• IRF7480MTRPBF IRF7480M MOSFET 40V 단일 N 채널 HEXFET 전력 MOSFET
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IRF7480MTRPBF IRF7480M MOSFET 40V 단일 N 채널 HEXFET 전력 MOSFET

모양: hqfp64
도전 형: 바이폴라 집적 회로
완성: MSI
공예: 반도체 IC
제조: Infineon
D/c: 20+

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기본 정보

모델 번호.
IRF7480MTRPBF
패키지
직접
품질
새로운 정품
운송 패키지
상자
원산지
중국
세관코드
8542390000
생산 능력
1000000PCS

제품 설명

설명

IRF7480MTRPBF  Trans MOSFET N-CH Si 40V 330A 10핀 Direct-FET ME T/R

MFR 부품 번호: IRF7480MTRPBF

MFR.: Infineon

데이터시트:  IRF7480MTRPBF IRF7480M MOSFET 40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET(PDF 파일을 이메일로 보내거나 채팅)

RoHS 상태:  IRF7480MTRPBF IRF7480M MOSFET 40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET

품질: 100% 원본

보증: 1년
 

 
제품 특성 특성 값 비슷한 검색
제조업체: Infineon  
제품 범주: MOSFET  
RoHS:  세부 정보  
기술:  
마운팅 스타일: SMD/SMT  
패키지/케이스: DirectFET-ME  
트랜지스터 극성: N-채널  
채널 수: 1채널  
VDS-DRAIN-소스 고장 전압: 40V  
ID - 연속 배출 전류: 217A  
RDS On-Drain - 소스 저항: 1.2 MOhms  
VG-Gate - 소스 전압: 20 V, + 20 V  
VG TH-Gate - 소스 임계값 전압: 3V  
QG - 게이트 요금: 123NC  
최소 작동 온도: 55 C  
최대 작동 온도: 150 C 이상  
PD - 전력 소산: 96W  
채널 모드: 향상된 기능  
이름: StrongIRFET  
포장:  
포장: 테이프 절단  
포장: MouseReel  
브랜드: Infineon/IR  
구성: 싱글  
하강 시간: 58ns  
전방향 전도율 - 최소: 370S  
높이: 0.7mm  
길이: 6.35mm  
제품 유형: MOSFET  
상승 시간: 70ns  
팩토리 팩 수량: 4800  
하위 카테고리: MOSFET  
트랜지스터 유형: N-채널 1개  
일반적인 끄기 지연 시간: 68ns  
일반적인 켜기 지연 시간: 21ns  
폭: 5.05mm  
부품 번호 별칭: IRF7480MTRPBF SP001566252  
단위 중량: 0.017637oz
 
 
Trans MOSFET N-CH 40V 217A 10핀 직접 - FET ME T/R

주요 기능

  • 게이트, Avalanche 및 동적 dv/dt 견고성 개선
  • 완전 특성화된 정전 용량 및 Avalanche SOA
  • 향상된 바디 다이오드 dv/dt 및 di/dt 기능
  • 무연, RoHS 준수


응용 프로그램
브러시드 모터 드라이브 응용 분야
BLDC 모터 드라이브 응용 분야
배터리 전원 회로
하프 브리지 및 풀 브리지 토폴로지
동기 정류기 응용 프로그램
공명 모드 전원 공급 장치
또는 - ing 및 redundant power switches
DC/DC 및 AC/DC 컨버터
DC/AC 인버터

이점
게이트, Avalanche 및 동적 dv/dt 견고성 개선
완전 특성화된 정전 용량 및 Avalanche SOA
향상된 바디 다이오드 dv/dt 및 di/dt 기능
 무연, RoHS 준수







IRF7480MTRPBF IRF7480M MOSFET 40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET


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식물 면적
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