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절연 게이트 양극 트랜지스터인 IGBT 트랜지스터(절연 게이트 양극성 트랜지스터)는 BJT(양극 트랜지스터)와 MOS(절연 게이트 전계효과 트랜지스터)로 구성된 완전 제어식 복합 전압 구동 전력 반도체 장치입니다. MOSFET의 높은 입력 임피던스와 낮은 전압 강하 GTR의 두 가지 장점 모두 두 가지입니다. GTR 포화 전압이 감소하고 전류 운반 밀도가 커지지만 구동 전류는 큽니다. MOSFET 구동 전력은 작고 스위칭 속도는 빠르지만 상태 전압 강하는 크고 전류 운반 밀도는 작습니다. IGBT는 위의 두 장치의 장점을 결합하며 구동 동력이 작고 포화 전압이 감소합니다. IGBT의 역할은 AC 모터, 주파수 변환기, 스위칭 전원 공급 장치, 조명 회로, 견인력 드라이브 및 기타 필드와 같이 600V 이상의 DC 전압을 사용하는 컨버터 시스템에 매우 적합하다는 것입니다. IGBT의 작동 방식: IGBT 는 고전류, 고전압 애플리케이션 및 고속 엔드 장비에 대한 수직 전력 MOSFET의 자연스러운 발전입니다. 소스-드레인 채널은 고장 전압 BVDSS를 더 높은 수준으로 달성하기 위해 필요하며 이 채널은 높은 저항성을 가지고 있어 전력 MOSFET의 RDS(ON) 값이 높기 때문에 IGBT는 이러한 기존 전력 MOSFET의 단점을 없애줍니다. 주요 단점 최신 세대의 전력 MOSFET 장치가 RDS(ON) 특성을 크게 개선했지만 높은 수준에서는 전력 전도 손실이 IGBT 기술보다 훨씬 높습니다. 전압 강하가 낮고 , VCE(Sat)가 낮은 구조로 변환될 수 있으며, IGBT 구조가 표준 양극 장치에 비해 더 높은 전류 밀도를 지원하고, IGBT 드라이버 스키매틱을 간소화합니다.
1.핀아웃: 
절대 최대 등급 (Tj = 25°C, 별도로 명시되지 않은 한):
3.전기적 특성 (Tj = 25°C, 달리 명시되지 않은 한):
• 도랑 4 개 IGBT
• CAL 기술의 견고하고 부드러운 프리휠 다이오드
• 전기 연결을 위한 매우 안정적인 스프링 접점
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2.생산 워크샵
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이 제품은 자동차 산업 제어, 새로운 에너지에 널리 사용되고 있습니다 산업, 오디오, 가전 기기, 통신 industry.it 은 의 다양한 요구를 충족할 수 있습니다 고객
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