높은 두께의 필름 통합 MCM 고온 또는 플래시 메모리

• 운송 패키지: Box
• 사양: 15.5 x 21.6 /2.54 mm
• 등록상표: ZITN
• 원산지: China.
• 세관코드: 8523511000
• 생산 능력: 20000

제품 설명

제품 설명

고온저항 NAND 플래시 메모리
LDMF1GA/4GA

이 칩은 고온 NAND 플래시 메모리로서, 높은 온도 및 낮은 온도 모두에서 빠른 읽기 및 쓰기, 높은 신뢰성, 뛰어난 성능 특성을 제공합니다. 장기간 혹독한 환경에서 -45ºC~175ºC에서 작동할 수 있습니다.

작동 온도: -45ºC~+175ºC
최고 작동 전류: 90mA
대기 전류: <2ma
작동 전압 범위(Vcc): 2.7V ~ 3.6V
입력 하이 레벨(V): 0.8Vcc~Vcc + 0.3
입력 로우 레벨(V): -0.3 ~ 0.2Vcc
출력 하이 레벨(V): 2.4 ~ Vcc
출력 저수준(V): -0.3 ~ 0.4
고온 데이터 유지 시간: 500시간 이상
작동 수명: 2000h 이상
읽기/쓰기 속도: 페이지 읽기 2.15ms/페이지 쓰기
패키지: 16핀 DIP PB 무료 패키지

 

제품 매개변수

PIN 설명:

핀	기능 설명
IO0 ~ IO7	멀티플렉스 입력/출력 양방향 입출력 전송 주소, 데이터 및 명령 정보 C(-) E(-) 핀이 높으면 I/O가 높은 임피던스입니다.
cle(지우기	명령 래치 활성화 CLE가 높으면 신호가 상승된 가장자리에 있는 IO 포트를 통해 명령 레지스터에 명령이 래치됩니다.
에일	주소 래치 활성화 ALE가 높을 경우 주소는 신호의 상승 에지에 있는 IO 포트를 통해 주소 레지스터로 래치됩니다.
C(-) E(-)	칩 활성화 칩을 활성화 또는 비활성화합니다.
R(-) E(-)	읽기 사용 직렬 데이터의 출력을 제어합니다. 신호가 낮으면 데이터가 입출력 포트로 구동됩니다. R(-) E(-)의 하강 에지에서 트레가 시간 후에 데이터가 유효하고 내부 열 주소 카운터가 자동으로 증가합니다.
W(-) E(-)	쓰기 활성화 직렬 데이터, 명령, 주소 및 데이터의 입력을 제어합니다.
R/B(-)	준비/사용 중 출력 장치 작동 상태를 나타냅니다. 낮으면 프로그래밍, 지우기 또는 임의 읽기 작업이 진행 중임을 나타내며, 높을 경우 작업이 완료되지 않았음을 나타냅니다. 풀업 저항(4.7K~10K)을 핀에 연결하는 것이 좋습니다.
VCC	전원 공급 장치
VSS	GND

주소 지정 주기:

LDMF1GA:

주소 지정	IO 0	IO 1	IO 2	IO 3	IO 4	IO 5	IO 6	IO 7
1주기	CA0	CA1	CA2	CA3	CA4	CA5	CA6	CA7	열 주소 1
2주기	CA8	CA9	CA10	CA11	0	0	0	0	열 주소 2
세 번째 주기	PA0	PA1	PA2	PA3	PA4	PA5	PA6	BA7	행 주소 1
네 번째 주기	BA8	BA9	BA10	BA11	BA12	BA13	BA14	BA15	행 주소 2
5주기	BA16	BA17	BA18	0	0	0	0	0	행 주소 3

참고: 1. cax = 칼럼 주소, pax = 페이지 주소, bax = 블록 주소, 페이지 주소, 행 주소라고 하는 블록 주소 열 주소라고 하는 페이지의 바이트 주소입니다
페이지 크기 x8: 8640바이트(2048 + 64바이트)
블록 크기: 128페이지(1024K + 8K 바이트)
블록 번호: 4096 블록

LDMF4GA:

