내화도 (℃): | 1580 <Refractoriness <1770 |
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특징: | 긴 시간 자료 |
유형: | 내화물 재료 |
모양: | 판 |
자료: | Alunimum Nitride |
제품 이름: | 알루미늄 질화 세라믹 부품 |
비즈니스 라이센스가 검증 된 공급 업체
재질 | 질화 알루미늄(AlN), 알루미늄(Al2O3), 지르코니아(ZrO2), 질화 실리콘(Si3N4), 탄화규소(SiC) |
색상 | 회색, 검은색, 흰색, 분홍색, 아이보리, 그리고 노란색을 사용할 수 있습니다 |
일반적인 두께 | 0.385mm, 0.50mm, 0.635mm, 1.0mm, 1.2mm 및 1.5mm |
치수 기능 | 최대 측면 길이는 500mm x 400mm이고 최대 OD는 400mm입니다 |
공차 | OD는 ±0.01mm일 수 있으며 두께는 ±0.005mm일 수 있습니다 |
표면 처리: | 천연 표면, 겹쳐진 모양, 다이아몬드 형태의 광택, 금속화, 광택 |
AlN 세라믹 웨이퍼와 기판의 주요 특징
1.높은 열 전도율(170 ~ 220)W/m.k, 이는 알루미늄 보다 5 ~ 8.5배 높습니다
실리콘(Si)과 열 팽창 계수가 유사하기 때문에 Si 칩에서 높은 신뢰성을 얻을 수 있습니다
3.절연저항 및 전압 저항 강도가 높지만 유전체 상수 및 유전체 손실이 낮습니다
4.높은 기계적 강도, 최대 450MPa이며 매우 조밀한 세라믹 본체에는 다공성이 없습니다
최대 99%까지 고순도를 제공하며 독성이 없고 RoHS, REACH 규정을 준수합니다
AlN 세라믹 웨이퍼와 기질에 대한 설명
질화 알루미늄 세라믹 부품은 170W/m 이상의 높은 열 전도성을 가지고 있습니다 K, 높은 저항률, 낮은 유전체 손실, 양호한 절연 및 기타 우수한 특성 ALN 세라믹 부품은 고주파 장비 기판, 고출력 트랜지스터 모듈 기판, 고밀도 하이브리드 회로, 마이크로파 전원 장치, 전력 반도체 장치, 전력 전자 장치, 광전자 부품, 레이저 반도체, LED, IC 제품 등
ALN 기질은 전력 모듈(MOSFET, IGBT), 냉각 및 회로, 패키지, 모듈 보호를 위한 LED 패키지 등 엄격한 조건이 요구되는 전자 분야에서 최고의 솔루션이 될 수 있습니다.
AlN 세라믹 웨이퍼용 관련 제품
비고:
당사는 알루미늄 세라믹 웨이퍼, 지르코니아 세라믹 웨이퍼, 실리콘 니트라이드 세라믹 웨이퍼, 실리콘 카바이드 웨이퍼를 비롯한 다양한 재질, 맞춤형 설계 등의 다양한 세라믹 웨이퍼를 생산합니다.
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