Manufacturing Technology: | Discrete Device |
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Material: | Metal-Oxide Semiconductor |
Type: | N-type Semiconductor |
Package: | to-252 |
Application: | Power Switching,Converters, Full Bridge Control |
Model: | Dhs180n10ld |
비즈니스 라이센스가 검증 된 공급 업체
파라미터 | 기호 | 가치 | 단위 | ||
동전압 대 소스 전압 | VDSS | 100 | V | ||
게이트-소스 전압 | VGSS | ±20 | V | ||
배출 전류(연속) | ID(T = 25ºC) | 47 | A | ||
(T = 100ºC) | 31 | A | |||
배출 전류(펄스) | IDM | 200 | A | ||
단일 Pulse Avalanche Energy | EAS | 150 | MJ | ||
총 소산 | TA = 25ºC | Ptot | 1.15 | 1.15 | W |
TC = 25ºC | Ptot | 115 | 115 | W | |
정션 온도 | TJ | 55~175개 | ºC | ||
보관 온도 | Tstg | 55~175개 | ºC |
피처 |
빠른 전환 |
저항이 낮습니다 |
낮은 게이트 충전 |
낮은 역전사 커패시터 |
100% 단일 Pulse Avalanche Energy Test |
100% ΔVDS 테스트 |
응용 프로그램 |
전원 스위칭 응용 프로그램 |
DC-DC 컨버터 |
완전 브리지 제어 |
제품 사양 및 포장 모델 | |||||
제품 모델 | 패키지 유형 | 표시 이름 | RoHS | 패키지 | 수량 |
DHS180N10LB | 251B로 | DHS180N10LB | PB - 요금 | 튜브 | 3000/상자 |
DHS180N10LD | 252B로 | DHS180N10LD | PB - 요금 | 테이프 및 릴 | 2500/상자 |
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