• 7A 1700V N-Channel SIC 전력 MOSFET Dhc1m650170d ~ -3p
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7A 1700V N-Channel SIC 전력 MOSFET Dhc1m650170d ~ -3p

Manufacturing Technology: Discrete Device
Material: Sic
Type: N-type Semiconductor
Package: to-3p
Application: Solar Inverters
Model: Dhc1m650170d

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기본 정보

모델 번호.
DHC1M650170D
Batch Number
2022
Brand
Wxdh
전압
1700V
현재
7A
운송 패키지
Tube
등록상표
WXDH
원산지
Wuxi, China
세관코드
8541100000
생산 능력
500000000 Pieces/Year

제품 설명

7A 1700V N-Channel Sic Power Mosfet Dhc1m650170d to-3p7A 1700V N-Channel Sic Power Mosfet Dhc1m650170d to-3p7A 1700V N-Channel Sic Power Mosfet Dhc1m650170d to-3p7A 1700V N-Channel Sic Power Mosfet Dhc1m650170d to-3p
7.0A 1700V N-채널 SIC 전력 MOSFET
1 설명
이 제품군은 최첨단 성능을 제공합니다. 있습니다
고주파를 사용하는 응용 분야에 맞게 설계되었습니다
효율성과 높은 신뢰성이 필요합니다. 자격을 갖추고 있습니다
생산 6인치 SiC 라인 인
동해반도성 소유 중국.
 7A 1700V N-Channel Sic Power Mosfet Dhc1m650170d to-3p
피처
낮은 저항의 높은 차단 전압
낮은 용량의 고속 스위칭
쉽게 병렬적이고 운전이 간편합니다
응용 프로그램
전원 공급 장치
고전압 DC/DC 컨버터
모터 드라이브
스위치 모드 전원 공급 장치
펄스 전력 적용
 
파라미터 기호 가치 단위
     
동전압 대 소스 전압 VDSS 1700 V
게이트-소스 전압 최대 VGSS 10월 25일 V
게이트-소스 전압 최대 VGSS -5월 20일 V
지속적인 배출 전류 ID TC = 25ºC 7.0 A
TC = 100ºC 4.5 A
펄스 배출 전류 IDM 9.0 A
전력 소비 TJ = 150ºC Ptot 62 W
TC = 25ºC Ptot W
정션 온도 범위 TJ 55~150명 ºC
보관 온도 범위 Tstg 55~150명 ºC
 
4.2 열 특성
파라미터 기호 등급 유니테리언
열 저항, 교차점에서 케이스 싱크까지 RthJC 1.8 ºC/W
열 저항, 교차점에서 주변으로 RthJA 40 ºC/W

제품 사양 및 포장 모델
제품 모델 패키지 유형 표시 이름 RoHS 패키지 수량
DHC1M650170D 3P로 DHC1M650170D PB 무료 튜브 300/상자
DHC1M650170B ~ 247 DHC1M650170B PB 무료 튜브 300/상자
 7A 1700V N-Channel Sic Power Mosfet Dhc1m650170d to-3p

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직원 수
156
설립 연도
2004-12-07