75A 650V 34mm 하프 브리지 IGBT 모듈

• Manufacturing Technology: Trench and Fieldstop Technology Design
• Material: Compound Semiconductor
• Type: N-type Semiconductor
• Package: 34mm
• Application: Welding, UPS
• Model: Dga75h65m2t
• 모델 번호.: DGA75H65M2T
• Batch Number: 2023
• Brand: Wxdh
• 전압: 650V
• 현재: 75A
• 운송 패키지: Box
• 등록상표: WXDH
• 원산지: Wuxi, China
• 세관코드: 8541290000
• 생산 능력: 500000000 Pieces/Year

제품 설명

1 설명
이 절연 게이트 양극 트랜지스터는 고급 도랑 및 필드 스톱 기술 설계를 사용하여 뛰어난 VCESat 및 스위칭을 제공합니다
속도, 낮은 게이트 충전 RoHS 표준에 부합합니다.

 

파라미터		기호	등급		단위
수집기 - 이미터 전압		VCES	650		V
게이트 - 이미터 전압		VGES	±30		V
DC 수집기 전류		IC(T = 25ºC)	150		A
DC 수집기 전류		(TC = 100ºC)	75		A
펄스 수집기 전류		ICM	300		A
최대 전력 소산	TC = 25ºC	PD	500		W
케이스로의 열 저항 접합 보관 온도		TJ	150		ºC
		Tstg	55~150명		ºC

 

피처

FS 트렌치 기술, 양의 온도 계수

낮은 포화 전압: VCE_(Sat), 일반 = 1.9V
@IC = 40A 및 VGE = 15V

눈사태 능력이 매우 향상되었습니다

응용 프로그램

용접

3리브 인버터

UPS

AC 및 DC 서보 드라이브 증폭기