핫 판매 연마 표면 4 인치 실험실 연구 Si 기판 반도체 실리콘 웨이퍼

• 커스터마이징: 사용 가능
• 애플리케이션: 장비
• 배치 번호: NA
• 모델 번호.: 4inch
• 제조 기술: 통합 회로 장치
• 자료: 화합 반도체
• 모델: 첨삭
• 패키지: 준표준
• 신호 처리: NA
• 유형: P-형 반도체
• 성장 방법: CZ
• 크리스탈 방향: 100
• 도판트: 보론
• 저항률: 1-100명
• 프론트 사이드: 광택
• 모서리선: 광택
• 브랜드: FSM
• 운송 패키지: 준표준
• 사양: TBD
• 등록상표: FSM
• 원산지: 중국
• 세관코드: 3818001920
• 생산 능력: 5000pcs/월

제품 설명

제품 설명

제품 매개변수

참조 값 사용
 

항목	사양
지름	150mm	200mm	300mm
입력합니다	P/N	P/N	P/N
노치	세미/JEIDA	노치 / /	노치
두께(μm)	675 ± 25 / 625 ± 25	725 ± 25	725 ± 25
곡면	광택	광택	광택
내부	에칭된	에칭된	에칭된
패키지	코인롤	코인롤	코인롤

150mm/200mm 테스트 웨이퍼
 

150mm
사양	0.2um ≤ 30개
직경(mm)	150 ± 0.2mm
입력합니다	P
올리프라의 길이	57.5mm ± 2.5mm	47.5mm ± 2.5mm
저항 값(Ω·cm)	1-100
두께(μm)	반	JEIDA
	675um ± 25um	675um ± 25um
TTV(μm)	30um 이하
보우(μm)	40um 이하
휘기(μm)	40um 이하
표면 불순물	≤ 5.0E 10 atom/cm²

 

200mm
사양	0.2um ≤ 30개	-
직경(mm)	200 ± 0.2mm
입력합니다	P
크리스탈 방향	110> ± 1
노치 방향
저항 값(Ω·cm)	1-100
두께(μm)	725um ± 25um
TTV(μm)	25um 이하	2um 이하
보우(μm)	40um 이하
휘기(μm)
LM	아닙니다
표면 불순물	≤ 5.0E 10 atom/cm²

300mm 테스트 웨이퍼
 

300mm
사양	0.045um ≤ 50개	0.065um ≤ 50개	0.09um <50개	0.12um < 50개
제조 방법	CZ
직경(mm)	300 ± 0.2mm
유형/도판트	P/Boron
크리스탈 방향	100>±1
노치 방향
저항 값(Ω·cm)	1-100
두께(μm)	775 ± 25
TTV(μm)	≤ 10
보우(μm)	≤ 40
휘기(μm)
LM	T7 + OCR
표면 불순물	1 E10 원자/cm² 미만

200mm/300mm 산화물 웨이퍼

 

	200mm	300mm
산화막 두께	500 ± 25nm
산화물 두께 변화 (웨이퍼 1개용)	3% 미만
산화물 두께 변화 (여러 웨이퍼)	3% 미만
사양	0.2μm ≤ 30개
직경(mm)	200 ± 0.2mm	300 ± 0.2mm
입력합니다	P
크리스탈 방향	100>±1
노치 방향	100>±1
저항 값(Ω·cm)	1-100
두께(μm)	725 ± 25
TTV(μm)	≤ 25	≤ 10
보우(μm)	≤ 40
휘기(μm)	≤ 40
표면 불순물	≤ 5.0 E10 Atom/cm²	1 E10 원자/cm² 미만

*  다른 필름 유형, 필름 두께 및 필름 구성에 대해서는 당사에 문의하십시오.


 

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Q: 필요에 따라 제품을 사용자 지정할 수 있습니까?
A: 네, 고객의 요구에 따라 광학 부품의 재료, 사양 및 광학 코팅을 맞춤 설정할 수 있습니다.

모든 고객의 사양은 고유하며 FSM은 고객의 정확한 사양을 충족하는 웨이퍼를 공급할 수 있습니다.

필요한 사양이 보이지 않으면  FSM에 문의하여  경험이 많고 지식이 풍부한 영업 직원과 상담하십시오.