• 토템 폴 브리지스 일병 토폴로지 AEC-Q101 자격을 갖춘 모터 드라이버 Osg65r038hzaf To247 VDS 650V RDS38mΩ 고속 회수 다이오드 MOSFET
  • 토템 폴 브리지스 일병 토폴로지 AEC-Q101 자격을 갖춘 모터 드라이버 Osg65r038hzaf To247 VDS 650V RDS38mΩ 고속 회수 다이오드 MOSFET
  • 토템 폴 브리지스 일병 토폴로지 AEC-Q101 자격을 갖춘 모터 드라이버 Osg65r038hzaf To247 VDS 650V RDS38mΩ 고속 회수 다이오드 MOSFET
  • 토템 폴 브리지스 일병 토폴로지 AEC-Q101 자격을 갖춘 모터 드라이버 Osg65r038hzaf To247 VDS 650V RDS38mΩ 고속 회수 다이오드 MOSFET
  • 토템 폴 브리지스 일병 토폴로지 AEC-Q101 자격을 갖춘 모터 드라이버 Osg65r038hzaf To247 VDS 650V RDS38mΩ 고속 회수 다이오드 MOSFET
  • 토템 폴 브리지스 일병 토폴로지 AEC-Q101 자격을 갖춘 모터 드라이버 Osg65r038hzaf To247 VDS 650V RDS38mΩ 고속 회수 다이오드 MOSFET

토템 폴 브리지스 일병 토폴로지 AEC-Q101 자격을 갖춘 모터 드라이버 Osg65r038hzaf To247 VDS 650V RDS38mΩ 고속 회수 다이오드 MOSFET

유형: 자동차 파워 인버터
인증: RoHS 규제
설명: 극도로 낮은 스위칭 손실
특징: 뛰어난 안정성과 균일성
응용 프로그램: PC 전원
산업: LED 조명

공급 업체에 문의

골드 멤버 이후 2022

비즈니스 라이센스가 검증 된 공급 업체

제조사/공장, 무역 회사

기본 정보

모델 번호.
OSG65R038HZAF TO247
운송 패키지
Air
등록상표
Orientalsemiconductor
원산지
China
세관코드
854129000
생산 능력
20kkkk/Monthly

제품 설명

일반 설명
GreenMOS ® 고전압 MOSFET는 전하 균형 기술을 활용하여 뛰어난 저저항 및 낮은 게이트 전하를 달성합니다. 이 시리즈는 전도 손실을 최소화하고 탁월한 스위칭 성능과 강력한 눈사태 기능을 제공하도록 설계되었습니다.
GreenMOS ® Z 시리즈는 FRD(Fast Recovery Diode)와 통합되어 있어 역방향 복구 시간을 최소화합니다. 보다 높은 효율성, 높은 신뢰성 및 소형 폼 팩터에 도달하기 위해 공명 스위칭 토폴로지에 적합합니다.

피처
  • 낮은 RDS(ON) FOM
  • 극도로 낮은 스위칭 손실
  • 뛰어난 안정성과 균일성
  • 초고속 견고한 본체 다이오드

응용 프로그램                                                                                             
  • PC 전원
  • 통신 파워
  • 서버 전원
  • EV 충전기
  • 모터 드라이버

주요 성능 매개변수
 
파라미터 가치 단위
VDS, Tj에서 최소(최대) 700 V
ID, 펄스 240 A
RDS(켜짐), 최대 @ VGS = 10V 38
QG 175 NC

표시 정보
 
제품 이름 패키지 표시
OSG65R038HZF TO247 OSG65R038HZ
별도로 명시되지 않는 한 Tj = 25°C에서 절대 최대 정격
 
파라미터 기호 가치 단위
배수 - 소스 전압 VDS 650 V
게이트 소스 전압 VG ±30 V
연속 배출 커런트1), TC = 25°C
ID
80
A
연속 배출 커런트1), TC = 100°C 50
펄스 드레인 current2), TC = 25°C ID, 펄스 240 A
연속 다이오드 순방향 current1), TC = 25°C 있습니다 80 A
다이오드 펄스 current2), TC = 25°C 맥박 240 A
전원  dissipation3) , TC = 25 °C PD 500 W
단일 펄스 눈사태 5) EAS 2900 MJ
MOSFET dv/dt 견고성, VDS = 0… 480V dV/dt 100 V/ns
역다이오드 dv/dt, VDS = 0… 480V, ISD ≤ ID dV/dt 50 V/ns
작동 및 보관 온도 Tstg,Tj -55 ~ 150 °C

