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Schott 다이오드는 귀금속(금, 은, 알루미늄, 백금 등)로 제조된 금속-반도체 장치입니다. A는 양극이고 N형 반도체 B 는 음극입니다. 두 개의 접촉면에 형성되는 장벽은 수리 특성을 가지고 있습니다. N형 반도체에는 전자가 많이 있고 고귀금속에는 전자가 매우 적기 때문에 B의 고농도에서 A의 저농도로 전자가 확산됩니다. 금속 A에는 구멍이 없습니다. 그리고 A에서 B로 구멍의 확산이 없습니다 . 전자가 B에서 A로 계속 확산되면서 B 표면의 전자 농도가 점차적으로 감소하고 표면의 전기적 중립성이 파괴되므로 잠재적인 장벽이 형성됩니다. 전기장의 방향은 B → A입니다 그러나 이 전기장의 작용 하에서 A의 전자는 A → B로부터 드리프트 이동을 생성하여 확산 움직임에 의해 형성된 전기장을 약화시킵니다. 일정 폭의 전하지역이 형성되면 전기장에 의해 발생하는 전자의 표류 이동과 다른 농도로 인한 전자의 확산 이동이 상대 균형에 도달하여 Schottky 장벽이 형성됩니다.
Schottky diode Schottky diode는 SBD(Schottky barrier Diode)라고도 하며 저전력, 초고속 반도체 장치입니다. 가장 주목할 만한 점은 역복구 시간이 매우 짧고 (나노초 몇 초일 수 있음) 순방향 전압 강하는 약 0.4V입니다. 이 다이오드는 주로 고주파, 저전압, 고전류 정류기 다이오드, 자유 회전 다이오드, 보호 다이오드로 사용됩니다. 마이크로파 통신과 같은 회로의 정류기 다이오드와 소신호 검출기 다이오드로도 유용합니다. 통신 전원 공급 장치, 인버터 등에서 더 일반적입니다
• 매우 작은 전도 손실
• 경미한 스위칭 손실
• 매우 빠른 전환
• 낮은 전방 전압 강하
• Avalanche 기능이 지정되었습니다
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