• IRFR024NTRPBF Trans MOSFET N-CH 55V 17a DPAK
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IRFR024NTRPBF Trans MOSFET N-CH 55V 17a DPAK

shape: hqfp64
Conductive Type: Bipolar Integrated Circuit
Integration: MSI
Technics: Semiconductor IC
제조: Infineon
D/c: 22+

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기본 정보

모델 번호.
IRFR024NTRPBF
패키지
에서 - 252로
품질
새로운 정품
운송 패키지
Box
원산지
China
세관코드
8542399000
생산 능력
1000000PCS

제품 설명

설명

IRFR024NTRPBF: Trans MOSFET N-CH Si 55V 17a 3핀(2+탭) DPAK T/R

MFR 부품 번호: IRFR024NTRPBF

MFR.: Infineon

데이터시트:  IRFR024NTRPBF Trans MOSFET N-CH 55V 17A DPAK(PDF 파일을 이메일로 보내거나 채팅)

RoHS 상태:  IRFR024NTRPBF Trans MOSFET N-CH 55V 17A DPAK

품질: 100% 원본

보증: 1년

 

제품 상태
활성
 
FET 유형
N-채널
 
기술
MOSFET(금속 산화물)
 
소스 전압(Vdss)으로 배출
55V
 
전류 - 25°C에서 연속 배출(ID
17a(TC)
 
구동 전압(최대 RDS 켜짐, 최소 RDS 켜짐)
10V
 
RDS ON(최대) @ ID, Vgs
75mOhm @ 10A, 10V
 
VG(TH)(최대)@ID
250µA에서 4V
 
Vgs에서 게이트 충전(QG)(최대
20NC @ 10V
 
VG(최대)
±20V
 
VDS에서 입력 정전 용량(CISS)(최대
370PF @ 25V
 
FET 기능
-
 
전력 소산(최대)
45W(TC)
 
작동 온도
-55°C~175°C(TJ)
 
마운팅 유형
곡면 마운트
 
공급업체 기기 패키지
D-Pak
 
패키지/케이스
~ -252-3, DPak(2 Leads + Tab), SC-63
 
기본 제품 번호
IRFR024

 

응용 프로그램
적용 • 12V 및 24V DC 접지 부하에 대한 전류 감지 진단 피드백이 있는 전원 스위치 • 모든 유형의 저항성, 유도성 및 정전식 부하 • 전기 기계식 릴레이, 퓨즈 및 개별 회로를 대체합니다

 

International Rectifier의 5세대 HEXFET는 고급 처리 기술을 활용하여 실리콘 영역당 매우 낮은 온저항을 달성합니다. 이 이점은 고속 스위칭 속도와 HEXFET 전력 MOSFET의 유명한 견고한 장치 설계와 결합되어 설계자에게 다양한 애플리케이션에서 사용할 수 있는 매우 효율적이고 안정적인 장치를 제공합니다. 220 패키지는 전력 소비 수준이 약 50와트인 모든 상용 산업 응용 분야에 일반적으로 사용됩니다. TO-220의 낮은 내열성 및 낮은 패키지 비용은 업계 전반에 걸쳐 널리 수용되는 데 기여합니다
 












IRFR024NTRPBF Trans MOSFET N-CH 55V 17A DPAK


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