주소 지정	IO 0	IO 1	IO 2	IO 3	IO 4	IO 5	IO 6	IO 7
1주기	CA0	CA1	CA2	CA3	CA4	CA5	CA6	CA7	열 주소 1
두 번째 주기	CA8	CA9	CA10	CA11	CA12	CA13	0	0	열 주소 2
3주기	PA0	PA1	PA2	PA3	PA4	PA5	PA6	BA7	행 주소 1
4주기	BA8	BA9	BA10	BA11	BA12	BA13	BA14	BA15	행 주소 2
5주기	BA16	BA17	BA18	0	0	0	0	0	행 주소 3

참고: 1. cax = 칼럼 주소, pax = 페이지 주소, bax = 블록 주소, 페이지 주소, 행 주소라고 하는 블록 주소 열 주소라고 하는 페이지의 바이트 주소입니다
페이지 크기 x8: 8640바이트(8192 + 448바이트)
블록 크기: 128페이지(1024K + 56K 바이트)
블록 번호: 4096 블록

지침 목록:

기능	1주기	2주기
재설정	FFH	-
읽기	00h	30시간
페이지 프로그램	80시간	10시간
블록 지우기	60시간	D0h

블록 관리가 잘못되었습니다
공장에서 출고될 때 잘못된 블록의 주소 위치를 제외하고 장치의 모든 위치가 지워집니다(0xff). 블록 마지막 페이지의 스페어 영역 첫 번째 바이트에는 잘못된 블록 플래그가 있습니다. 잘못된 블록 데이터는 0xff가 아닙니다. 잘못된 블록 사용을 방지하려면 시스템에서 잘못된 블록 관리를 설정해야 합니다. 첫 번째 블록의 시작 주소는 0000h로, 공장에서 유효한 상태로 출고됩니다.
불량 블럭 테이블은 다음 순서도(아래)에 의해 작성됩니다.

작동 단계:
1.삭제나 프로그래밍 작업 중 블록 A의 n 페이지에 오류가 발생했습니다. 블록 A의 첫 번째 페이지에서 블록 A의 (n-1) 번째 페이지로 데이터를 다른 빈 블록 B의 동일한 위치로 복사합니다. 버퍼 데이터를 n 번째 페이지에 저장해야 합니다 B 블록의 위치. B 블록이 불량인 테이블에 A 블록을 추가합니다.

1. 명령 래치 사이클
2. 래치 사이클 순서를 지정합니다
3. 입력 데이터 래치는 사이클 순서를 따릅니다
4. 출력 데이터 래치 사이클 순서
5. 시스템 지침

읽기 작업:
명령 레지스터에 00h-30h 명령을 기록하여 읽기 작업을 실행합니다. 먼저 00h 명령을 쓴 다음, 5주기 동안 주소를 쓰고, 마지막에는 30h 명령을 씁니다. 완료 후 R/B(-)가 해제되며, R/B(-)의 상태를 감지하여 내부 데이터 전송 완료를 결정한다. 전송이 완료되면 사용자가 RE를 시작할 수 있으며, 데이터는 계속 판독됩니다.
읽기 작업 순서는 다음과 같습니다.

프로그래밍 작동:
프로그래밍 작업을 하기 전에 먼저 블록을 지워야 합니다. 프로그래밍 작업은 명령 레지스터에 80h-10h 명령을 기록하여 구현됩니다. 먼저 80h 명령을 쓴 다음 5주기로 주소를 쓴 다음 내부 데이터 버퍼 레지스터에 데이터를 로드하고, 마지막으로, 쓰기 확인을 위해 명령이 완료된 후 10h를 씁니다. 프로그래밍이 완료되면 R/B(-)가 해제됩니다.
프로그래밍 작동 순서

지우기 작업:
지우기 작업 명령은 60h-D0h입니다. 먼저 60h 명령을 쓴 다음 3주기로 주소를 쓴 다음, 삭제를 확인하기 위해 D0h 명령을 씁니다. 지우기가 완료되면 R/B(-)가 해제됩니다.

작업 순서를 지웁니다

작업 재설정 작업 순서 재설정

참고: 복원 명령 입력을 완료하기 위해 작업을 수행하기 전에 페이지에 데이터를 쓰는 경우 데이터가 손상될 수 있습니다. 페이지 프로그래밍만 손상될 뿐 아니라 인접한 페이지에도 영향을 줄 수 있습니다.

