• IPW60R099C6 Trans MOSFET N-Ch 650V 38A TO247-3
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IPW60R099C6 Trans MOSFET N-Ch 650V 38A TO247-3

인증: RoHS 준수, CE
캡슐화 구조: 칩 트랜지스터
설치: SMD Triode 중
작동 주파수: 고주파
전원 수준: 높은 전원
기능: 감광성의, 달링턴 튜브, 전원 단자, 스위칭 단자

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기본 정보

모델 번호.
IPW60R099C6
구조
NPN
자료
규소
제조
Infineon
D/c
22+
패키지
~ 247
품질
새로운 정품
제품 상태
활성
운송 패키지
상자
사양
electronic components
원산지
중국
세관코드
8542399000
생산 능력
1000000PCS

제품 설명

설명

IPW60R099C6:   MOSFET N-Ch 600V 37.9A CoolMOS TO247

MFR 부품 번호: IPW60R099C6

데이터시트:  IPW60R099C6 Trans MOSFET N-Ch 650V 38A TO247-3(PDF 파일을 이메일로 보내거나 채팅)

RoHS 상태:  IPW60R099C6 Trans MOSFET N-Ch 650V 38A TO247-3

품질: 100% 원본

보증: 1년
 

기술:
마운팅 스타일: 관통 구멍
패키지/케이스: ~ -247-3
트랜지스터 극성: N-채널
채널 수: 1채널
VDS-DRAIN-소스 고장 전압: 600V
ID - 연속 배출 전류: 37.9A
RDS 방전 전원 저항: 90mΩ
VG-Gate - 소스 전압: 20 V, + 20 V
VG TH-Gate - 소스 임계값 전압: 2.5V
QG - 게이트 요금: 119NC
최소 작동 온도: 55 C
최대 작동 온도: 150 C 이상
PD - 전력 소산: 278W
채널 모드: 개선
이름: CoolMOS
시리즈: CoolMOS C6
포장: 튜브
구성: 싱글
하강 시간: 6ns
높이: 21.1mm
길이: 16.13mm
제품 유형: MOSFET
상승 시간: 12ns
팩토리 팩 수량: 240
하위 카테고리: MOSFET
트랜지스터 유형: N-채널 1개
일반적인 끄기 지연 시간: 75ns
일반적인 켜기 지연 시간: 15ns
폭: 5.21mm
부품 번호 별칭: IPW6R99C6XK SP000641908 IPW60R099C6FKSA1
단위 중량: 0.211644oz





설명
 
CoolMOS C6은 Infineon의 선도적인 Superjunction MOSFET 공급업체로서의 경험과 동급 최고의 혁신을 결합했습니다. C6 장치는 사용의 용이성을 저하시키지 않으면서 빠른 스위칭 SJ MOSFET의 모든 이점을 제공합니다. 스위칭 및 전도가 극히 낮아 스위칭 응용 프로그램의 효율성, 컴팩트, 경량 및 쿨러가 더욱 향상됩니다.

주요 기능

  • 스위칭 동작을 쉽게 제어
  • Merit의 매우 낮은 그림 때문에 매우 낮은 손실 (R DS (ON) * Q GAND E OSS)
  • 매우 높은 수준의 호칭 견고함
  • 사용하기 쉽습니다
  • C3에 비해 경부하 효율이 더 높습니다
  • 검증된 CoolMOS™ 품질과 높은 본체 수준의 뛰어난 안정성 다이오드 견고성
  • 이전 CoolMOS™ 세대에 비해 가격 대비 성능이 향상되었습니다
  • 더 효율적이고, 더 작고, 가볍고, 더 시원합니다
  
 
APPIITIOs
PFC  단계, 하드  스위칭  PWM  단계   공진  전환
PC     Silverbox, Adapter, LCD 및 PDP TV를 위한 PWM 단계
조명, 서버, 통신  UPS


 주의 사항:   MOSFET 의 경우 페라이트     비드가  에 사용됩니다
일반적으로 안전문  또는 토템 폴을 분리하는   것이 좋습니다.
 
 

 



 


IPW60R099C6 Trans MOSFET N-Ch 650V 38A TO247-3


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인증서

IPW60R099C6 Trans MOSFET N-Ch 650V 38A TO247-3

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제품 포장 세부 정보

IPW60R099C6 Trans MOSFET N-Ch 650V 38A TO247-3

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