IGBT/전력 MOSFET 게이트 드라이브 IC Tlp350(TP1, F) PV 인버터

• shape: SMD
• Conductive Type: Standard
• Technics: IC
• 입력 전압(DC): 30.0v(최대)
• 출력 전압: ≤ 13.7v
• 채널 수: 1
• 모델 번호.: TLP350(TP1, F)
• 핀 수: 8
• 전진 전압: 1.6v
• 상승 시간: 500ns
• 절연 전압: 3750 VRM
• 전진 전압(최대): 1.8V
• 전방 전류(최대): 20mA
• 하강 시간(최대): 8ns
• 상승 시간(최대): 15ns
• 전력 손실(최대): 260mW
• 작동 온도: 40 ~ 100(섭씨)
• 포장: 테이프 및 릴(TR)
• 인증: RoHS
• 운송 패키지: Reel
• 사양: SMD
• 세관코드: 8541290000
• 생산 능력: 100000pieces/Years

제품 설명

 

제품 설명

 TLP350은 GaAmiPoS(발광 다이오드)와 로 구성됩니다 A
통합 광검출기.
이 유닛은 8-리드 DIP 패키지입니다.
TLP350은 IGBT 또는 POWER MOS FET의 게이트 구동 회로에 적합합니다.
• 최대 출력 전류: I O = ±2.0A(최대)
• 온도보다 성능이 보장됩니다. −40 ~ 100°C
• 공급 전류: I CC = 2 mA(최대)
• 전원 공급 전압: V CC = 15 ~ 30 V
• 임계값 입력 전류: I FLH = 5mA(최대)
• 전환 시간(t pLH/t PHL): 500ns(최대)
• 일반 모드 과도 내성: 15kV/µs
• 절연 전압: 3750Vrms

제품 매개변수

 

피처

 

상세 사진

 

우리의 장점

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장점:
생산 범위
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포장 및 배송

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우리는 고객이 소포를 더 편리하게 얻을 수 있도록 최선을 다할 것입니다.
(참고: 운송 비용에 대한 어떠한 요금과 세금은 부담하지 않습니다.)