순차 명령(-45ºC~175ºC): 온도가 증가하면 작동 후 장치의 응답 속도가 느려질 수 있습니다. 사용자 프로그램 실행 순서 특정 허용 시간을 사용하면 높은 온도의 안정성을 높일 수 있습니다.

타이밍 매개변수 목록(25ºC):

기호	최소	표준	최대	단위	비문
tPROG		0.8	3	MS	페이지 프로그램 시간
TBERS		1.5	10	MS	블록 삭제 시간
tCLS	15			NS
tCLH	5			NS
TCS	20			NS
있습니다	5			NS
tWP	15			NS
TAL	15			NS
tALH	5			NS
TDS	15			NS
tDH	5			NS
TwC	30			NS
TWh	10			NS
TADL	70			NS
TR			60	μs
타르	10			NS
tCLR	10			NS
TRR	20			NS
TRP	15			NS
TWB			100	NS
TRC	30			NS
나무			20	NS
tCEA			25	NS
tRHZ			100	NS
tCHZ			30	NS
tcsd	10			NS
tRHOH	15			NS
tRLOH	5			NS
tCOH	15			NS
tREH	10			NS
TIR	0			NS
tRHW	100			NS
TWHR	60			NS
trst			5/10/500	μs	읽기/프로그래밍/지우기

회사 프로필

ZITN은 국내 하이테크 기업이며, 마이크로전자 산업에서 풍부한 경험을 가진 많은 하이테크 엔지니어가 2002년에 설립했습니다. 19년의 개발로 ZITN은 중국 업계에서 인정 받는 리더가 되었고 총 175명의 직원을 보유하고 있으며, 그 중 49% 이상이 R&D 팀에서 근무하고 있습니다. 당사는 주로 항공 우주, 오일 및 가스 천공, 지질학 탐사 분야에 널리 사용되는 회로 제품 및 NAND 플래시 메모리를 설계, 개발 및 제조하는 데 사용됩니다.

 

우리의 장점

a. 하이브리드 두툼한 필름 IC와 고급 센서 개발 및 제조 분야에서 19년 이상 축적된 경험
B. 발명품 특허 40개 이상의 프로젝트.
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D. 직원 중 49% 이상이 R&D 팀에 소속되어 있습니다.
E. 최근 3년 동안 신규 협력 고객이 1000명 이상 되었습니다.
F. 연간 100000 이상의 생산 용량
G. 전문적인 사전 판매, 애프터세일즈 가이드, 고객 문의에 따라 솔루션을 제공할 수 있습니다.
H. .


미니어처 볼륨! 의존적인 창의적인 기술!
서보-회로 생산에서 원스톱으로 센서를 연결

포장 및 배송

맞춤형 정전기 방지 박스
Express를 통한 배송(DHL, Fedex, TNT, UPS 등)
배송 후 7-10일 이내에 배송.

 

FAQ

어떤 종류의 서비스를 제공할 수 있습니까?
스탠드 드 모델을 제외하고, 교정, 수리, 업그레이드 등 고객의 세부 요구 사항에 따라 제공되는 제품도 제공됩니다.

공장을 떠나기 전에 어떤 종류의 제품 테스트를 수행해야 합니까?
당사는 비자성 턴테이블 보정 시스템, 충격 및 진동 테스트 시스템, 온도 사이클 테스트 시스템 등과 같은 제품 성능을 보장하기 위해 엄격한 품질 관리 시스템을 갖추고 있습니다.

평가를 위한 샘플을 얻을 수 있습니까?
예, 평가를 위한 샘플을 제공하고 전체 프로세스에서 기술 관련 질문에 대한 안내를 제공합니다.

배송 옵션은 어떻게 선택할 수 있습니까?
DHL/Fedex/TNT Express와 같은 항공 특급 배송 서비스를 보통 7~10일간 운송이 필요합니다.

관심 있는 경우 회사를 방문할 수 있습니까?
네, 저희 회사는 칭다오 시에 위치하고 있습니다. 저희는 175명 이상의 직원을 보유하고 있으며 R&D, 생산, 금융, 마케팅, 등...