Manufacturing Technology: | Optoelectronic Semiconductor |
---|---|
Material: | Element Semiconductor |
Type: | Laser Diode |
Package: | Through Hole |
Signal Processing: | Simulation |
Application: | Solid State Laser Pumping,Medical Use |
비즈니스 라이센스가 검증 된 공급 업체
파라미터 | 기호 | 등급 | 단위 | |
광학 출력 전원 | PO(CW) | 350 | MW | |
역방향 전압 | LD | VR (LD) | 2 | V |
핀 PD | VR (PD) | 30 | V | |
작동 온도 | 맨 위 | 10~40세 | ºC | |
보관 온도 | Tstg | 40~ 80세 | ºC |
파라미터 | 기호 | 조건 | 최소 | 보통 | 최대 | 단위 | |
임계값 전류 | 있습니다 | - | - | 50 | 60 | MA | |
작동 전류 | IOP | PO = 200mW | - | 260 | 280 | MA | |
작동 전압 | VOP | PO = 200mW | - | 1.8 | 2.1 | 볼트 | |
경사 효율성 |
더 좋습니다 |
- | 0.5 |
0.8 |
- |
mW/mA |
|
- | |||||||
전류 모니터링 | IM | PO = 200mW | - | 0.2 | 0.8 | MA | |
빔 발산 (FWHM) |
평행 | Θ | PO = 200mW | 8 | 10 | 14 | 도 |
수직 | Θ | PO = 200mW | 30 | 35 | 40 | 도 | |
평행 편차 각도 | Θ | PO = 200mW | -3 | - | 3 | 도 | |
수직 편차 각도 | Θ | PO = 200mW | -3 | - | 3 | 도 | |
방출 지점 정확도 | X, Y, Z | PO = 200mW | -80 | - | 80 | 음 | |
길이 | (1분 | PO = 300mW | 805 | 808 | 815 | NM |
비즈니스 라이센스가 검증 된 공급 업체