인증: | RoHS 준수 |
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캡슐화 구조: | 세라믹 패키지 트랜지스터 |
설치: | 플러그인 Triode 중 |
전원 수준: | 중간 전원 |
자료: | 규소 |
FET 유형: | N-채널 |
비즈니스 라이센스가 검증 된 공급 업체
입력합니다
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설명
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카테고리
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이산 반도체 제품
트랜지스터
FET, MOSFET
단일 FET, MOSFET
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시리즈
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극성
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패키지
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튜브
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제품 상태
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활성
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FET 유형
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N-채널
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기술
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MOSFET(금속 산화물)
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소스 전압(Vdss)으로 배출
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300V
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전류 - 25°C에서 연속 배출(ID
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88A(TC)
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구동 전압(최대 RDS 켜짐, 최소 RDS 켜짐)
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10V
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RDS ON(최대) @ ID, Vgs
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44A에서 40mOhm, 10V
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VG(TH)(최대)@ID
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250µA에서 5V
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Vgs에서 게이트 충전(QG)(최대
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180NC @ 10V
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VG(최대)
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±20V
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VDS에서 입력 정전 용량(CISS)(최대
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6300 PF @ 25 V
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FET 기능
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-
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전력 소산(최대)
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600W(TC)
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작동 온도
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-55°C~150°C(TJ)
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마운팅 유형
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관통 구멍
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공급업체 기기 패키지
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3P로
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패키지/케이스
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3P-3, SC-65-3
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기본 제품 번호
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IXTQ88
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