shape: | hqfp64 |
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Conductive Type: | Bipolar Integrated Circuit |
Integration: | MSI |
Technics: | Semiconductor IC |
제조: | Infineon |
D/c: | 22+ |
비즈니스 라이센스가 검증 된 공급 업체
IRFR024NTRPBF: Trans MOSFET N-CH Si 55V 17a 3핀(2+탭) DPAK T/R
MFR 부품 번호: IRFR024NTRPBF
MFR.: Infineon
데이터시트: (PDF 파일을 이메일로 보내거나 채팅)
RoHS 상태:
품질: 100% 원본
보증: 1년
제품 상태
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활성
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FET 유형
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N-채널
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기술
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MOSFET(금속 산화물)
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소스 전압(Vdss)으로 배출
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55V
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전류 - 25°C에서 연속 배출(ID
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17a(TC)
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구동 전압(최대 RDS 켜짐, 최소 RDS 켜짐)
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10V
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RDS ON(최대) @ ID, Vgs
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75mOhm @ 10A, 10V
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VG(TH)(최대)@ID
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250µA에서 4V
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Vgs에서 게이트 충전(QG)(최대
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20NC @ 10V
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VG(최대)
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±20V
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VDS에서 입력 정전 용량(CISS)(최대
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370PF @ 25V
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FET 기능
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-
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전력 소산(최대)
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45W(TC)
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작동 온도
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-55°C~175°C(TJ)
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마운팅 유형
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곡면 마운트
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공급업체 기기 패키지
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D-Pak
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패키지/케이스
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~ -252-3, DPak(2 Leads + Tab), SC-63
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기본 제품 번호
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IRFR024
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응용 프로그램
적용 • 12V 및 24V DC 접지 부하에 대한 전류 감지 진단 피드백이 있는 전원 스위치 • 모든 유형의 저항성, 유도성 및 정전식 부하 • 전기 기계식 릴레이, 퓨즈 및 개별 회로를 대체합니다
International Rectifier의 5세대 HEXFET는 고급 처리 기술을 활용하여 실리콘 영역당 매우 낮은 온저항을 달성합니다. 이 이점은 고속 스위칭 속도와 HEXFET 전력 MOSFET의 유명한 견고한 장치 설계와 결합되어 설계자에게 다양한 애플리케이션에서 사용할 수 있는 매우 효율적이고 안정적인 장치를 제공합니다. 220 패키지는 전력 소비 수준이 약 50와트인 모든 상용 산업 응용 분야에 일반적으로 사용됩니다. TO-220의 낮은 내열성 및 낮은 패키지 비용은 업계 전반에 걸쳐 널리 수용되는 데 기여합니다
주의사항: