벌크 GN 기질

• Manufacturing Technology: Optoelectronic Semiconductor
• Material: Compound Semiconductor
• Type: N-type Semiconductor
• Application: Television
• Brand: Finewin
• 재질: 질산 갈륨 기질
• 모델 번호.: FW-CRYSTAL
• 두께: 350um
• 크기: 2인치 ~ 4인치
• 운송 패키지: Box
• 사양: 2INCH
• 등록상표: FineWin
• 원산지: Jiaozuo City Henan Province
• 생산 능력: 1000 PCS/Month

제품 설명

벌크 GN 기판

GaN 기판이란
질산 갈륨(Gallium Nitride)은 넓은 틈의 화합물 반도체입니다. 이 기술은 원래 HVPE 방식과 웨이퍼 처리 기술로 제조되었으며, 원래 수년 동안 개발되었습니다.

2.응용 프로그램
Blu-ray Disc^™ 플레이어 및 광 프로젝터용 레이저 다이오드
향후 적용: 3,000V를 초과하는 고분해전압과 1mcm2 이하의 낮은 on-resistance를 가진 GaN PN 다이오드 ·
수명이 길고 효율적이며 안정적인 광전자 및 전자 장치
일반 조명과 휴대폰 기지국 및 방위 응용 분야를 위한 고휘도, 고전력, 고주파수 트랜지스터용 LED

3.제품 사용 가능

2" GaN 기질  
테스트 용도로 사용할 수 있는 작은 조각(10 * 10.5mm
높은 n형 레이어가 있는 Gan-template(n = <1e19/cm3)
Ntype(undoudn), ntype(GE dpushn) 및 Semi-절연(Fe dpushn) 기질을 사용할 수 있습니다
비극성 및 반극성 GaN 기질


기능
 높은 결정질, 우수한 균일성, 뛰어난 표면 품질

XRD-FWHM	002	102
350μm FSGaN	25-45세	20-55세

5.사양

항목	Gan-FS-C-U-C50	Gan-FS-C-N-C50	Gan-FS-C-SI-C50
치수	3-8인치 ± 1 mm
두께	350 ± 25µm
사용 가능한 표면 영역	90% 이상
방향	M축 쪽으로 기울어진 C-plane(0001) 0.35° ± 0.15°
평면 방향	(1-100) ± 0.5°, 16.0 ± 1.0mm
2차 방향 평면	(11-20) ±3°, 8.0 ±1.0mm
TTV (총 두께 편차)	≤ 15 µm
보우	≤ 20 µm
전도 유형	N-유형 (일절)	N-유형 (GE 도핑)	반절연 (Fe-dpn)
저항률(300K	0.5Ω 미만·cm	0.05 Ω·cm 미만	106Ω 이상·cm
탈위치 밀도	1 ~ 9x105cm - 2	5x105cm-2 약 3x106cm-2	1 ~ 9x105cm - 2
	1 ~ 3x106cm-2		1 ~ 3x106cm-2
광택	전면: Ra < 0.2nm EPI 지원 폴리싱 후면: 가는 지면
패키지	질소 대기 아래의 단일 웨이퍼 용기에 있는 등급 100 클린룸 환경에 포장됩니다.

6.사진

해외 전시회

FAQ:

Q: 배송과 비용은 어떻게 됩니까?

A: (1) DHL, Fedex, TNT, UPS, EMS 등을 수락합니다

   (2) 자신의 Express 계정이 있다면 정말 좋습니다. 그렇지 않다면 저희가 도와드리겠습니다.  

 Q: 어떻게 결제합니까?

A: T/T, 페이팔 등

Q: MOQ는 무엇인가요?

A:  (1) 재고 현황을 파악할 때 MOQ는 5페이지

   (2) 맞춤형 제품의 경우 MOQ는 10pcs-25pcs 입니다.

Q: 배송 시간은?

A:  (1) 표준 제품의 경우

          재고: 주문 후 배송일은 영업일 기준 5일입니다.

          맞춤형 제품의 경우  , 주문 후 2-3주 후에 배달됩니다.

     (2) 특수 제품의 경우  주문 후 4 또는 6주 후에 배송이 가능합니다.

Q: 표준 제품을 가지고 계십니까?

A: 표준 제품 재고

Q: 필요에 따라 제품을 사용자 지정할 수 있습니까?

A: 네, 고객의 요구에 따라 광학 부품의 재료, 사양 및 광학 코팅을 맞춤 설정할 수 있습니다.