모양: | hqfp64 |
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도전 형: | 바이폴라 집적 회로 |
완성: | MSI |
공예: | 반도체 IC |
제조: | 경험 |
D/c: | 22+ |
비즈니스 라이센스가 검증 된 공급 업체
PBSS4140T: 양극성 트랜지스터 - BJT PBSS4140T/SOT23/to-236AB
MFR 부품 번호: PBSS4140T
MFR: 경험
데이터시트: (PDF 파일을 이메일로 보내거나 채팅)
RoHS 상태:
품질: 100% 원본
보증: 1년
마운팅 스타일: | SMD/SMT | |
패키지/케이스: | SOT-23-3 | |
트랜지스터 극성: | NPN | |
구성: | 싱글 | |
Collector-이미터 전압 VCEO Max: | 40V | |
수집기 - 기본 전압 VCBO: | 40V | |
이미터 - 기본 전압 VEBO: | 5V | |
수집기 - 이미터 포화도 전압: | 500mV | |
최대 DC 수집기 전류: | 1A | |
PD - 전력 소산: | 450mW | |
대역폭 제품 FT 획득: | 150MHz | |
최소 작동 온도: | 65 C | |
최대 작동 온도: | 150 C 이상 | |
자격: | AEC-Q101 | |
포장: | 릴 | |
포장: | 테이프 절단 | |
포장: | 릴 | |
브랜드: | 경험 | |
DC 수집기/기본 게인 HFE 최소: | 1 mA, 5 V, 500 mA에서 300, 5 V, 1 A에서 200, 5 V에서 300 | |
DC 전류 게인 HFE 최대: | 1 mA에서 300, 5 V | |
높이: | 1mm | |
길이: | 3mm | |
제품 유형: | BJT - 양극성 트랜지스터 | |
팩토리 팩 수량: | 10000 | |
하위 카테고리: | 트랜지스터 | |
기술: | 시 | |
폭: | 1.4 mm | |
부품 번호 별칭: | 934056515235 | |
단위 중량: | 0.000268oz |
특징 • 낮은 컬렉터-이미터 포화 전압 • 고전류 기능 • 열 발생이 감소하여 장치 안정성이 향상되었습니다.
응용 분야 • 일반적인 용도의 스위칭 및 음소거 • LCD 백라이트 • 공급 라인 스위칭 회로 • 배터리 구동 장비(휴대폰, 비디오 카메라 및 휴대용 장치)
주의사항: