Manufacturing Technology: | Optoelectronic Semiconductor |
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Material: | Compound Semiconductor |
Type: | N-type Semiconductor |
Package: | SMD |
Signal Processing: | Analog Digital Composite and Function |
Application: | High Power Devices |
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SIC 웨이퍼는 실리콘 카바이드로 만들어진 반도체입니다. 1893년에 개발된 이 소재는 다양한 작업에 이상적입니다. 특히 , Schottky 다이오드, 교차로 장벽 스쿠키 다이오드, 스위치 및 금속 산화물 전계효과 트랜지스터에는 매우 유용합니다. 경도가 높기 때문에 전동 부품에 적합합니다.
SIC 웨이퍼는 전기 및 열 특성이 뛰어난 반도체 소재입니다. 다양한 분야에 이상적인 고성능 반도체입니다. 높은 내열성 외에도 매우 높은 경도 수준을 자랑합니다. 다른 반도체와 비교했을 때 실리콘 카바이드 웨이퍼는 다양한 전력 및 전압 분야에 이상적입니다. 즉, 다양한 전기 및 광학 장치에 적합합니다.
III-V 질산염 탈장
광전자 기기
고전력 장치
고온 장치
고주파수 전원 장치
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