Manufacturing Technology: | Discrete Device |
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Material: | Metal-Oxide Semiconductor |
Type: | N-type Semiconductor |
Package: | to-220f |
Application: | Power Switch Circuit |
Model: | F4n80 |
비즈니스 라이센스가 검증 된 공급 업체
파라미터 | 기호 | 가치 | 단위 | ||
4N80/I4N80/E4N80 | F4N80 | ||||
드리안 - 소스 전압 | VDSS | 800 | V | ||
게이트-소스 전압 | VGSS | ±30 | V | ||
배출 전류(연속) | ID(T = 25ºC) | 4 | A | ||
(T = 100ºC) | 2.5 | A | |||
배출 전류(펄스) | IDM | 16 | A | ||
단일 Pulse Avalanche Energy | EAS | 460 | MJ | ||
피크 다이오드 회수 dv/dt | dV/dt | 5 | V/ns | ||
총 소산 | TA = 25ºC | Ptot | 2 | 2 | W |
TC = 25ºC | Ptot | 75 | 30 | W | |
정션 온도 | TJ | 55~150명 | ºC | ||
보관 온도 | Tstg | 55~150명 | ºC |
피처 |
빠른 전환 |
ESD 기능 향상 |
저항이 낮습니다 |
낮은 게이트 충전 |
낮은 역전사 커패시터 |
100% 단일 Pulse Avalanche Energy Test |
100% ΔVDS 테스트 |
응용 프로그램 |
LED 전원 스위치 회로 |
전자식 밸러스트 |
전자식 변압기 |
스위치 모드 전원 공급 장치 |
제품 사양 및 포장 모델 | |||||
제품 모델 | 패키지 유형 | 표시 이름 | RoHS | 패키지 | 수량 |
4N80 | ~ -220C | 4N80 | PB 무료 | 튜브 | 1000/상자 |
F4N80 | ~ -220F | F4N80 | PB 무료 | 튜브 | 1000/상자 |
I4N80 | 262로 | I4N80 | PB 무료 | 튜브 | 1000/상자 |
E4N80 | 263으로 | E4N80 | PB 무료 | 테이프 및 릴 | 800/상자 |
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