힘 MOS Fet 문 드라이브를 위한 Tlp250 (f) 트랜지스터 변환장치

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공기 Conditionor IGBT 문 드라이브 힘 MOS Fet 문 드라이브를 위한 Tlp250 (f) 트랜지스터 변환장치

US$1.84 / 상품

200 조각 (MOQ)

Shenzhen Jin Da Peng Technology Co., Ltd.

360° 가상 투어

지금 연락

모양: 담그다

도전 형: 유니 폴라 집적 회로

공예: 후막 IC

꾸러미: Standard

명세서: Plastic and copper

등록상표: Toshiba

HCA60R099F ~ 247 600V N-채널 슈퍼 정션 MOSFET

HCA60R099F ~ 247 600V N-채널 슈퍼 정션 MOSFET

HCA60R099F ~ 247 600V N-채널 슈퍼 정션 MOSFET

HCA60R099F ~ 247 600V N-채널 슈퍼 정션 MOSFET

HCA60R099F ~ 247 600V N-채널 슈퍼 정션 MOSFET

HCA60R099F ~ 247 600V N-채널 슈퍼 정션 MOSFET

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HCA60R099F ~ 247 600V N-채널 슈퍼 정션 MOSFET

US$0.9 / 상품

1,000 조각 (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

360° 가상 투어

지금 연락

인증: RoHS 준수,CE,ISO,CCC

광도: 표준

자료: 규소

꾸러미: Plastic Package

등록상표: Merry

원산지: Guangdong, China

Jixing Bss138 50V0.22A SOT-23 플라스틱 - MOSFET를 캡슐화합니다

Jixing Bss138 50V0.22A SOT-23 플라스틱 - MOSFET를 캡슐화합니다

Jixing Bss138 50V0.22A SOT-23 플라스틱 - MOSFET를 캡슐화합니다

Jixing Bss138 50V0.22A SOT-23 플라스틱 - MOSFET를 캡슐화합니다

Jixing Bss138 50V0.22A SOT-23 플라스틱 - MOSFET를 캡슐화합니다

Jixing Bss138 50V0.22A SOT-23 플라스틱 - MOSFET를 캡슐화합니다

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Jixing Bss138 50V0.22A SOT-23 플라스틱 - MOSFET를 캡슐화합니다

US$0.017-0.0289 / 상품

3,000 조각 (MOQ)

Guangdong Juxing Electronics Technology Co., Ltd

360° 가상 투어

지금 연락

인증: RoHS 준수,CE,ISO,CCC

캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터

설치: 플러그인 Triode 중

작동 주파수: 저주파

전원 수준: 중간 전원

기능: 전원 단자,스위칭 단자

9A 900V N-채널 개선 모드 전력 MOSFET 9n90b ~ -247

9A 900V N-채널 개선 모드 전력 MOSFET 9n90b ~ -247

9A 900V N-채널 개선 모드 전력 MOSFET 9n90b ~ -247

9A 900V N-채널 개선 모드 전력 MOSFET 9n90b ~ -247

9A 900V N-채널 개선 모드 전력 MOSFET 9n90b ~ -247

9A 900V N-채널 개선 모드 전력 MOSFET 9n90b ~ -247

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9A 900V N-채널 개선 모드 전력 MOSFET 9n90b ~ -247

US$0.01-1.5 / 상품

5,000 조각 (MOQ)

Jiangsu Donghai Semiconductor Co.,Ltd

360° 가상 투어

지금 연락

제조 기술: 개별 장치

유형: N 형 반도체

꾸러미: Tape & Reel

등록상표: WXDH

원산지: Wuxi, China

세관코드: 8541290000

오리지널 트랜지스터 Bsc0901ns 30V 28A 1.9mΩ @ 10V, 30A 2.5W N 채널 Tdson-8 (6X5) MOSFET. RoHS BOM 서비스

