• PDTC114ET 트랜지스터 디지털 BJT NPN 50V 100mA 250mW SOT-23
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PDTC114ET 트랜지스터 디지털 BJT NPN 50V 100mA 250mW SOT-23

shape: hqfp64
Conductive Type: Bipolar Integrated Circuit
Integration: MSI
Technics: Semiconductor IC
제조: 경험
D/c: 22+

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기본 정보

모델 번호.
PDTC114ET
패키지
소토 23
품질
새로운 정품
운송 패키지
Box
원산지
China
세관코드
8542399000
생산 능력
1000000PCS

제품 설명

설명

PDTC114ET:  양극성 트랜지스터 - 바이에스된 PDTC114ET/SOT23/to-236AB

MFR 부품 번호: PDTC114ET

MFR: 경험

데이터시트:  PDTC114ET Transistor Digital BJT NPN 50V 100mA 250mW SOT-23(PDF 파일을 이메일로 보내거나 채팅)

RoHS 상태:  PDTC114ET Transistor Digital BJT NPN 50V 100mA 250mW SOT-23

품질: 100% 원본

보증: 1년
 

구성: 싱글  
트랜지스터 극성: NPN  
일반적인 입력 저항: 10kΩ  
일반적인 저항률: 1  
마운팅 스타일: SMD/SMT  
패키지/케이스: SOT-23-3  
Collector-이미터 전압 VCEO Max: 50V  
연속 수집기 전류: 100mA  
최대 DC 수집기 전류: 100mA  
최소 작동 온도: 65 C  
최대 작동 온도: 150 C 이상  
포장:  
포장: 테이프 절단  
포장:  
브랜드: 경험  
높이: 1mm  
길이: 3mm  
제품 유형: BJT - 양극성 트랜지스터 - 바이어스됨  
팩토리 팩 수량: 3000  
하위 카테고리: 트랜지스터  
폭: 1.4 mm  
부품 번호 별칭: 934031010215  
단위 중량: 0.000282oz



1.일반 설명 NPN SMD(Surface-Mounted Device) 플라스틱 패키지의 저항 장착 트랜지스터(RET) PnP 보완: PDT114ET 2. 특징 및 장점 • 100mA 출력 전류 기능 • 내장 바이어스 저항기 • 회로 설계 간소화 • 구성품 수 감소 • 픽업 및 배치 비용 절감 3. 응용 분야 • 자동차 및 산업 부문의 디지털 응용 분야 • 디지털 응용 분야의 BC847 시리즈에 대한 비용 절감 대안 • IC 입력 제어 • 부하 전환







PDTC114ET Transistor Digital BJT NPN 50V 100mA 250mW SOT-23


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