• IRFB3607PBF MOSFET N-CH 75V 80A TO220AB
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IRFB3607PBF MOSFET N-CH 75V 80A TO220AB

모양: hqfp64
도전 형: 바이폴라 집적 회로
완성: MSI
공예: 반도체 IC
제조: Infineon
D/c: 22+

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무역 회사

기본 정보

모델 번호.
IRFB3607PBF
패키지
220으로
품질
새로운 정품
운송 패키지
Box
원산지
China
세관코드
8542399000
생산 능력
1000000PCS

제품 설명

설명

IRFB3607PBF:  Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3핀(3+탭) ~ -220AB 튜브

MFR 부품 번호: IRFB3607PBF

MFR.: Infineon

데이터시트:  IRFB3607PBF MOSFET N-CH 75V 80A TO220AB(PDF 파일을 이메일로 보내거나 채팅)

RoHS 상태:  IRFB3607PBF MOSFET N-CH 75V 80A TO220AB

품질: 100% 원본

보증: 1년

 

패키지
튜브
 
제품 상태
새로운 디자인에는 적합하지 않습니다
 
FET 유형
N-채널
 
기술
MOSFET(금속 산화물)
 
소스 전압(Vdss)으로 배출
75V
 
전류 - 25°C에서 연속 배출(ID
80A(TC)
 
구동 전압(최대 RDS 켜짐, 최소 RDS 켜짐)
10V
 
RDS ON(최대) @ ID, Vgs
9mOhm @ 46A, 10V
 
VG(TH)(최대)@ID
100µA에서 4V
 
Vgs에서 게이트 충전(QG)(최대
84NC @ 10V
 
VG(최대)
±20V
 
VDS에서 입력 정전 용량(CISS)(최대
50V에서 3,070PF
 
FET 기능
-
 
전력 소산(최대)
140W(TC)
 
작동 온도
-55°C~175°C(TJ)
 
마운팅 유형
관통 구멍
 
공급업체 기기 패키지
~ -220AB
 
패키지/케이스
~ -220-3세
 
기본 제품 번호
IRFB3607

 

응용 프로그램 SMPS 무정전 전원 공급 장치의 고효율 동기 수리 고속 전원 스위칭 하드 스위치 및 고주파 회로

장점 게이트, Avalanche 및 동적 dv/dt 견고성 향상 완전 특성 커패시턴스 및 Avalanche SOA 향상된 차체 다이오드 dV/dt 및 DI/dt 기능

 

국제 정류기의 고급 HEXFET ® 전력 MOSFET는 고급 처리 기술을 활용하여 실리콘 영역당 매우 낮은 저항을 달성합니다. 이 이점은 고속 스위칭 속도와 HEXFET 전력 MOSFET의 유명한 견고한 장치 설계와 결합되어 설계자에게 다양한 애플리케이션에서 사용할 수 있는 매우 효율적이고 안정적인 장치를 제공합니다. 220 패키지는 전력 소비 수준이 약 50와트인 모든 상용 산업 응용 분야에 일반적으로 사용됩니다. TO-220의 낮은 내열성 및 낮은 패키지 비용은 업계 전반에 걸쳐 널리 수용되는 데 기여합니다.


특징 • P-채널 • 개선 모드 • 논리 레벨(4.5V 정격) • ESD 보호 • AEC Q101에 따라 적격 • 100% 무연, RoHS 준수 • IEC61249-2-21 준수 할로겐 비함유









IRFB3607PBF MOSFET N-CH 75V 80A TO220AB


IRFB3607PBF MOSFET N-CH 75V 80A TO220AB


IRFB3607PBF MOSFET N-CH 75V 80A TO220AB

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등록 자본
100000 RMB
식물 면적
<100 평방 미터