오리지널 트랜지스터 Bsc0901ns 30V 28A 1.9mΩ @ 10V, 30A 2.5W N 채널 Tdson-8 (6X5) MOSFET. RoHS BOM 서비스

오리지널 트랜지스터 Bsc0901ns 30V 28A 1.9mΩ @ 10V, 30A 2.5W N 채널 Tdson-8 (6X5) MOSFET. RoHS BOM 서비스

오리지널 트랜지스터 Bsc0901ns 30V 28A 1.9mΩ @ 10V, 30A 2.5W N 채널 Tdson-8 (6X5) MOSFET. RoHS BOM 서비스

오리지널 트랜지스터 Bsc0901ns 30V 28A 1.9mΩ @ 10V, 30A 2.5W N 채널 Tdson-8 (6X5) MOSFET. RoHS BOM 서비스

오리지널 트랜지스터 Bsc0901ns 30V 28A 1.9mΩ @ 10V, 30A 2.5W N 채널 Tdson-8 (6X5) MOSFET. RoHS BOM 서비스

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오리지널 트랜지스터 Bsc0901ns 30V 28A 1.9mΩ @ 10V, 30A 2.5W N 채널 Tdson-8 (6X5) MOSFET. RoHS BOM 서비스

US$0.1 / 상품

10 조각 (MOQ)

Shenzhen Hongjilong Technology Co., Ltd.

360° 가상 투어

지금 연락

인증: RoHS 준수,CE,ISO

모양: 성

차폐 유형: 원격 튜브를 차폐 오프 컷

캡슐화 구조: 칩 트랜지스터

자료: 게르마늄

꾸러미: Package

D420N100S7P N-채널 개선 모드 전력 MOSFET IXFN420N10T(SOT-227 패키지 포함

D420N100S7P N-채널 개선 모드 전력 MOSFET IXFN420N10T(SOT-227 패키지 포함

D420N100S7P N-채널 개선 모드 전력 MOSFET IXFN420N10T(SOT-227 패키지 포함

D420N100S7P N-채널 개선 모드 전력 MOSFET IXFN420N10T(SOT-227 패키지 포함

D420N100S7P N-채널 개선 모드 전력 MOSFET IXFN420N10T(SOT-227 패키지 포함

D420N100S7P N-채널 개선 모드 전력 MOSFET IXFN420N10T(SOT-227 패키지 포함

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D420N100S7P N-채널 개선 모드 전력 MOSFET IXFN420N10T(SOT-227 패키지 포함

US$3.00 / 상품

50 조각 (MOQ)

Jinan Jingheng Electronics Co., Ltd.

360° 가상 투어

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캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터

신청: 전자 제품

인증: RoHS 준수

구조: 평면

자료: 규소

꾸러미: Carton

Ipg20n04s409atma1 독립형 반도체 제품 트랜지스터 - FET, MOSFET - 어레이 40V 20A(TC) 54W(TC) 표면 장착 PG-Tdson-8

Ipg20n04s409atma1 독립형 반도체 제품 트랜지스터 - FET, MOSFET - 어레이 40V 20A(TC) 54W(TC) 표면 장착 PG-Tdson-8

Ipg20n04s409atma1 독립형 반도체 제품 트랜지스터 - FET, MOSFET - 어레이 40V 20A(TC) 54W(TC) 표면 장착 PG-Tdson-8

Ipg20n04s409atma1 독립형 반도체 제품 트랜지스터 - FET, MOSFET - 어레이 40V 20A(TC) 54W(TC) 표면 장착 PG-Tdson-8

Ipg20n04s409atma1 독립형 반도체 제품 트랜지스터 - FET, MOSFET - 어레이 40V 20A(TC) 54W(TC) 표면 장착 PG-Tdson-8

Ipg20n04s409atma1 독립형 반도체 제품 트랜지스터 - FET, MOSFET - 어레이 40V 20A(TC) 54W(TC) 표면 장착 PG-Tdson-8

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Ipg20n04s409atma1 독립형 반도체 제품 트랜지스터 - FET, MOSFET - 어레이 40V 20A(TC) 54W(TC) 표면 장착 PG-Tdson-8

US$0.1 / 상품

10 조각 (MOQ)

ShenZhen Nova Semiconductor Co., Ltd.

