사양
| 실리콘 종류 |
크기 |
프론트 전극 패턴 |
| 단일 결정질 |
182 * 182 ± 0.59mm 247mm |
10개의 부스바 |
| 간격: 17.3mm |
| 파라미터 항목 |
|
|
사양 |
공차 |
단위 |
|
| 전면 표면 |
A |
핑거 수량 |
140 |
- |
- |
| |
B |
프론트 부스바 폭 |
1 |
±0.1 |
mm |
|
| |
C |
버스 바 사이의 거리 |
17.3 |
±0.15 |
mm |
|
| 드문 표면 |
A |
백 부스바 폭 |
1.6 |
± 0.3 |
mm |
| |
B |
백 부스바 사이의 거리 |
17.3 |
±0.15 |
mm |
|
| |
C |
뒷면 핑거 수량 |
160 |
- |
- |
|
| EFF(%) |
효율성(%) |
Pmpp(W) |
Impp(a) |
움pp(V) |
ISC(A) |
Uoc(V) |
| 22.6 |
22.6-22.7 |
7.46 |
12.604 |
0.592 |
13.226 |
0.688 |
| 22.5 |
22.5-22.6 |
7.43 |
12.57 |
0.591 |
13.187 |
0.687 |
| 22.4 |
22.4-22.5 |
7.4 |
12.535 |
0.59 |
13.147 |
0.686 |
| 22.3 |
22.3-22.4 |
7.36 |
12.5 |
0.589 |
13.108 |
0.685 |
| 22.2 |
22.2-22.3 |
7.33 |
12.465 |
0.588 |
13.068 |
0.684 |
| 22.1 |
22.1-22.2 |
7.3 |
12.43 |
0.587 |
13.028 |
0.683 |
| 22 |
22.0-22.1 |
7.26 |
12.395에 따라 |
0.586 |
12.988 |
0.682 |
| 21 |
21.9 - 22.0 |
7.23 |
12.36 |
0.585 |
12.948 |
0.681 |
| 전기 배선 속성 |
|
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| VOC: -0.3%/ºC |
강도: 1000W/m² |
| ISC: +0.06%/ºC |
스펙트럼: AM1.5G |
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태양전지 생산 라인
청소 및 텍스처링: 웨이퍼는 산업 비누로 청소하고 텍스처라고도 하는 사각형 기반의 피라미드를 형성합니다. 텍스처화는 햇빛의 반사를 줄이는 데 도움이 됩니다.
확산: 주조 공정 중에 붕대로 미리 흘려간 웨이퍼는 고온의 인 소스와 확산하여 음의(n형) 표면 특성을 갖게 되며, 이 때문에 음의/양성(n-p) 교차점이 발생합니다.
에칭: 인은 원하는 웨이퍼 표면뿐만 아니라 측면 및 반대편 표면으로 확산되어 PN을 형성합니다. 그러면 전방과 후방의 션트 경로가 제공됩니다. 웨이퍼 에지/에지 정션 격리 주변의 경로를 제거하는 것은 에칭(etching)입니다.
PECVD: PECVD 장비에 의해 웨이퍼는 반사 방지 코팅(ARC)으로 코팅됩니다. 반사율을 줄이고 빛 흡수를 촉진하기 위한 파란색 질산질산염 필름.
인쇄 및 가열: 태양 재질의 전극을 인쇄하고 좋은 ohmic 접촉을 형성하기 위해 스크린 기술을 사용한 페이스트를 인쇄함으로써 채택되었습니다.
테스트 및 분류: 시뮬레이션 햇빛 아래에서 테스트한 효율성에 따라 셀을 분류하는 것을 의미합니다.
감사를 받은 공급업체 