특성
 
파라미터 기호 가치 단위
저항, 접합 케이스 Rd. JC 0.25 °C/W
저항, 교차점-주변4) Rj의 JA 62 °C/W

별도로 명시하지 않는 한 Tj = 25°C의 전기적 특성
파라미터 기호 최소 보통 최대 단위 테스트 조건

배수 - 소스 고장 전압

BVDSS
650    
V
VG = 0V, ID = 2mA
700 770   VG = 0V, ID = 2mA, Tj = 150°C
게이트 임계값
전압
VG(TH) 3.0   4.5 V VDS = VGS, ID = 2mA

배수 - 소스
상태 저항

RDS(켜짐)
  0.032 0.038
Ω
VG = 10V, ID = 40A
  0.083   VG = 10V, ID = 40A, Tj = 150°C
게이트 소스 누설 전류
IGSS
    100
NA
VG = 30V
    -100 VG = -30V
배출 - 소스 누출 전류 IDSs     10 μA VDS = 650V, VGS = 0V
게이트 저항 RG   2.1   Ω EXM = 1MHz, 개방형 배출구

동적 특성
파라미터 기호 최소 보통 최대 단위 테스트 조건
입력 정전 용량 CISS   9276   PF
VG = 0V, VDS = 50V,
EXA = 100kHz
출력 정전 용량 고스   486   PF
역전달 정전 용량 CRSS   12.8   PF
효과적인 출력 정전 용량, 에너지 관련 CO(er)   278   PF
VG = 0V, VDS = 0V - 400V
유효 출력 정전 용량, 시간 관련 CO(TR)   1477   PF
대기 시간 켜기 TD(켜짐)   55.9   NS
VG = 10V, VDS = 400V, RG = 2Ω, ID = 40A
상승 시간 TR   121.2   NS
대기 시간을 끕니다 TD(꺼짐)   114.2   NS
가을 시간 TF   8.75   NS

게이트 충전 특성
파라미터 기호 최소 보통 최대 단위 테스트 조건
총 게이트 요금 QG   175.0   NC

VG = 10V, VDS = 400V, ID = 40A
게이트 소스 충전 QGS   40.1   NC
게이트 - 배출 충전 Qgd   76.1   NC
게이트 플래토 전압 Vplateau   6.4   V

차체 다이오드 특성
파라미터 기호 최소 보통 최대 단위 테스트 조건
다이오드 전진 전압 VSD     1.3 V = 80 A, VGS = 0 V
복구 시간을 반대로 전환합니다 trr.(추세   180   NS
= 30A,
di/dt = 100A/μs
역구난 충전 문제   1.5   UC
최고 역방향 복구 전류 어rm   15.2   A

참고
  1. 최대 허용 정션 온도를 기준으로 계산된 연속 전류
  2. 반복 등급; 펄스 폭은 최대 접합 온도에 의해 제한됩니다.
  3. PD는 정션 박스 열 저항을 사용하여 최대 정션 온도를 기반으로 합니다.
  4. Rm26JA의 값은 2oz의 2 FR-4 보드 중 1개에 장착된 장치로 측정됩니다. Ta = 25°C의 대기 환경에서 구리를 사용합니다
  5. VDD = 300V, VGS = 10V, L = 40MH, Tj = 25°C에서 시작

 

이 공급 업체에 직접 문의 보내기

*부터:
*에:
*메시지:

20 4,000 자 사이에 입력합니다.

이것은 당신이 찾고있는 것이 아닙니다? 바로 소싱 요청을 게시하기

카테고리별로 유사한 제품 찾기

공급업체 홈페이지 제품 AEC-Q101 자동차 인증 OSG65R099HSZAF 토템 폴 브리지스 일병 토폴로지 AEC-Q101 자격을 갖춘 모터 드라이버 Osg65r038hzaf To247 VDS 650V RDS38mΩ 고속 회수 다이오드 MOSFET

또한 추천

공급 업체에 문의

골드 멤버 이후 2022

비즈니스 라이센스가 검증 된 공급 업체

제조사/공장, 무역 회사
등록 자본
10000000 RMB
식물 면적
501~1000 평방 미터