원본 Hgtd1n120bns9a IGBT 1200V 5.3A 60W to-252AA 트랜지스터

• 커스터마이징: 사용 가능
• 캡슐화 구조: 칩 트랜지스터
• 신청: 전자 제품
• 모델 번호.: HGTD1N120BNS9A
• 인증: RoHS 준수, ISO
• 광도: 표준
• 색: 검은색
• 구조: 표준
• 자료: 규소
• 제품 유형: 트랜지스터
• 포장: ~ -252aa
• 품질: 새로운 오리지널
• 마운팅 유형: 표면 마운트
• 운송 패키지: 표준
• 규격: 표준
• 등록상표: 표준
• 원산지: 원본 사진
• 세관코드: 8541210000
• 생산 능력: 500000

제품 설명

오리지널 HGTD1N120BNS9A IGBT 1200V 5.3A 60W ~ -252AA 트랜지스터

입력합니다	설명
카테고리	이산 반도체 제품 트랜지스터 IGBT 단일 IGBT
MFR	반반반입니다
시리즈	-
패키지	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel ®
제품 상태	활성
IGBT 유형	NPT
전압 - 컬렉터 이미터 고장(최대)	1200V
전류 - 수집기(IC)(최대)	5.3A
전류 - 수집기 펄스(ICM)	6A
Vge, IC에서 VCE(ON)(최대	15V에서 2.9V, 1A
전력 - 최대	60W
에너지 전환	70µJ(ON), 90µJ(OFF)
입력 유형	표준
게이트 충전	14NC
25°C에서 TD(ON/OFF	15ns/67ns
테스트 조건	960V, 1A, 82Ω, 15V
작동 온도	-55°C~150°C(TJ)
마운팅 유형	곡면 마운트
패키지/케이스	~ -252-3, DPak(2 Leads + Tab), SC-63
공급업체 기기 패키지	~ -252AA
기본 제품 번호	HGTD1N120

제품 정보 오류 보고

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