360° 가상 투어

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꾸러미: N/a

명세서: DIP/SMD

등록상표: N/A

원산지: Original

수율: 5000

Nce6003 nce N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Nce6003 nce N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Nce6003 nce N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Nce6003 nce N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Nce6003 nce N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Nce6003 nce N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

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Nce6003 nce N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

US$0.026-0.03 / 상품

5,000 조각 (MOQ)

SHENZHEN HEYLOO ELECTRONIC TECHNOLOGY CO., LTD

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제조 기술: 개별 장치

자료: 요소 반도체

유형: P 형 반도체

꾸러미: Cardboard Box

신호 처리: 아날로그 디지털 컴포지트 및 기능

실리콘 카바이드 전력 MOSFET(N-채널 개선) 263-7L Fetures Applications YJD206550B7GHQ로 가는 높은 차단 전압

실리콘 카바이드 전력 MOSFET(N-채널 개선) 263-7L Fetures Applications YJD206550B7GHQ로 가는 높은 차단 전압

실리콘 카바이드 전력 MOSFET(N-채널 개선) 263-7L Fetures Applications YJD206550B7GHQ로 가는 높은 차단 전압

실리콘 카바이드 전력 MOSFET(N-채널 개선) 263-7L Fetures Applications YJD206550B7GHQ로 가는 높은 차단 전압

실리콘 카바이드 전력 MOSFET(N-채널 개선) 263-7L Fetures Applications YJD206550B7GHQ로 가는 높은 차단 전압

실리콘 카바이드 전력 MOSFET(N-채널 개선) 263-7L Fetures Applications YJD206550B7GHQ로 가는 높은 차단 전압

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실리콘 카바이드 전력 MOSFET(N-채널 개선) 263-7L Fetures Applications YJD206550B7GHQ로 가는 높은 차단 전압

US$0.83 / 상품

1,000 조각 (MOQ)

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

360° 가상 투어

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인증: RoHS 준수

기능: 스위치 트랜지스터

자료: 규소

꾸러미: Plastic Package

명세서: Customized

등록상표: YJ

SSOT-23을 사용한 유도 3.8A 20V Si2300 N-채널 개선 모드 MOSFET

SSOT-23을 사용한 유도 3.8A 20V Si2300 N-채널 개선 모드 MOSFET

SSOT-23을 사용한 유도 3.8A 20V Si2300 N-채널 개선 모드 MOSFET

SSOT-23을 사용한 유도 3.8A 20V Si2300 N-채널 개선 모드 MOSFET

SSOT-23을 사용한 유도 3.8A 20V Si2300 N-채널 개선 모드 MOSFET

SSOT-23을 사용한 유도 3.8A 20V Si2300 N-채널 개선 모드 MOSFET

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SSOT-23을 사용한 유도 3.8A 20V Si2300 N-채널 개선 모드 MOSFET

US$0.0055-0.0156 / 상품

3,000 조각 (MOQ)

