모양: | 담그다 |
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도전 형: | 바이폴라 집적 회로 |
완성: | SSI |
공예: | 반도체 IC |
Application: | Specific Integrated Circuits |
Type: | Analog IC |
비즈니스 라이센스가 검증 된 공급 업체
입력합니다
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설명
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카테고리
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이산 반도체 제품
트랜지스터
FET, MOSFET
단일 FET, MOSFET
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MFR
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Nexperia USA Inc
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시리즈
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-
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패키지
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테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel ®
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제품 상태
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활성
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FET 유형
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N-채널
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기술
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MOSFET(금속 산화물)
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소스 전압(Vdss)으로 배출
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40V
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전류 - 25°C에서 연속 배출(ID
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100A(TC)
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구동 전압(최대 RDS 켜짐, 최소 RDS 켜짐)
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4.5V, 10V
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RDS ON(최대) @ ID, Vgs
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25A에서 1.4mOhm, 10V
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VG(TH)(최대)@ID
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2V @ 1mA
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Vgs에서 게이트 충전(QG)(최대
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96NC @ 10V
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VG(최대)
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±20V
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VDS에서 입력 정전 용량(CISS)(최대
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6661 PF @ 20V
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FET 기능
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-
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전력 소산(최대)
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238W(TC)
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작동 온도
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-55°C~175°C(TJ)
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마운팅 유형
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곡면 마운트
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공급업체 기기 패키지
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LFPAK56, 전력 - SO8
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패키지/케이스
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SC-100, SOT-669
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기본 제품 번호
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PSMN1R4
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