shape: | SMD/SMT |
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Technics: | Semiconductor IC |
전원 공급 전압(DC): | 3.30v |
주파수: | 98MHz |
논리 게이트 수: | 2500 |
핀 수: | 100 |
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CPLD 는 CMOS EPROM, EEPROM, 플래시 메모리 및 SRAM과 같은 프로그래밍 기술을 채택하여 고밀도, 고속 및 낮은 전력 소비로 프로그래밍 가능한 논리 장치를 구성합니다. CPLD는 주로 논리 블록, 프로그래밍 가능한 상호 연결 채널 및 I/O 블록의 세 부분으로 구성되어 있습니다. CPLD의 logic block 은 small-scale PLD와 유사하며, 일반적으로 logic block에는 4-20개의 대세포가 포함되어 있고, 각 대Cell은 일반적으로 product item array, product item allocation, programmable register로 구성된다. 각 매크로 장치에는 다양한 구성 방법이 있으며, 각 매크로 단위를 계단식 배열 방식으로 사용할 수 있으므로 보다 복잡한 조합 논리 및 순차 논리 함수를 구현할 수 있습니다. 높은 수준의 통합이 가능한 CPLD의 경우, 보통 온칩 RAM/ROM이 있는 내장형 어레이 블록이 제공됩니다. 프로그래밍 가능한 상호 연결 채널은 주로 논리 블록, 거대세포 및 입/출력 핀 간의 상호 연결 네트워크를 제공합니다. 입출력 블록(입출력 블록)은 내부 논리와 디바이스 입출력 핀 간의 인터페이스를 제공합니다. 로직 스케일이 큰 CPLD에는 일반적으로 JTAG 경계 스캔 테스트 회로가 내장되어 있어 프로그래밍 가능한 고밀도 프로그래밍 가능 논리 장치에 대한 종합적인 시스템 테스트를 수행할 수 있습니다. 또한 JTAG 인터페이스를 통해 시스템 내 프로그래밍을 수행할 수도 있습니다.
핀 다이어그램:
전원 시퀀싱 중 최대 7000B I/O 전류:
Altera는 VCCIO 또는 I/O 핀 전압의 느린 상승 시간과 관련된 특정 전원 시퀀스 상황으로 인해 VCCINT가 증가하기 전에 최대 7000B I/O 핀이 소스/싱크 전류에 공급될 수 있음을 확인했습니다. 이러한 조건은 전원이 공급되는 동안 이 핀을 tri-s진술해야 하며 핀 당 300μA를 초과하는 전류를 공급/싱크해서는 안 된다는 것을 나타내는 핫 소켓 정의를 위반할 수 있습니다. I/O 핀이 300μA를 초과하는 전류를 공급하거나 싱크하는 두 가지 전원 시퀀스 상황이 있습니다. 표 2 에서는 두 가지 전원 시퀀스 문제와 가능한 해결 방법을 설명합니다.
3.빠른 Vccint 상승 중에 I/O 전환:
Altera는 전원 켜기 기간 동안 최대 ® 7000AE, 최대 3000A 및 최대 7000B 장치에서 고속 VCCINT 상승 시간으로 인해 I/O 핀에 펄스가 발생할 수 있음을 확인했습니다. 이 상태는 전원이 공급되는 동안 이 핀을 tri-s진술해야 한다는 핫 소켓 정의를 위반할 수 있으며 핀 당 300μA 이상의 전류를 공급하거나 싱크해서는 안 됩니다. 빠른 VCCINT 상승 시간으로 인한 펄스는 두 가지가 있으며 , I/O 핀에서 낮은 펄스가 일시적으로 발생하고 조합 출력 핀에서 별도의 펄스가 일시적으로 발생합니다. 표 3 에는 문제가 나와 있고 영향을 받는 MAX 장치가 나와 있습니다.
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장점:
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예: IC, 저항, 콘덴서, MOSFET, 다이오드, 모듈, LED, 릴레이, LCD, PCB 보드 등 . 브랜드에는 샤프, 파워, NS, ON, ST, IR, Vishay, Toshiba, Fairchild, microchip, Atmel, EVERYLILGHT 필요한 모든 전자 부품을 여기에서 찾을 수 있습니다.
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