CS 전기화학 워크스테이션(전조계전기/전기 저항)에는 고속 디지털 기능 생성기, 고속 데이터 수집 회로, 전조계전기 및 전기 전류 통계 등이 포함됩니다. 고급 하드웨어 및 잘 작동하는 소프트웨어를 통해 높은 안정성과 정확성을 제공하는 이 플랫폼은 부식, 배터리, 전기화학 분석, 센서, 생명과학 및 환경 화학 등을 위한 종합적인 연구 플랫폼입니다
응용 프로그램
전기합성, 전착, 간헐적 산화 등의 반응 메커니즘
전기화학 분석 및 센서
새로운 에너지 소재(Li-ion 배터리, 태양전지, 연료전지, 슈퍼커패시터), 고급 기능 소재, 광전자 자료;
물, 콘크리트, 토양 등의 금속 부식 연구
부식 억제제, 수분안정제, 코팅 및 음극 보호 효율에 대한 신속한 평가
사양
| 사양 |
| 2, 3 또는 4 전극 시스템을 지지합니다 |
전위 및 전류 범위: 자동 |
| 잠재적 제어 범위: ±10V |
전류 제어 범위: ±2A |
| 잠재적 제어 정확도: 0.1% × 전체 범위 ±1mV |
전류 제어 정확도: 0.1% × 전체 범위 |
| 전위 분해능: 10μV(>100Hz), 3μV(<10Hz) |
전류 감도: 1pA |
| 상승 시간: <1μS(<10mA), <10μS(<2A) |
기준 전극 입력 임피던스: 1012Ω||20pF |
| 전류 범위: 2nA~2A, 10 범위 |
규정 준수 전압: ±21V |
| 최대 전류 출력: 2A |
CV 및 LSV 스캔 속도: 0.001mV~10,000V/s |
| CA 및 CC 펄스 폭: 0.0001 ~ 65,000s |
스캔 중 전류 증가: 1mA @ 1A/ms |
| 스캔 중 전위 증분: 0.076mV @ 1V/ms |
SWV 주파수: 0.001 ~ 100kHz |
| DPV 및 NPV 펄스 폭: 0.0001~1000초 |
AD 데이터 획득: 16bit@1MHz, 20bit@1kHz |
| DA 해상도: 16비트, 설정 시간: 1μs |
CV에서 최소 전위 증분: 0.075mV |
| IMP 주파수: 10μHz~1MHz |
저역 필터: 8년 간 사용 |
| 운영 체제: Windows 2000/NT/XP/7/8/10 |
인터페이스: USB 2.0 |
| 중량/측정: 6.5kg, 36.5 x 30.5 x16cm |
| EIS(전기화학 임피던스 분광법) |
| 신호 발생기 |
| 주파수 범위: 10μHz~1MHz |
AC 진폭: 1mV~2500mV |
| DC 바이어스:-10~+10V |
출력 임피던스: 50Ω |
| 파형: 사인파, 삼각파, 구형파 |
파형 왜곡: <1% |
| 스캐닝 모드: 로그/선형, 증가/감소 |
| 신호 분석기 |
| 적분 시간: 최소: 10ms 또는 사이클 중 가장 긴 시간 |
최대: 106사이클 또는 105s |
| 측정 지연: 0 ~ 105s |
| DC 오프셋 보상 |
| 잠재적 자동 보상 범위: -10V~+10V |
현재 보상 범위: -1A~+1A |
| 대역폭: 8년 간 주파수 범위, 자동 및 수동 설정 |
전기화학 방법/기법(모델 비교)
지침:
하드웨어 사양 및 외양은 다양한 모델에서 동일하며 소프트웨어 파트에서는 차이가 있습니다.
