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STP7nk80zfp P7nk80zfp 트랜지스터 Fet 800V N-Channel Mosfet

기능: 전원 단자, Mosfet
DS 고장 전압 - 최소: 800v
samacsys 설명: Stp7nk80zfp, n-채널 MOSFET 트랜지스터
극성/채널 유형: N-채널
전력 손실 - 최대(abs): 30 W
하위 카테고리: FET 범용 전력

공급 업체에 문의

다이아몬드 회원 이후 2016

비즈니스 라이센스가 검증 된 공급 업체

평가: 5.0/5
무역 회사

기본 정보

모델 번호.
P7NK80ZFP
자세한 설명
N-채널 5.2a(tc) 30W(tc) 관통 구멍
설명
MOSFET n-ch 800v 5.2a ~ -220fp
카테고리
트랜지스터 - FET, MOSFET - 단일
기술
MOSFET
제품
Stp7n
제품 번호
Stp7nk80zfp
원산지
China
생산 능력
10000

제품 설명



STP7nk80zfp P7nk80zfp Transistor Fet 800V N-Channel Mosfet




제품 특성




극단적으로 높은 dv/dt 기능
100%년 avalange는 시험했다
문 책임은 극소화했다
아주 낮게 본질적인 용량
아주 좋은 제조 repeatibility
STP7nk80zfp P7nk80zfp Transistor Fet 800V N-Channel Mosfet

시리즈 SuperMESH™
포장
부분 상태 액티브한
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (금속 산화물)
현재 - 지속적인 하수구 (ID) @ 25° C 5.2A (Tc)
모십시오 전압 (위에 최대 Rds, 위에 분 Rds를) 10V
(최대) @ ID, Vgs에 Rds 1.8Ohm @ 2.6A, 10V
Vgs ((최대) 토륨) @ ID 4.5V @ 100µ A
(최대) Vgs ± 30V
FET 특징 -
(최대) 전력 흩어지기 30W (Tc)
작용 온도 - 55° C ~ 150° C (TJ)
설치 유형 구멍을%s



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포장 유형


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응용 필드
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기업 정보
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우리의 Exihibiton


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FAQ

1. Who는 인가?
우리는 고품질 중국의 자신의 칩에 의하여 포함된 IC의 제조자, 트랜지스터, 저항기이다,
축전기, 기억 장치, IGBT, Mosfet, Traic/SCR, Optoelectronics. Almost 모든 성분
우리의 생산에 있는 전자공학의

2. Do 또한 본래 부속을 판매해?
그렇습니다, 우리는 또한 우리의 디자인된 칩 전부가 위에 근거하는 본래 물자 bcz를 공급하고 있다
고유, 그래서 우리는 디자인과 발달의 어떤 고유와 협력하고 있다
우리는 고유의 좋은 근원이 있다 부

3. What는 이점인가?
알맞은 가격을%s 가진 우리의 고품질 제품은 완전하게 대체할 수 있다
본래 분대

4. Can OEM 서비스를 제공하는가?
그렇습니다, 우리는 프로젝트가 있고 plz를 연락하면 저희에게 요구하는 경우에, 할 수 있다

5. Can I 구매 당신에게서 모든 im requireing 분대?
당연히 그렇습니다, Bom 명부 인용에서 호별 급행 서비스를 경작하십시오,
우리는 당신 항상 연결할 것이다 직업적인 판매가 있다.

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