인증: | RoHS 준수 |
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캡슐화 구조: | 칩 트랜지스터 |
설치: | 플러그인 Triode 중 |
전원 수준: | 중간 전원 |
구조: | NPN |
자료: | 규소 |
비즈니스 라이센스가 검증 된 공급 업체
입력합니다
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설명
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카테고리
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이산 반도체 제품
트랜지스터
양극성(BJT)
단일 양극 트랜지스터
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패키지
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튜브
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제품 상태
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활성
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트랜지스터 유형
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NPN-달링턴
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전류 - 수집기(IC)(최대)
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4A
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전압 - 컬렉터 이미터 고장(최대)
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100V
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VCE Saturation (Max) @ Ib, IC
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2.5V @ 30mA, 1.5A
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전류 - 수집기 컷오프(최대)
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500µA
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IC, VCE에서 DC 전류 게인(HFE)(최소
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750 @ 1.5A, 3V
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전력 - 최대
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40W
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주파수 - 전환
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-
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작동 온도
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150°C(TJ)
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마운팅 유형
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관통 구멍
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패키지/케이스
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~ -225aA에서 -126-3
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공급업체 기기 패키지
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SOT-32-3
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기본 제품 번호
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BD681
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