모델 CS350(내장 EIS 포함)은 가장 포괄적인 모델이며 모든 방법을 포함합니다 EIS. 다양한 응용 분야 및 교육에도 적합합니다
모델 CS310(내장 EIS 포함)에는 EIS 모듈도 포함됩니다. 하지만 CS350에 비해 전압 측정 방법이 더 적습니다. CS310은 EIS가 필요한 경우 비용 효율적인 모델입니다. 부식, 배터리 연구 등에 이상적인 모델입니다
모델 CS300(EIS 미포함)에는 모든 voltamimetry 방법이 포함되어 있지만 EIS는 일반적으로 중금속 이온 감지 등에 사용됩니다
모델 CS150(EIS 미포함)은 CV, LSV, 충전 및 방전, 타펠 플롯 등과 같은 기본 방법을 포함한 기본 모델입니다
모델 CS120은 전기 통계 기능이 없는 가장 간단한 모델입니다. 실험을 할 때 순환 전염탐측정법(cycloic voltamimetry, CV)만 사용하는 경우 CS120을 선택하는 것이 좋습니다.
| 기술 |
CS120 |
CS150 |
CS300 |
CS310 |
CS350 |
| W/O EIS |
W/O EIS |
W/O EIS |
EIS 포함 |
EIS 포함 |
안정적입니다
분극 |
개방 회로 전위(OCP) |
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| Potentiostatic(I-T 곡선) |
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| 갈바노스태틱 |
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| Potentiodynamic(Tafel 플롯) |
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| 갈바노역학 |
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비정상 상태
분극 |
다양한 단계 |
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| 다중 전류 단계 |
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| 잠재적 계단(VSTEP) |
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| 갈바닉 계단(ISTEP) |
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크로노
방법 |
크로노피톤측정법(CP) |
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| 크로노암페어 측정(CA) |
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| 크로노쿨메트리(CC) |
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| Voltamimetry |
주기적 볼타마측정(CV) |
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| 선형 스윕 볼타마측정(LSV)(I-V) |
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| Voltamimetry(SCV) # 계단 |
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| 구형파 전압 측정(SWV) # |
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| 차동 펄스 볼타마측정(DPV) # |
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| NPV(일반 맥박 산소 측정) # |
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| 차동 정상 맥박 볼타마측정(DNPV) # |
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| AC 전압 측정(ACV) # |
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| 제2의 고조파 A.C. 볼타마측정(SHACV) |
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| 전류법 |
차동 맥박 전류법(DPA) |
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| 이중 차동 맥박 전류법(DDPA) |
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| 삼중 맥박 전류법(TPA) |
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| 통합 펄스 전기화학 검출(iPad) |
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| EIS |
EIS와 주파수(IMP) 비교 |
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| EIS vs Time(IMPT) |
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| EIS vs Potential(IMPE)(Mott-Schottky) |
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부식
테스트 |
주기적 분극 곡선(CPP) |
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| 선형 분극 곡선(LPR) |
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| 전기화학 전위차학 재활성화(EPR) |
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| 전기화학 노이즈(EN) |
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| 무저항 전류계(ZRA) |
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| 배터리 테스트 |
배터리 충전 및 방전 |
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| Galvanostatic 전하 및 방전(GCD) |
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| PCD(Potentiostatic Charging and Discharging) |
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| 점성정적 간헐적 적정량 기법(Pitt) |
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| Galvanostatic Intermittent 적정 기법(GITT) |
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기술적 장점
임피던스(EIS)
코테스트 단일 채널 전조계에서는 상관 관계 통합 알고리즘과 이중 채널 오버 샘플링 기술을 적용하며 강력한 간섭 방지 기능을 제공합니다. 고임피던스 시스템의 EIS 측정에 적합합니다(코팅, 콘크리트 등의 109Ω 이상).
3% NaCl을 포함하는 CE3+의 AA6063 Al 합금 EIS 해결 방법
분극 곡선
타펠 플롯을 얻을 수 있습니다. 사용자는 반복적인 분극 곡선의 주기적 역전류(수동적 구막 파괴 전류)를 설정하여 물질의 피팅 잠재력과 보호 잠재력을 확보하고 과립간 부식에 대한 민감성을 평가할 수 있습니다. 이 소프트웨어는 비선형 피팅을 사용하여 분극 곡선을 분석하고 재질의 부식 방지 및 억제제를 빠르게 평가할 수 있습니다.
