Manufacturing Technology: | Discrete Device |
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Material: | Metal-Oxide Semiconductor |
Type: | N-type Semiconductor |
Package: | to-220c |
Application: | Power Switching Circuit |
Model: | 13n50 |
비즈니스 라이센스가 검증 된 공급 업체
파라미터 | 기호 | 가치 | 단위 | ||
13N50/I13N50/E13N50 | F13N50 | ||||
최대 구동 - 소스 DC 전압 | VDS | 500 | V | ||
최대 게이트 - 배출 전압 | VG | ±30 | V | ||
배출 전류(연속) | ID(T = 25ºC) | 13 | A | ||
(T = 100ºC) | 8.2 | A | |||
배출 전류(펄스) | IDM | 52 | A | ||
단일 Pulse Avalanche Energy | EAS | 845 | MJ | ||
피크 다이오드 회수 dv/dt | dV/dt | 5 | V/ns | ||
총 소산 | TA = 25ºC | Ptot | 2 | 2 | W |
TC = 25ºC | Ptot | 170 | 56 | W | |
정션 온도 | TJ |
55~150명
|
ºC | ||
보관 온도 | Tstg | 55~150명 | ºC |
피처 |
빠른 전환 |
ESD 기능 향상
|
저저항 (넛슨 ≤ 0.55Ω) |
낮은 게이트 충전(일반: 44nC) |
낮은 역전달 커패시터(일반: 9pF) |
100% 단일 Pulse Avalanche Energy Test |
100% ΔVDS 테스트 |
응용 프로그램 |
시스템 소형화 및 높은 효율을 위해 다양한 전원 스위칭 회로에 사용됩니다. |
전자 밸러스트 및 어댑터의 전원 스위치 회로
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제품 사양 및 포장 모델 | |||||
제품 모델 | 패키지 유형 | 표시 이름 | RoHS | 패키지 | 수량 |
13N50 | ~ -220C | 13N50 | PB 무료 | 튜브 | 1000/상자 |
F13N50 | ~ -220F | F13N50 | PB 무료 | 튜브 | 1000/상자 |
I13N50 | 262로 | I13N50 | PB 무료 | 튜브 | 1000/상자 |
E13N50 | 263으로 | E13N50 | PB 무료 | 테이프 및 릴 | 800/상자 |
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