Manufacturing Technology: | Discrete Device |
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Material: | Silicon |
Type: | N-type Semiconductor |
Package: | to-252 |
Application: | Switching Power Supply |
Model: | Mur1620CT |
비즈니스 라이센스가 검증 된 공급 업체
피처 |
낮은 전력 손실, |
고효율, 낮은 전진 전압, |
고전류 용량 높은 서지 용량 |
매우 빠른 복구 시간 |
고전압 |
응용 프로그램 |
전원 공급 장치 전환 |
전원 스위칭 회로 |
범용 |
파라미터 | 기호 | 가치 | 단위 | ||
피크 반복 역방향 전압 | VRRM | 200 | V | ||
최고 역방향 전압 작동 중 | VRWM | 200 | V | ||
DC 차단 전압 | VR | 200 | V | ||
평균 정류 전류(단일) | IF(AV) | 8 | A | ||
평균 정류 전류 (2배) | IF(AV) | 16 | A | ||
반복 피크 서지 전류 | IFRM | 20 | A | ||
반복되지 않는 피크 서지 전류 | T = 8.3ms | IFSM | 80 | A | |
눈사태 에너지(단일) | L = 1mH | EAS | 20 | MJ | |
정션 온도 | TJ | 55~150명 | ºC | ||
보관 온도 | Tstg | 55~150명 | ºC |
제품 사양 및 포장 모델 | |||||
제품 모델 | 패키지 유형 | 표시 이름 | RoHS | 패키지 | 수량 |
MUR1620CT | 220으로 | MUR1620 | PB 무료 | 튜브 | 1000/상자 |
MUR1620CT | 에서 - 252로 | MUR1620 | PB 무료 | 테이프 및 릴 | 2500/상자 |
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