Manufacturing Technology: | Optoelectronic Semiconductor |
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Material: | Element Semiconductor |
Type: | N-type Semiconductor |
Package: | PGA(Pin Grid Array Package) |
Signal Processing: | Analog Digital Composite and Function |
Application: | Motor Control and Drives,UPS,Wind |
비즈니스 라이센스가 검증 된 공급 업체
모델: | FF150R17KE4 | FF200R17KE4 | FF300R17KE4 | FF400R17KE4 | FF500R17KE4 |
62mm 1700V, TRENCHOP™ IGBT4 및 이미터 제어 다이오드와 함께 150A 이중 IGBT 모듈
기능 요약
이점
파라메트릭 | FF150R17KE4 |
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구성 | 이중 |
치수(너비) | 61.4mm |
치수(길이) | 106.4mm |
하우징 | 62mm |
IC(nom) /IF(nom) | 150A |
IC 최대 | 150A |
자격 | 산업 |
기술 | IGBT4-E4 |
VCE(Sat) (Tvj = 25°C 일반) | 1.95V |
VCES /VRRM | 1700V |
VF (Tvj = 25°C 일반) | 1.65V |
최대 전압 등급 | 1700V |
IGBT 제품 선택은 다양한 장치를 제공합니다. 이 제품은 자동차, 견인력, 에너지 전달, 산업 및 소비자 시스템 분야의 다양한 응용 분야에 사용됩니다. 당사의 솔루션은 전방향 및 차단 상태에서 매우 낮은 전력 손실을 제공하며, 낮은 드라이브 전원만 필요하며 높은 효율성을 제공합니다. IGBT는 최대 6.5kV의 전압을 견딜 수 있으며 2kHz에서 50kHz까지의 스위칭 주파수에서 작동합니다.
우리는 이산 플라스틱 패키지로 조립된 IGBT 칩의 광범위한 포트폴리오를 제공합니다. 소위 Discretes IGBT로 불리며 단일 IGBT로 제공되고 프리휠 다이오드와 함께 제공됩니다. 이 장치는 범용 인버터, 태양광 인버터, UPS, 인덕션 가열, 주요 가전 제품, 용접 및 SMPS Discretes IGBT의 장점은 고전류 밀도와 낮은 전력 소산이며, 결과적으로 효율이 높아지고 방열판이 작아 전체 시스템 비용이 절감됩니다.
전력 전자 장비의 기본 구성 요소를 형성하는 대형 장비 구성은 일반적으로 IGBT 및 다이오드 다이가 다양한 토폴로지에서 결합된 전력 모듈로 간주됩니다. 고성능 구성 요소를 통해 이러한 전원 모듈은 최고 전력 응용 분야의 요구를 충족할 수 있습니다. 정류기, 브레이크 다지기 및 인버터 부품이 포함된 일체형 전원 통합 모듈부터 Infineon 제품까지 수백 와트에서 여러 메가와트에 이르는 다양한 제품이 제공됩니다. 범용 드라이브, 서보 유닛 , 태양열 변환기 또는 풍력 애플리케이션과 같은 재생 에너지 응용 분야에서는 이러한 매우 안정적인 제품의 뛰어난 성능, 효율성 및 수명을 활용할 수 있습니다.
HybridPACK™ 제품군은 자동차 인증 제품 시리즈로서 전기 이동성에 대한 설계자의 노력을 뒷받침할 수 있습니다. Infineon 은 AECQ101에 따라 검증된 다양한 개별 IGBT 전력 반도체를 제공하여 자동차 산업을 더욱 지원합니다.
Infineon 은 실험실 실험 또는 첫 번째 프로토타입을 쉽게 설정하기 위해 대부분의 제품에 대한 평가 보드를 제공하여 개발 주기를 단축하도록 도와줍니다. 따라서 가능한 한 짧은 시간 내에 결정적인 결과를 생성할 수 있습니다.