3% NaCl 용액에 포함된 Ti 합금 및 스테인리스 강의 분극 곡선
Voltamimetry
선형 스윕 볼타마측정(LSV), 순환 볼타마측정(CV), SCV, SWV, DPV, NPV, ACV, 스트리핑 볼터측정 등. 피크 면적, 피크 전류 및 표준 곡선 분석의 계산이 통합되어 있습니다.
LSV: 0.1M KOH의 다공성 탄소 물질
PPY 슈퍼커패시터의 CV(0.5mol/L H2SO4
전기화학 소음
저항 저항성이 높은 팔로어와 무저항 전류계를 사용하여 부식 시스템의 자연적인 전위/전류 변동을 측정합니다. 이 시스템을 사용하여 피팅 부식, 갈바닉 부식, 틈새 부식 및 응력 부식 균열 등을 연구할 수 있습니다. 소음 저항과 피팅 지수를 계산하면 국소적 부식 모니터링을 완료할 수 있습니다.
0.05mol/L Cl에서 저탄소 세엘의 전기화학적 노이즈 - + 0.1mol/L NaHCO3
완전 부동 측정
완전 플로팅 모드는 고압 증기 살균 전기화학 측정, 지상의 금속 구성 요소에 대한 온라인 부식 모니터링(콘크리트 리바 등)에 사용됩니다.
사용자 정의 메서드
API 기능 및 개발 예를 제공하여 보조 개발 및 자체 정의 측정에 대한 일부 사용자의 요구 사항을 원활하게 처리할 수 있습니다.
소프트웨어 기능
주기적 전압 측정: CS Studio 소프트웨어는 CV 곡선의 피크 높이, 피크 면적 및 피크 전위의 계산을 완료할 수 있는 다목적 평활화/차등/통합 키트를 제공합니다. CV에서 데이터 분석 중에는 표시할 정확한 주기를 선택하는 기능이 있습니다. 주기 또는 주기를 원하는 대로 선택할 수 있습니다.
타펠 및 부식 비율: CS Studio는 또한 분극 곡선의 버틀러-볼머 방정식에 강력한 비선형 피팅을 제공합니다. 이 측정기는 타펠 기울기, 부식 전류 밀도, 전류 제한, 분극 저항, 부식률을 계산할 수 있습니다. 또한 전기화학적 노이즈 측정에 기초하여 전력 스펙트럼 밀도, 노이즈 저항 및 노이즈 스펙트럼 저항을 계산할 수 있습니다.
배터리 테스트 및 분석: 충전 및 방전 효율, 용량, 특정 정전 용량, 충전 및 방전 에너지
EIS 분석: Bode, Nyquist, Mott-Schottky(M-S) 플롯
EIS 데이터 분석 중에는 맞춤형 등가 회로를 그리기 위한 피팅 기능이 내장되어 있습니다. 먼저, 등가 회로를 그리고 "빠른 맞춤"을 사용하여 매개변수의 값을 얻은 다음 해당 값을 동등한 회로에 대체하십시오.
실시간 데이터 저장: 전원이 갑자기 꺼지더라도 데이터가 자동으로 저장됩니다.
측정 결합: 실험 자동화를 촉진하고 시간을 절약합니다. 여러 기법을 선택하고 대기 시간, 시작 시간, 주기를 설정할 수 있습니다. 실행하려는 실험을 선택한 다음 실험실에서 기다릴 필요 없이 원하는 대로 설정된 실험을 자동으로 측정할 수 있습니다.
데이터 열기: 데이터 파일을 메모장에서 직접 열 수 있습니다. 데이터를 오리진에서도 열 수 있습니다
감사를 받은 공급업체 
