IR2110STRPBF IC 드라이버 MOSFET IR2110S

• Conductive Type: Bipolar Integrated Circuit
• Integration: SSI
• Shape: SMD
• Technics: Semiconductor IC
• 제조: Infineon
• 품질: 새로운 정품
• 모델 번호.: IR2110STRPBF
• 패키지: SOIC-16
• D/c: 18+
• 운송 패키지: Box
• 사양: integrated circuit
• 원산지: China
• 세관코드: 8542390000
• 생산 능력: 1000000PCS

제품 설명

설명

IR2110STRPBF:  MOSFET DRVR 500V 2.5A 2출력 Hi/Lo 측 비송장 16핀 SOIC W T/R 테이프 및 릴  

패키지: SOIC-16

MFR 부품 번호: IR2110STRPBF

MFR.: Infineon

데이터시트:  (PDF 파일을 이메일로 보내거나 채팅)

RoHS 상태:  

품질: 100% 원본

보증 기간: 180일
 

 

IR2110은 독립적인 하이 및 로우 사이드 레퍼런스 출력 채널을 갖춘 고전압, 고속 전력 MOSFET 및 IGBT 드라이버입니다. 전용 HVIC 및 래치 면역 CMOS 기술은 견고한 모놀리식 구조를 가능하게 합니다. 논리 입력은 표준 CMOS 또는 LSTTL 출력과 호환되며, 3.3V 논리로 내려갑니다. 출력 드라이버는 운전자의 교차 전도를 최소화하도록 설계된 높은 펄스 전류 버퍼 단계를 특징으로 합니다. 전파 지연은 고주파 응용 프로그램에서 간편하게 사용할 수 있도록 일치시킵니다. 플로팅 채널은 최대 500 또는 600V의 고사양 구성에서 N 채널 전력 MOSFET 또는 IGBT를 구동하는 데 사용할 수 있습니다.

주요 기능

• 부트스트랩 작업을 위해 설계된 부동 채널
• 500V 이상 또는 600V까지 완벽하게 작동
  • 음의 과도 전압에 대한 내성
  • dv/dt 면역
• 게이트 구동 장치 공급 범위는 10 ~ 20V입니다
• 두 채널 모두에 대한 저전압 잠금
• 3.3V 논리 호환
  • 별도의 논리 공급 범위는 3.3V~20V입니다
  • 논리 및 전원 접지 ± 5V 오프셋
• CMOS Schmitt 트리거 입력(풀다운 포함
• 사이클 에지 트리거 종료 로직별 사이클
• 두 채널 모두에 대해 일치하는 전파 지연
• 입력 단자가 있는 위상의 출력

 

부품 상태	활성
파생 설정	하프 브리지
채널 유형	종속
드라이버 수	2
게이트 유형	IGBT, N-채널 MOSFET
전압 - 공급	3.3V~20V
논리 전압 - VIL, VIH	6V, 9.5V
전류-피크 출력(소스, 싱크)	2A, 2A
입력 유형	비인버팅
고전압 - 최대(부트스트랩)	500V
상승/하강 시간(일반)	25ns, 17ns
작동 온도	40°C~150°C(TJ)
마운팅 유형	곡면 마운트
패키지/케이스	16-SOIC(0.295", 7.50mm 너비)
공급업체 기기 패키지	16-SOIC

 

회사 제품 라인

 

인증서



제품 포장 세부 정보

 

 

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