비즈니스 라이센스가 검증 된 공급 업체
감사를 받은 공급업체 | 제품 특성 | 특성 값 | 속성을 선택합니다 |
|---|---|---|
| 제조업체: | 반반반입니다 | |
| 제품 범주: | MOSFET | |
| RoHS: | 세부 정보 | |
| REACH - SVHC: | 세부 정보 | |
| 기술: | 시 | |
| 마운팅 스타일: | 관통 구멍 | |
| 패키지/케이스: | to-3PN-3 | |
| 트랜지스터 극성: | P-채널 | |
| 채널 수: | 1채널 | |
| VDS-DRAIN-소스 고장 전압: | 150V | |
| ID - 연속 배출 전류: | 36A | |
| RDS 방전 전원 저항: | 90mΩ | |
| VG-Gate - 소스 전압: | 30 V, + 30 V | |
| VG TH-Gate - 소스 임계값 전압: | 4V | |
| QG - 게이트 요금: | 105NC | |
| 최소 작동 온도: | 55 C | |
| 최대 작동 온도: | 175 C | |
| PD - 전력 소산: | 294W | |
| 채널 모드: | 개선 | |
| 이름: | QFET | |
| 시리즈: | FQA36P15 | |
| 포장: | 튜브 | |
| 브랜드: | 온세미/페어차일드 | |
| 구성: | 싱글 | |
| 하강 시간: | 150ns | |
| 전방향 전도율 - 최소: | 19.5S | |
| 높이: | 20.1mm | |
| 길이: | 16.2mm | |
| 제품 유형: | MOSFET | |
| 상승 시간: | 350ns | |
| 팩토리 팩 수량: | 30 | |
| 하위 카테고리: | MOSFET | |
| 트랜지스터 유형: | P-채널 1개 | |
| 유형: | MOSFET | |
| 일반적인 끄기 지연 시간: | 155ns | |
| 일반적인 켜기 지연 시간: | 50ns | |
| 폭: | 5mm | |
| 부품 번호 별칭: | FQA36P15_NL |
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