• 50A 1200V Trenchstop 절연 게이트 양극 트랜지스터 G50n120d ~ 264 IGBT
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50A 1200V Trenchstop 절연 게이트 양극 트랜지스터 G50n120d ~ 264 IGBT

Manufacturing Technology: Discrete Device
Material: Silicon
Type: N-type Semiconductor
Package: to-264
Application: Welding Machine, UPS
Model: G50n120d

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기본 정보

모델 번호.
G50N120D
Batch Number
2022
Brand
Wxdh
전압
1200V
현재
50A
운송 패키지
Tube
등록상표
WXDH
원산지
Wuxi, China
세관코드
8541290000
생산 능력
500000000 Pieces/Year

제품 설명

50A 1200V Trenchstop Insulated Gate Bipolar Transistor G50n120d to-264 IGBT50A 1200V Trenchstop Insulated Gate Bipolar Transistor G50n120d to-264 IGBT50A 1200V Trenchstop Insulated Gate Bipolar Transistor G50n120d to-264 IGBT50A 1200V Trenchstop Insulated Gate Bipolar Transistor G50n120d to-264 IGBT
파라미터 기호 등급 단위
 
수집기 - 이미터 전압 VCES 1200 V
게이트 - 이미터 전압 VGES ±20 V
수집기 전류 IC(T = 25ºC) 100 A
수집기 전류   (TC = 100ºC) 50 A
펄스 수집기 전류 ICM 200 A
다이오드 연속 전진 전류  @TC = 100°C인 경우 25 A
다이오드 최대 순전류 IFM 100 A
총 소산 TC = 25ºC Ptot 460 W
TC = 100ºC Ptot 230 W
정션 온도 TJ 55~150명 ºC
보관 온도 Tstg 55~150명 ºC
 
피처
Vcesat 부족
낮은 게이트 충전
뛰어난 전환 속도
양성으로 인해 병렬 기능이 쉽습니다
Vcesat의 온도 계수
TSC ≥ 10μs
빠른 복구 완전 전류 항병렬 다이오드
응용 프로그램
용접
UPS
 
제품 사양 및 포장 모델
제품 모델 패키지 유형 표시 이름 RoHS 패키지 수량
G50N120D 264로 G50N120D PB 무료 튜브 300/상자
 50A 1200V Trenchstop Insulated Gate Bipolar Transistor G50n120d to-264 IGBT

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직원 수
156
설립 연도
2004-12-07