IS61WV102416BLL-10LI SRAM 칩 16mbit병렬 48TSOPI IC

• shape: Round
• Conductive Type: Unipolar Integrated Circuit
• Integration: LSI
• Technics: Thick Film IC
• 제조: ISSI
• D/c: 22+
• 모델 번호.: IS61WV102416BLL-10TLI
• 패키지: TSOPI48
• 품질: 새로운 정품
• 운송 패키지: Box
• 원산지: China
• 세관코드: 8542390000
• 생산 능력: 1000000PCS

제품 설명

설명

IS61WV102416BLL-10TLI: SRAM-비동기 메모리 IC 16비트 병렬 10 ns 48-TSOP I

MFR 부품 번호: IS61WV102416BLL-10TLI

MFR: ISSI

데이터시트:  (PDF 파일을 이메일로 보내거나 채팅)

RoHS 상태:  

품질: 100% 원본

보증: 1년
 

메모리 유형	휘발성
메모리 포맷	SRAM
기술	SRAM - 비동기식
메모리 크기	16mbit
메모리 구성	1m x 16
메모리 인터페이스	평행
쓰기 주기 시간 - Word, 페이지	10ns
액세스 시간	10ns
전압 - 공급	2.4V~3.6V
작동 온도	40°C~85°C(TA)
마운팅 유형	곡면 마운트
패키지/케이스	48-TFSOP(0.724", 18.40mm 너비)
공급업체 기기 패키지	48-TSOP I
기본 제품 번호	IS61WV102416

IS61WV102416ALL/BLLandIS64WV102416BLL은 1024K의 단어로 16비트 단위로 구성된 고속 16M 비트 정적 RAM입니다. ISSI의 고성능 CMOS 기술을 사용하여 제작했습니다. 이 매우 안정적인 공정과 혁신적인 회로 설계 기술이 결합되어 고성능 및 저전력 장치를 제공합니다. CE가 높을 경우(선택 해제) 장치는 CMOS 입력 수준으로 전력 소비를 줄일 수 있는 대기 모드를 가정합니다. 칩 활성화 및 출력 활성화 입력, CE 및 OE를 사용하여 메모리를 쉽게 확장할 수 있습니다. 활성 WE(Low Write Enable)는 메모리의 쓰기와 읽기를 모두 제어합니다. 데이터 바이트는 UB(Upper Byte) 및 Lower Byte(LB) 액세스를 허용합니다. 이 장치는 JEDEC 표준 48핀 TSOP Type I 및 48핀 Mini BGA(9mm x 11mm)에 패키지로 제공됩니다.

 

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