IC 칩 Ipp120n10s403aksa1 MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3

• 모양: 플랫
• 도전 형: 유니 폴라 집적 회로
• 완성: GSI
• 공예: 후막 IC
• 패키지: TO-220-3
• 마운팅 유형: 표면 마운트
• 모델 번호.: IPP120N10S403AKSA1
• 설명: MOSFET n-ch TO220-3
• 응용 프로그램: 관통 구멍
• 운송 패키지: Carton
• 사양: standard
• 등록상표: TI
• 원산지: Original
• 세관코드: 85423100
• 생산 능력: 10000PCS/Month

제품 설명

IC 칩 IPP120N10S403AKSA1 MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3

 

부품 번호	IPP120N10S403AKSA1
설명	MOSFET N-CH TO220-3
최소 수량	1
포장	튜브
시리즈	자동차, AEC-Q101, OptiMOS™
FET 유형	N-채널
기술	MOSFET(금속 산화물)
소스 전압(Vdss)으로 배출	100V
전류 - 25°C에서 연속 배출(ID	120A(TC)
구동 전압(최대 RDS 켜짐, 최소 RDS 켜짐)	10V
RDS ON(최대) @ ID, Vgs	100A에서 3.9mOhm, 10V
VG(TH)(최대)@ID	180µA에서 3.5V
Vgs에서 게이트 충전(QG)(최대	140nC @ 10V
VG(최대)	±20V
VDS에서 입력 정전 용량(CISS)(최대	25V에서 10120pF
FET 기능	-
전력 소산(최대)	250W(TC)
작동 온도	-55°C~175°C(TJ)
마운팅 유형	관통 구멍
공급업체 기기 패키지	PG-TO220-3-1
패키지/케이스	~ -220-3세

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