Guangdong Juxing Electronics Technology Co., Ltd

360° 가상 투어

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인증: RoHS 준수,CE,ISO,CCC

캡슐화 구조: 플라스틱 밀폐 트랜지스터

설치: 플러그인 Triode 중

작동 주파수: 저주파

전원 수준: 중간 전원

기능: 전원 단자,스위칭 단자

Infineon Ipw65r080cfda Bsp75n Sak-Tc234L-32f200f Irf100b201의 원래 전자 구성품 MOSFET

Infineon Ipw65r080cfda Bsp75n Sak-Tc234L-32f200f Irf100b201의 원래 전자 구성품 MOSFET

Infineon Ipw65r080cfda Bsp75n Sak-Tc234L-32f200f Irf100b201의 원래 전자 구성품 MOSFET

Infineon Ipw65r080cfda Bsp75n Sak-Tc234L-32f200f Irf100b201의 원래 전자 구성품 MOSFET

Infineon Ipw65r080cfda Bsp75n Sak-Tc234L-32f200f Irf100b201의 원래 전자 구성품 MOSFET

Infineon Ipw65r080cfda Bsp75n Sak-Tc234L-32f200f Irf100b201의 원래 전자 구성품 MOSFET

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Infineon Ipw65r080cfda Bsp75n Sak-Tc234L-32f200f Irf100b201의 원래 전자 구성품 MOSFET

US$0.2-0.4 / 상품

1,000 조각 (MOQ)

Emi International (Hk) Co. Ltd

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모양: 플랫

공예: 반도체 IC

꾸러미: Reel/Tape

명세서: Original

등록상표: Original

원산지: Original

오리지널 트랜지스터 Bsc010n04ls 40V 38A 1mΩ @ 10V, 50A 2.5W N 채널 Tdson-8-FL (6X5) MOSFET, RoHS BOM 서비스

오리지널 트랜지스터 Bsc010n04ls 40V 38A 1mΩ @ 10V, 50A 2.5W N 채널 Tdson-8-FL (6X5) MOSFET, RoHS BOM 서비스

오리지널 트랜지스터 Bsc010n04ls 40V 38A 1mΩ @ 10V, 50A 2.5W N 채널 Tdson-8-FL (6X5) MOSFET, RoHS BOM 서비스

오리지널 트랜지스터 Bsc010n04ls 40V 38A 1mΩ @ 10V, 50A 2.5W N 채널 Tdson-8-FL (6X5) MOSFET, RoHS BOM 서비스

오리지널 트랜지스터 Bsc010n04ls 40V 38A 1mΩ @ 10V, 50A 2.5W N 채널 Tdson-8-FL (6X5) MOSFET, RoHS BOM 서비스

오리지널 트랜지스터 Bsc010n04ls 40V 38A 1mΩ @ 10V, 50A 2.5W N 채널 Tdson-8-FL (6X5) MOSFET, RoHS BOM 서비스

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오리지널 트랜지스터 Bsc010n04ls 40V 38A 1mΩ @ 10V, 50A 2.5W N 채널 Tdson-8-FL (6X5) MOSFET, RoHS BOM 서비스

US$0.1 / 상품

10 조각 (MOQ)

Shenzhen Hongjilong Technology Co., Ltd.

360° 가상 투어

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인증: RoHS 준수,CE,ISO

모양: 성

차폐 유형: 원격 튜브를 차폐 오프 컷

캡슐화 구조: 칩 트랜지스터

자료: 게르마늄

꾸러미: Package

Irfp90n20dpbf 독립형 반도체 제품 트랜지스터 - FET, MOSFET - 단일 - -247-3

Irfp90n20dpbf 독립형 반도체 제품 트랜지스터 - FET, MOSFET - 단일 - -247-3

Irfp90n20dpbf 독립형 반도체 제품 트랜지스터 - FET, MOSFET - 단일 - -247-3

Irfp90n20dpbf 독립형 반도체 제품 트랜지스터 - FET, MOSFET - 단일 - -247-3

Irfp90n20dpbf 독립형 반도체 제품 트랜지스터 - FET, MOSFET - 단일 - -247-3

Irfp90n20dpbf 독립형 반도체 제품 트랜지스터 - FET, MOSFET - 단일 - -247-3

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Irfp90n20dpbf 독립형 반도체 제품 트랜지스터 - FET, MOSFET - 단일 - -247-3

US$0.1 / 상품

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명세서: DIP/SMD

등록상표: N/A

원산지: Original

수율: 5000

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